**章 WBTCD-9308出廠試驗(yan)局部(bu)放(fang)電(dian)試驗(yan)儀局放理(li)論(lun)概述(shu)

在開始我們的(de)實驗以前，我們首(shou)先應該對局(ju)部(bu)(bu)放電(dian)有(you)(you)個初(chu)步的(de)了解(jie)，為(wei)什么要測(ce)量(liang)局(ju)部(bu)(bu)放電(dian)？局(ju)部(bu)(bu)放電(dian)有(you)(you)什么危害？怎樣準確測(ce)量(liang)局(ju)部(bu)(bu)放電(dian)？有(you)(you)了上述理(li)論基礎可以幫助我們理(li)解(jie)測(ce)量(liang)過(guo)程中的(de)正(zheng)確操作。

一、局部放電的(de)定義及產生原因

在電(dian)場作用下，絕(jue)(jue)緣(yuan)系統(tong)中只有部(bu)(bu)(bu)分區域發(fa)生放(fang)電(dian)，但尚未(wei)擊(ji)(ji)穿，（即(ji)在施加(jia)電(dian)壓(ya)的(de)(de)(de)(de)導(dao)(dao)體之(zhi)間(jian)沒有擊(ji)(ji)穿）。這種(zhong)現象稱之(zhi)為(wei)局(ju)(ju)部(bu)(bu)(bu)放(fang)電(dian)。局(ju)(ju)部(bu)(bu)(bu)放(fang)電(dian)可(ke)能(neng)發(fa)生在導(dao)(dao)體邊上，也可(ke)能(neng)發(fa)生在絕(jue)(jue)緣(yuan)體的(de)(de)(de)(de)表(biao)面上和內部(bu)(bu)(bu)，發(fa)生在表(biao)面的(de)(de)(de)(de)稱為(wei)表(biao)面局(ju)(ju)部(bu)(bu)(bu)放(fang)電(dian)。發(fa)生在內部(bu)(bu)(bu)的(de)(de)(de)(de)稱為(wei)內部(bu)(bu)(bu)局(ju)(ju)部(bu)(bu)(bu)放(fang)電(dian)。而對(dui)于被氣體包圍的(de)(de)(de)(de)導(dao)(dao)體附近發(fa)生的(de)(de)(de)(de)局(ju)(ju)部(bu)(bu)(bu)放(fang)電(dian)，稱之(zhi)為(wei)電(dian)暈。由此 總結一下局(ju)(ju)部(bu)(bu)(bu)放(fang)電(dian)的(de)(de)(de)(de)定義，指部(bu)(bu)(bu)分的(de)(de)(de)(de)橋接導(dao)(dao)體間(jian)絕(jue)(jue)緣(yuan)的(de)(de)(de)(de)一種(zhong)電(dian)氣放(fang)電(dian)，局(ju)(ju)部(bu)(bu)(bu)放(fang)電(dian)產(chan)生原因主要有以下幾種(zhong)：

電場(chang)不均勻。

電介(jie)質不均勻。

制造過程的(de)(de)氣(qi)泡或(huo)雜質(zhi)。*經常發生放電的(de)(de)原因是(shi)絕緣體內部或(huo)表(biao)面存在(zai)氣(qi)泡；其次是(shi)有些設備的(de)(de)運(yun)行過程中會發生熱脹冷縮,不(bu)同(tong)材料特別是(shi)導體與介質的(de)膨脹系數不(bu)同(tong)，也會逐漸出(chu)現裂縫(feng)；再有(you)一(yi)些(xie)是(shi)在(zai)運行過程中(zhong)有(you)機高分子(zi)的(de)老化，分解出(chu)各種揮發物，在(zai)高場強的(de)作(zuo)用下(xia)，電荷不(bu)斷地(di)由導體進入(ru)介質中(zhong)， 在(zai)注(zhu)入(ru)點(dian)上就會使介質氣化。

二(er) 、WBTCD-9308出廠試驗局部放電試驗儀局(ju)部放(fang)電的模擬(ni)電路及放(fang)電過程(cheng)簡介

介(jie)質內部(bu)含(han)有氣(qi)泡，在交(jiao)流電(dian)壓(ya)下(xia)產生的內部(bu)放(fang)電(dian)特性可由圖1—1的(de)模擬電路(a b c等值電(dian)路)予以(yi)表示(shi)；其中Cc是模擬介質(zhi)中產生放電(dian)間(jian)隙(如(ru)氣泡)的(de)電容；Cb代表(biao)與Cc串聯部分介質的(de)合成電容；Ca表示其(qi)余部分介(jie)質(zhi)的電(dian)容(rong)。

I——介質(zhi)有缺陷(氣泡(pao))的(de)部份(虛線表示)

II——介質無缺陷部份(fen)

圖(tu)1—1  表示具有內(nei)部放電(dian)的模擬(ni)電(dian)路

圖1—1中以并聯有—對火花間隙的電容Cc來模擬產生局部放電(dian)的(de)內部氣(qi)泡。圖(tu)1—2表(biao)示了(le)在交流電(dian)壓(ya)下局部放電(dian)的發生過程。

U(t)一一外(wai)施交流(liu)電(dian)壓

Uc(t)一一氣泡(pao)不(bu)擊穿(chuan)時在氣泡(pao)上的(de)電壓(ya)

Uc’(t)一一有局部放電時氣泡上的(de)實際電壓

Vc一一氣泡的(de)擊穿電(dian)壓(ya)

Y r一(yi)一(yi)氣泡(pao)的(de)殘余電壓   

Us—局部放電起始電壓(瞬(shun)時(shi)值)

Ur一一與氣泡殘(can)余電壓v r對應的外施電壓

Ir一一氣泡中(zhong)的(de)放(fang)電電流

電極間總電容Cx=Ca＋(Cb×Cc)/(Cb＋Cc)=Ca電極(ji)間(jian)施加交流(liu)電壓(ya) u(t)時，氣(qi)泡電容Cc上對應的電壓為(wei)Uc(t)。如(ru)圖2—1所示，此時的(de)Uc(t)所代(dai)表的是氣(qi)泡理想狀態下的電壓（既氣(qi)泡不發生擊穿(chuan)）。

Uc(t)=U(t)×Cb/Cc＋Cb

外施電壓U(t)上升時(shi)，氣(qi)泡上電壓(ya)Uc(t)也上升，當U(t)上升到Us時，氣泡上電壓Uc達到氣(qi)泡擊穿(chuan)電壓,氣泡(pao)擊穿，產生大量的(de)(de)正、負離子，在電(dian)場作用下(xia)各自遷移到氣泡(pao)上下(xia)壁，形成空(kong)間電(dian)菏，建立(li)反電(dian)場，削弱了氣泡(pao)內的(de)(de)總電(dian)場強度，使放電(dian)熄(xi)滅，氣泡(pao)又(you)恢復絕(jue)緣(yuan)性(xing)能。這樣的(de)(de)一次放電(dian)持續時間是極短暫的(de)(de)，對一般(ban)的(de)(de)空(kong)氣氣泡(pao)來說，大約只有幾個毫微秒(10的負8次方到10的負9次方秒)。所(suo)以電壓Uc(t)幾乎瞬間地(di)從Vc降到Vr，Vr是(shi)殘余電壓(ya)；而(er)氣(qi)泡上電壓(ya)Uc‘(t)將隨U(t)的增大而繼(ji)續由(you)Vr升高到Vc時，氣泡再—次擊穿，發生又(you)—次局部放電(dian)，但此(ci)時相應(ying)的外施電(dian)壓比(bi)Us小，為(Us-Ur)，這(zhe)是(shi)因為氣泡(pao)上有殘余電壓(ya)Vr的(de)(de)內電場作(zuo)用(yong)的(de)(de)結(jie)果。Vr是與氣泡殘(can)余電壓Yr相應的外施電壓，如此反復上述過程(cheng)，即(ji)外施電壓每增加(Us-Ur)，就產生一(yi)次(ci)局部放(fang)電．直到前(qian)—次(ci)放電熄(xi)滅后，Uc’(t)上升到峰值時(shi)共(gong)增量(liang)不足以達(da)Vc(相當于外施電壓的增量Δ比(Us-Ur)小)為止(zhi)。

此后，隨著外(wai)施電壓U(t)經過峰值Um后減小，外施(shi)電(dian)(dian)(dian)壓在氣泡中建立反方(fang)向(xiang)電(dian)(dian)(dian)場，由(you)于氣泡中殘(can)存的內電(dian)(dian)(dian)場電(dian)(dian)(dian)壓方(fang)向(xiang)與外電(dian)(dian)(dian)場方(fang)向(xiang)相反，故外施(shi)電(dian)(dian)(dian)壓須經(Us+Ur))的電(dian)(dian)壓(ya)(ya)變化，才能(neng)使氣泡上的電(dian)(dian)壓(ya)(ya)達到(dao)擊穿(chuan)電(dian)(dian)壓(ya)(ya)Vc，(假(jia)定正、負方向擊穿電壓Vc相等)，產生一次(ci)局部放電(dian)。放電(dian)很快(kuai)熄(xi)滅，氣(qi)泡中電(dian)壓瞬時降到殘余電(dian)壓Vr(也假定正(zheng)、負(fu)方向相同)。外施電壓繼續下(xia)(xia)降(jiang)，當再(zai)下(xia)(xia)降(jiang)(Us-Ur)時，氣泡電壓就又達到(dao)Vc從而又產(chan)生一次局部(bu)放電。如此重復上述過程，直(zhi)到外施電壓升(sheng)到反(fan)向蜂值一Um的增(zeng)量Δ不(bu)足(zu)以達到(dao)(Us-Ur)為止。外施電壓經過一Um峰值后，氣泡(pao)上的外(wai)電場方(fang)向又變(bian)為正方(fang)向，與氣泡(pao)殘余電壓(ya)方(fang)向相(xiang)反，故外(wai)施電壓(ya)又須(xu)上升(Us+Ur)產生第—次放電，熄(xi)滅后(hou)，每(mei)經過Us—Ur的電(dian)(dian)壓(ya)上升就產(chan)生一次放(fang)電(dian)(dian)，重復前面所(suo)介紹的過程。如圖1—2所示(shi)。

由(you)以上局(ju)部(bu)(bu)放(fang)電(dian)(dian)(dian)過程分析，同(tong)(tong)時根據局(ju)部(bu)(bu)放(fang)電(dian)(dian)(dian)的(de)(de)特點（同(tong)(tong)種試品(pin)，同(tong)(tong)樣的(de)(de)環境下，電(dian)(dian)(dian)壓(ya)越高局(ju)部(bu)(bu)放(fang)電(dian)(dian)(dian)量越大(da)）可以知道(dao)：一(yi)(yi)般(ban)情況(kuang)下，同(tong)(tong)一(yi)(yi)試品(pin)在一(yi)(yi)、三象(xiang)限(xian)(xian)的(de)(de)局(ju)部(bu)(bu)放(fang)電(dian)(dian)(dian)量大(da)于二、四象(xiang)限(xian)(xian)的(de)(de)局(ju)部(bu)(bu)放(fang)電(dian)(dian)(dian)量。那是(shi)(shi)(shi)因為它們是(shi)(shi)(shi)電(dian)(dian)(dian)壓(ya)的(de)(de)上升沿。（第三象(xiang)限(xian)(xian)是(shi)(shi)(shi)電(dian)(dian)(dian)壓(ya)負的(de)(de)上升沿）。這(zhe)就是(shi)(shi)(shi)我們測量中為什么(me)把時間窗刻(ke)意擺在一(yi)(yi)、三象(xiang)限(xian)(xian)的(de)(de)原因。

三(san)、WBTCD-9308出廠試(shi)驗局部放電試(shi)驗儀局部放電的測量原理：

四、WBTCD-9308出廠試(shi)(shi)驗局部放電試(shi)(shi)驗儀局部放電的表征參數(shu)

局部放(fang)電是比較復(fu)雜(za)的物(wu)理現(xian)象(xiang)，必須通過(guo)多種表征參數才能**的描繪其狀態(tai)，同時局部放(fang)電對絕(jue)緣破壞(huai)的機理也是很復(fu)雜(za)的，也需要(yao)通過(guo)不同的參數來評定它對絕(jue)緣的損害，目前我們(men)只關(guan)心兩(liang)個基(ji)本參數。

視在放電電荷——在絕緣體(ti)中發(fa)生局部放電(dian)時，絕緣體(ti)上施加電(dian)壓的兩端出現的脈動電(dian)荷(he)(he)稱之為視在放電(dian)電(dian)荷(he)(he)，單位用(yong)皮庫（pc）表示，通(tong)常以穩(wen)定出現的*大視在放(fang)電電荷作為(wei)該試品(pin)的放(fang)電量(liang)。

放電重(zhong)復率——在測量時(shi)間內每秒中(zhong)出現的(de)(de)放電次數的(de)(de)平均值稱為(wei)放電重復率，單位為(wei)次/秒(miao)，放電(dian)重復率(lv)越高，對絕(jue)緣的損害(hai)越大。

**章  局放測(ce)試的(de)試驗(yan)系統接線。

在了解了局部放電的(de)(de)基本理論之后(hou)(hou)，在本章(zhang)我們(men)的(de)(de)重(zhong)點轉向實際操作，我們(men)先介紹(shao)局部放電測試中常用的(de)(de)三(san)種(zhong)接法，隨后(hou)(hou)我們(men)再介紹(shao)整(zheng)個系(xi)統的(de)(de)接線(xian)(xian)電路，*后(hou)(hou)我們(men)再分(fen)別(bie)介紹(shao)幾種(zhong)典型的(de)(de)試品(pin)的(de)(de)試驗線(xian)(xian)路。

一(yi)、局放電(dian)測試電(dian)路的三(san)種基本接法及(ji)優缺點(dian)。

（1）   標(biao)準試驗電路，又稱并聯法。適合于必須接地(di)的試品。其缺點是高壓引(yin)線對地雜(za)散電容并聯在 CX上(shang)，會降(jiang)低(di)測試靈敏度。

（2）接法的(de)串聯法，其要(yao)求試品低壓端對地浮置。其優(you)點是(shi)(shi)變壓器入口電容、高壓線對(dui)地(di)雜(za)散電容與耦合電容CK并聯，有(you)利(li)于提高試驗靈(ling)敏度(du)。缺點是(shi)(shi)試樣損(sun)壞時會損(sun)壞輸入單元。

（3）平(ping)衡(heng)法試(shi)驗電路：要求兩個(ge)試(shi)品(pin)相(xiang)接近，至少電容(rong)量(liang)為同一數量(liang)級其優(you)點(dian)是(shi)外干擾(rao)強(qiang)烈(lie)的情(qing)況下，可(ke)(ke)取得較好抑(yi)制干擾(rao)的效(xiao)果(guo)，并(bing)可(ke)(ke)消除變壓器雜散電容(rong)的影響，而且(qie)可(ke)(ke)做大電容(rong)試(shi)驗。缺點(dian)是(shi)須要兩個(ge)相(xiang)似的試(shi)品(pin)，且(qie)當(dang)產生放(fang)電時，需設法判(pan)別是(shi)哪個(ge)試(shi)品(pin)放(fang)電。

值得提出的(de)(de)是(shi)：由于現(xian)場(chang)試驗(yan)條件的(de)(de)限(xian)制（找到兩個相似(si)的(de)(de)試品(pin)且要保證(zheng)一個試品(pin)無放電不太(tai)容(rong)易(yi)），所(suo)以(yi)在(zai)現(xian)場(chang)平衡法比(bi)較難實現(xian)，另外，由于采(cai)用串聯法(fa)時，如果試(shi)品擊穿，將會對設(she)備造(zao)成(cheng)比較大(da)的損害，所以(yi)出于對設(she)備保護(hu)的想法(fa)，在現(xian)場試(shi)驗(yan)時一(yi)般(ban)采(cai)用并聯法(fa)。

二、WBTCD-9308出廠試(shi)驗(yan)局部(bu)放電(dian)試(shi)驗(yan)儀采用并(bing)聯(lian)法的(de)整(zheng)個系(xi)統的(de)接線(xian)原(yuan)理圖。

該(gai)系(xi)統(tong)采用(yong)脈沖電(dian)(dian)流法檢(jian)測(ce)高(gao)壓(ya)(ya)(ya)試(shi)(shi)品的(de)局部(bu)放(fang)電(dian)(dian)量，由控制臺控制調壓(ya)(ya)(ya)器(qi)和(he)變壓(ya)(ya)(ya)器(qi)在(zai)(zai)試(shi)(shi)品的(de)高(gao)壓(ya)(ya)(ya)端產生(sheng)測(ce)試(shi)(shi)局放(fang)所(suo)需的(de)預(yu)加(jia)電(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)和(he)測(ce)試(shi)(shi)電(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)，通過無局放(fang)藕合(he)電(dian)(dian)容器(qi)和(he)檢(jian)測(ce)阻抗(kang)將局部(bu)放(fang)電(dian)(dian)信號(hao)取出(chu)并(bing)送至局部(bu)放(fang)電(dian)(dian)檢(jian)測(ce)儀顯示并(bing)判斷和(he)測(ce)量。系(xi)統(tong)中的(de)高(gao)壓(ya)(ya)(ya)電(dian)(dian)阻為了防止在(zai)(zai)測(ce)試(shi)(shi)過程中試(shi)(shi)品擊穿而損壞其(qi)他設備(bei)，兩個電(dian)(dian)源濾波器(qi)是將電(dian)(dian)源的(de)干擾和(he)整(zheng)個測(ce)試(shi)(shi)系(xi)統(tong)分(fen)開，降低整(zheng)個測(ce)試(shi)(shi)系(xi)統(tong)的(de)背景干擾。

根據上述原(yuan)理圖可以看出(chu)，局部放(fang)電(dian)測(ce)(ce)試的靈敏度和(he)(he)準確度和(he)(he)整個(ge)系統(tong)密切(qie)相關，要(yao)想順利(li)和(he)(he)準確的進行局部放(fang)電(dian)測(ce)(ce)試，就必(bi)須(xu)將整個(ge)系統(tong)考(kao)濾周(zhou)到，包括(kuo)系統(tong)的參數選取(qu)和(he)(he)連接方式。另外(wai)，在(zai)現場試驗時(shi)，由于(yu)是驗證性試驗，高(gao)壓限流電(dian)阻可以省(sheng)掉(diao)。

三、幾種典(dian)型試品的接線(xian)原理圖。

（1）電流(liu)互感器的(de)局放測試接(jie)線原理圖

（2）電壓互感器的局放測試接線原(yuan)理圖

A．工頻加壓方式(shi)接線原理圖

為了防止(zhi)電(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)互感(gan)(gan)器(qi)在(zai)工頻電(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)下產生大的(de)(de)勵磁電(dian)(dian)流而(er)損壞，高(gao)壓(ya)(ya)(ya)電(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)互感(gan)(gan)器(qi)一(yi)般采取(qu)自激勵的(de)(de)加(jia)壓(ya)(ya)(ya)方式。在(zai)電(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)互感(gan)(gan)器(qi)的(de)(de)低壓(ya)(ya)(ya)側加(jia)一(yi)倍頻電(dian)(dian)源，在(zai)電(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)互感(gan)(gan)器(qi)的(de)(de)高(gao)壓(ya)(ya)(ya)端感(gan)(gan)應(ying)出高(gao)壓(ya)(ya)(ya)來進行局部放電(dian)(dian)實(shi)驗。這就是(shi)通常所說的(de)(de)三倍頻實(shi)驗。其接線原理圖如下：

(3)高壓電容器.絕緣子(zi)的局(ju)放測試(shi)接線(xian)原理(li)圖

(4) 發電機的(de)局放測試(shi)接(jie)線原理圖

（5）變壓器的局部放電測試(shi)接線(xian)原理(li)圖(tu)

我(wo)(wo)們僅僅是在原理(li)性的(de)總結了幾種(zhong)典型試品的(de)接線(xian)原理(li)圖，至于各種(zhong)試品的(de)加壓方式(shi)和加壓值的(de)多少，我(wo)(wo)們在做試驗(yan)的(de)時侯要(yao)嚴格遵(zun)守每種(zhong)試品的(de)出廠(chang)檢驗(yan)標準或交接檢驗(yan)標準。

第三章(zhang)  概述

WBTCD-9308智能(neng)局部放(fang)(fang)電檢測(ce)儀(yi)是我公司*新推向市場的(de)(de)新一(yi)代(dai)數字(zi)智能(neng)儀(yi)器，該儀(yi)器在原有產品(pin)WBJF-2010、JF-2020局放(fang)(fang)儀(yi)的(de)(de)基礎上采(cai)用嵌入式ARM系統作為(wei)中(zhong)央(yang)處理單元，控制12位分(fen)辨(bian)(bian)率的(de)(de)高速模數轉換芯片(pian)進行數據(ju)采(cai)集(ji)，將(jiang)采(cai)集(ji)到的(de)(de)數據(ju)存放(fang)(fang)在雙端口RAM中(zhong)。實(shi)(shi)現從模擬到數字(zi)的(de)(de)跨越。使用26萬色(se)高分(fen)辨(bian)(bian)率TFT-LCD數字(zi)液晶(jing)顯(xian)示(shi)模組實(shi)(shi)時顯(xian)示(shi)放(fang)(fang)電脈(mo)沖波形，配備VGA接口，可外接顯(xian)示(shi)器。與傳統的(de)(de)模擬式示(shi)波管顯(xian)示(shi)局部放(fang)(fang)電檢測(ce)儀(yi)相比有以下特(te)點：

1.彩色(se)顯(xian)(xian)示器，雙色(se)顯(xian)(xian)示波形，更清晰直觀；

2.可鎖定(ding)波(bo)形(xing)，更方便仔細查看放(fang)電波(bo)形(xing)細節；

3.自動(dong)(dong)測(ce)量并顯示試驗電源時基(ji)頻率(lv)，無需手(shou)動(dong)(dong)切換；

4.配(pei)備(bei)VGA接(jie)口，可外接(jie)大尺(chi)寸(cun)顯(xian)示器；

5.與示(shi)波管相(xiang)比壽命更長。

6.具有波形鎖(suo)定、打(da)印試驗報告功(gong)能

本(ben)儀器(qi)檢測靈敏度高，試樣電(dian)容覆蓋范圍(wei)大(da)，適(shi)(shi)用試品范圍(wei)廣，輸入單元（檢測阻抗）配(pei)備齊(qi)全，頻(pin)帶組合多(duo)（九種）。儀器(qi)經適(shi)(shi)當定標后能直(zhi)讀放(fang)電(dian)脈沖(chong)的放(fang)電(dian)量。

本儀器是電(dian)(dian)力部門、制(zhi)造(zao)廠家和科(ke)研單(dan)位(wei)等廣(guang)泛(fan)使用的局(ju)部放電(dian)(dian)測試儀器。

第四章  主要(yao)技術(shu)指標(biao)：

1．可測試(shi)品的電容范圍(wei)： 6PF—250uF。

2．檢測靈(ling)敏度（見表一）：

表一

（1）低端(duan)：10KHZ、20KHZ、40KHZ任選。

（2）**：80KHZ、200KHZ、300KHZ任選(xuan)。

4、放大器增益調節：

粗(cu)調(diao)六(liu)檔(dang)，檔(dang)間增益20±1dB；細調(diao)范圍≥20dB。每(mei)檔(dang)之間數(shu)(shu)據為(wei)(wei)(wei)10倍關系：如(ru)第三(san)檔(dang)檢(jian)(jian)測數(shu)(shu)據為(wei)(wei)(wei)98，則**檔(dang)顯示(shi)數(shu)(shu)據為(wei)(wei)(wei)9.8，如(ru)在第三(san)檔(dang)檢(jian)(jian)測數(shu)(shu)據超過(guo)120，則應調(diao)至**檔(dang)來檢(jian)(jian)測數(shu)(shu)據，所得數(shu)(shu)據應乘以10才為(wei)(wei)(wei)實際(ji)測量值(zhi)。

5、時(shi)間窗：

（1）窗寬：可調范圍(wei)15°-175°；

（2）窗(chuang)位置：每(mei)一窗(chuang)可旋轉0°- 180°；

（3）兩(liang)個時(shi)間窗可分別(bie)開或同時(shi)開。

6、放(fang)電(dian)量表：

0-100誤差<±3％（以(yi)滿度計）。

7、橢圓時(shi)基：

（1）頻率(lv)：50HZ、或(huo)外(wai)部電源同(tong)步(bu)（任意(yi)頻率(lv)）

（2）橢圓旋(xuan)轉：以30°為一檔，可作(zuo)360°旋(xuan)轉。

（3）顯示方式：橢圓—直(zhi)線。

8、試(shi)驗(yan)電壓表：

精度：優(you)于±3％（以滿度計）。

9、體積(ji)： 320×480×190（寬×深×高）mm³。

10、重量：約15Kg。

三、系(xi)統工作原理：

本機的(de)局部放電測(ce)(ce)試(shi)原理是高(gao)頻脈(mo)沖電流測(ce)(ce)量法（ERA法）。

試品(pin)Ca在(zai)試驗電壓下產(chan)(chan)生(sheng)局(ju)部(bu)放(fang)(fang)電時，放(fang)(fang)電脈(mo)沖信(xin)號(hao)經(jing)藕合電容Ca送入輸入單元，由輸入單元拾(shi)取到脈(mo)沖信(xin)號(hao)，經(jing)低噪聲前置放(fang)(fang)大器放(fang)(fang)大，濾(lv)波放(fang)(fang)大器選擇所需頻帶(dai)及主放(fang)(fang)大器放(fang)(fang)大（達到所需幅值與產(chan)(chan)生(sheng)零(ling)標志脈(mo)沖）后(hou)，在(zai)示波屏的橢圓掃描基(ji)線上產(chan)(chan)生(sheng)可(ke)見的放(fang)(fang)電脈(mo)沖，同(tong)時也送至脈(mo)沖峰值表顯示其峰值。

時間窗單(dan)元(yuan)控制試驗電(dian)壓每一周期(qi)內(nei)脈沖峰值(zhi)的工作時間，并在這(zhe)段時間內(nei)將示波(bo)屏的相應(ying)顯示區加亮，用它可以排除(chu)固定相位(wei)的干(gan)擾(rao)。

試驗(yan)(yan)電(dian)壓(ya)表經電(dian)容(rong)分壓(ya)器(qi)產生試驗(yan)(yan)電(dian)壓(ya)過零標(biao)志(zhi)訊號(hao)，在(zai)示(shi)(shi)波屏(ping)上(shang)顯示(shi)(shi)零標(biao)脈沖(chong)，橢圓時(shi)基(ji)上(shang)兩個零標(biao)脈沖(chong)，通過時(shi)間窗的寬窄調節可(ke)確定試驗(yan)(yan)電(dian)壓(ya)的相位，試驗(yan)(yan)電(dian)壓(ya)大小由數(shu)字電(dian)壓(ya)表指示(shi)(shi)。

整個系統的工作原理可參(can)看方框圖（圖一(yi)）。

四(si)、結(jie)構說(shuo)明

本(ben)儀器(qi)為(wei)標準機箱結構，儀器(qi)分前面板(ban)及后面板(ban)兩部(bu)分，各(ge)調(diao)節(jie)元件的位(wei)置及位(wei)置和功能見下圖(tu)說明。

1、4：長按改變門(men)窗的(de)位置

2、3：長(chang)按改變門窗的(de)寬度(du)

5：時(shi)鐘設置按鈕

6：按(an)(an)9號鍵鎖定(ding)后再按(an)(an)此鍵，即可打印試驗報告

7：分壓比設置按鈕

8：門開(kai)關(guan)，重復按可選(xuan)擇左右門

9：波形鎖(suo)定按鍵

10：橢圓旋轉按鈕

11：顯示方式按(an)鈕

12：取消按鈕

A、B、C通(tong)道選擇旋鈕與后(hou)面板A、B、C測(ce)量(liang)通(tong)道相(xiang)對應

備注(zhu)： 如(ru)需數據導出，步(bu)驟如(ru)下(xia)：

（1）在電(dian)腦上(shang)安裝好(hao)RS232通用串口線驅動。（驅動盤里有(you)安裝介紹(shao)）及局放試驗報告編(bian)輯器軟件(jian)。

（2）將串(chuan)口(kou)線和局放儀后面的數(shu)據(ju)接口(kou)連接好。   

（3）將需要保存(cun)的(de)波形鎖定然后點(dian)擊 局放(fang)試驗報(bao)告編輯器

（4）點擊(ji)(ji)Start鍵(jian)生成鎖定后的(de)數據，然后點擊(ji)(ji)測試報(bao)告如下圖所示：

（5）點擊(ji)測試報告后(hou)則會出現局(ju)放(fang)試驗報告編(bian)輯器可以根據需要填寫(xie)上面的內(nei)容。

（6）填寫好(hao)表格后點擊生(sheng)成報告數(shu)據(ju)會以(yi)Word文檔的形(xing)式(shi)出(chu)現，再將數(shu)據(ju)保存至電腦，如下(xia)圖所示(shi)：

第五章  操作說明

1、試驗準備：將(jiang)機器后面板的(de)(de)三個開關(guan)(guan)都置于“關(guan)(guan)”的(de)(de)狀態

（1）檢(jian)查試(shi)驗場(chang)地(di)的接(jie)地(di)情(qing)況，將本儀器(qi)后部的接(jie)地(di)螺栓用粗銅(tong)(tong)線（*好用編(bian)制銅(tong)(tong)帶）與試(shi)驗場(chang)地(di)的接(jie)地(di)妥善(shan)相接(jie)，輸入單元的接(jie)地(di)短(duan)路片也(ye)要妥善(shan)接(jie)地(di)。

（2）根椐(ju)試(shi)品電容Ca，藕合電容Ck的大小，選取合適(shi)序號(hao)的輸入(ru)單元（表(biao)一），表(biao)一中調諧電容量是指從(cong)輸入(ru)單元初級繞組兩端看(kan)到的電容（按(an)Cx和Ck的串聯值粗(cu)略估算）。

輸(shu)(shu)入(ru)單(dan)元(yuan)應盡(jin)量靠近(jin)被測試品，輸(shu)(shu)入(ru)單(dan)元(yuan)插座(zuo)經8米(mi)長電纜(lan)與后面板上輸(shu)(shu)入(ru)插座(zuo)相接。

（3）試品接(jie)入輸入單元的方法主要有以下幾種：

圖中：Ca——試品    Ck——藕合電容  &nbsp; Z——阻(zu)塞阻(zu)抗  R3、C3、R4、C4——橋式接法中平(ping)衡調節(jie)阻(zu)抗。

（4）在高壓端接上電(dian)壓表電(dian)阻或電(dian)容分壓器，其輸(shu)出經測量電(dian)纜接到后面板試驗電(dian)壓輸(shu)入插(cha)座30。

（5）在未加(jia)試驗電壓的情況下，將JF-2006校正脈(mo)沖(chong)發生器的輸出接試品兩(liang)端。

2、使用步(bu)驟(zou)

（1）開機準備：將時基顯示方(fang)式置于“橢圓(yuan)”。

（2）放(fang)電(dian)量(liang)的校(xiao)正(zheng)：按圖接好線后，在未加(jia)試驗電(dian)壓之(zhi)前用(yong)LJF-2006校(xiao)正(zheng)脈沖發生器予以校(xiao)正(zheng)。

注意：方(fang)波(bo)測量(liang)盒應盡(jin)量(liang)靠近試品的高壓(ya)端(duan)。紅端(duan)子(zi)引(yin)線接高壓(ya)端(duan)。

然后調(diao)(diao)(diao)節放大器增益調(diao)(diao)(diao)節，使(shi)該注入脈沖高度適當(dang)（示波屏上高度2cm以(yi)下），使(shi)數字表讀數值與注入的(de)已知電量相符。調(diao)(diao)(diao)定(ding)后放大器細(xi)調(diao)(diao)(diao)旋鈕的(de)位置不能再(zai)改(gai)變(bian)，需(xu)保持與校正時相同(tong)。

校(xiao)正完成后(hou)必須去掉校(xiao)正方(fang)波發生器與試驗回路(lu)的連接。

（3）測試操作：

第六章  抗干擾措施和局部放電圖譜簡介(jie)

對(dui)于局(ju)部放電實驗我們*怕的(de)就是干擾(rao)，下面簡(jian)單(dan)介紹一(yi)下實驗中(zhong)可能遇到的(de)干擾(rao)以及抗干擾(rao)的(de)方法：

測(ce)量的干擾分類

干擾(rao)有來自(zi)(zi)電網的和(he)來自(zi)(zi)空間的。按(an)表(biao)現形式(shi)分又分為固(gu)定的和(he)移(yi)動(dong)的。主要的干擾(rao)源有以(yi)下一些：

①懸浮電位物體(ti)放(fang)電，通過對地雜(za)散(san)電容(rong)耦合

②外部**電(dian)暈(yun)

③可控硅元件(jian)在鄰近運行

④繼(ji)電器(qi)，接觸器(qi)，輝光管等物品

⑤接觸**

⑥無線(xian)電(dian)干(gan)擾

⑦熒光燈干擾

⑧電(dian)動機干擾(rao)

⑨中(zhong)高頻工(gong)業(ye)設備(bei)

（二(er)）抗干擾方法

采用帶調壓(ya)器，隔離變壓(ya)器和濾波器的控制電源

設置屏蔽室，可只屏蔽試驗回路(lu)部分(fen)

可(ke)靠的單(dan)點接地(di)(di)，將試驗回路系(xi)統設計成單(dan)點接地(di)(di)結構，接地(di)(di)電阻要小，接地(di)(di)點要與一般(ban)試驗室的地(di)(di)網及電力網中線分開。

采用(yong)高(gao)壓濾波器

用平衡(heng)法或(huo)橋式試驗電路

利用(yong)時間窗，使固定相位干擾處(chu)于亮窗之外

采(cai)用較窄頻(pin)(pin)帶，或用頻(pin)(pin)帶躲開(kai)干擾大(da)的頻(pin)(pin)率范圍

在高壓端加(jia)裝高壓屏蔽罩或半導體橡膠帽以防電暈干擾

試驗電路遠離周圍物(wu)體，尤其是懸浮(fu)的金(jin)屬(shu)固體！

（三）初(chu)做實驗者對波(bo)形辨認還是有一定困難(nan)的，下面就簡單介紹一     放電類(lei)型(xing)和(he)干擾的初(chu)步辯認(ren)：

1． 典型(xing)的(de)內部(bu)氣泡放電的(de)波形特點(dian)：(圖 5—01)

A．放(fang)電(dian)主要(yao)顯示(shi)在試驗電(dian)壓由零(ling)升到峰值的兩個橢圓象限內。

B．在(zai)起始電壓Ui時，放電通常發生在峰值附近，試(shi)驗(yan)電壓超過Ui時，放電向(xiang)零(ling)相位延(yan)伸。

C．兩(liang)個相(xiang)反(fan)半周上放電次數(shu)和幅值大致(zhi)相(xiang)同（*大相(xiang)差至(zhi)3：1）。

D．放電波(bo)形(xing)可(ke)辯。

E．q與試驗電(dian)壓關系不大，但放電(dian)重復率(lv)n隨試(shi)驗電壓(ya)上升而加大。

F．局部放電起始電壓Ui和熄滅電壓(ya)Ue基本相(xiang)等。

G．放電(dian)量q與(yu)時間關系(xi)不大。

H．如果(guo)(guo)放(fang)電(dian)量(liang)隨試驗電(dian)壓上升(sheng)而增大(da)，并且(qie)放(fang)電(dian)波形變得模糊不可分(fen)辨，則(ze)往往是介質內含有多種大(da)小氣(qi)泡，或是介質表面放(fang)電(dian)。如果(guo)(guo)除了上述情況，而且(qie)放(fang)電(dian)幅值(zhi)隨加壓時間而迅速增長(chang)（可達100倍或更多(duo)），則往(wang)往(wang)是(shi)絕緣液體中的氣泡放電，典型(xing)例子是(shi)油浸紙電容器的放電。

2． 金屬與介質間氣泡的放(fang)電波形特(te)點：            &nbsp;  

正半(ban)周(zhou)有許(xu)多幅值小的放電(dian)，負(fu)半(ban)周(zhou)有很少(shao)幅值大的放電(dian)。幅值相差可達10﹕1，其他同上(shang)。

典型例子(zi)：絕緣與(yu)導(dao)體粘(zhan)附**的(de)聚乙烯電纜(lan)的(de)放(fang)電。q與(yu)試驗電壓關系不(bu)大。（圖 5—02）

如果隨試驗電(dian)(dian)壓升高，放(fang)電(dian)(dian)幅值也增大(da)，而且放(fang)電(dian)(dian)波形變得模糊(hu)，則往(wang)往(wang)是含有不同大(da)小多個氣泡，或是外露的(de)金屬與介質(zhi)表(biao)面之間出(chu)現的(de)表(biao)面放(fang)電(dian)(dian)。（圖 5—03）

（四）下面介紹一些(xie)主要(yao)視(shi)為(wei)干擾或非正常放(fang)電(dian)的情況：

（1）懸浮(fu)電位物體放電波形特點：

在電壓峰值(zhi)(zhi)前的(de)正負半周兩個(ge)象限里(li)出(chu)(chu)現(xian)幅值(zhi)(zhi)。脈沖(chong)數(shu)和(he)位置均相(xiang)同，成對出(chu)(chu)現(xian)。放(fang)電可移動，但它(ta)們間的(de)相(xiang)互間隔(ge)不變，電壓升高時(shi)，根數(shu)增加，間隔(ge)縮小(xiao)，但幅值(zhi)(zhi)不變。有時(shi)電壓升到(dao)一定值(zhi)(zhi)時(shi)會消失，但降至(zhi)此(ci)值(zhi)(zhi)又重新出(chu)(chu)現(xian)。

原因(yin)：金屬間的間隙(xi)產生(sheng)的放電，間隙(xi)可能(neng)是(shi)地面上兩個(ge)獨立的金屬體間（通(tong)過雜(za)散(san)電容耦(ou)合(he)）也可能(neng)在(zai)樣品內，例如屏蔽松散(san)。

（2）外部**電暈(yun)放電波(bo)形特點：

起始放電僅出現在(zai)試驗(yan)電壓的(de)一個半周(zhou)上，并對(dui)稱地(di)分布(bu)在(zai)峰值(zhi)(zhi)兩側。試驗(yan)電壓升高時，放電脈沖數急(ji)劇增加，但幅值(zhi)(zhi)不變，并向(xiang)兩側伸展。

原因：空氣中高(gao)壓(ya)**或(huo)邊緣放電(dian)(dian)。如(ru)果放電(dian)(dian)出現在負半(ban)周(zhou)，表示**處(chu)于高(gao)壓(ya)，如(ru)果放電(dian)(dian)出現在正半(ban)周(zhou)則**處(chu)于地電(dian)(dian)位。

（3）液體介(jie)質中的(de)**電暈(yun)放電波形特點：

放(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)出現(xian)在兩個半周上，對稱(cheng)地(di)分布在峰值(zhi)(zhi)(zhi)兩側。每一組(zu)放(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)均為等(deng)(deng)間隔，但一組(zu)幅值(zhi)(zhi)(zhi)較大的放(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)先出現(xian)，隨試驗電(dian)(dian)(dian)壓升高而幅值(zhi)(zhi)(zhi)增(zeng)大，不一定(ding)等(deng)(deng)幅值(zhi)(zhi)(zhi)；一組(zu)幅值(zhi)(zhi)(zhi)小的放(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)幅值(zhi)(zhi)(zhi)相(xiang)等(deng)(deng)，并且(qie)不隨電(dian)(dian)(dian)壓變化(hua)。

原因：絕緣液體(ti)中**或邊緣放電。如一組(zu)大(da)的放電出現在正(zheng)半周，則**處(chu)于高壓；如出現在負半周，則**地(di)電位。

（4）接觸**的干擾(rao)圖形。

波形特點：對稱(cheng)地分布在(zai)(zai)實驗(yan)電(dian)(dian)壓零(ling)點兩側，幅值(zhi)大(da)致(zhi)不(bu)(bu)變，但在(zai)(zai)實驗(yan)電(dian)(dian)壓峰值(zhi)附近(jin)下降為零(ling)。波形粗糙不(bu)(bu)清晰，低電(dian)(dian)壓下即出現。電(dian)(dian)壓升高(gao)時，幅值(zhi)緩慢增加(jia)，有時在(zai)(zai)電(dian)(dian)壓達(da)到一定值(zhi)后(hou)會完全消(xiao)失(shi)。

原因：實驗回路中金屬與金屬**接(jie)觸的連接(jie)點；塑料電纜(lan)屏(ping)蔽(bi)層半導體(ti)粒子的**接(jie)觸；電容器鋁(lv)箔的插接(jie)片等（可將電容器充(chong)電然后短路(lu)來消除(chu)）。               

（5）可控硅元(yuan)件的干擾(rao)圖形。

波(bo)形特點：位(wei)置固(gu)定(ding)，每只元件產(chan)生(sheng)一個獨(du)立訊(xun)號。電路接通(tong)，電磁(ci)耦合效應(ying)增(zeng)(zeng)強時訊(xun)號幅值增(zeng)(zeng)加，試驗(yan)調(diao)壓時，該脈沖訊(xun)號會發生(sheng)高(gao)頻波(bo)形展寬，從而(er)占位(wei)增(zeng)(zeng)加。

原因：鄰(lin)近有可控(kong)硅元件在運行。

（6）繼(ji)電器(qi)、接觸(chu)器(qi)、輝光管等動作的干擾。

波形特(te)點：分布不規(gui)則或間斷(duan)出現，同試驗電壓無(wu)關。

原因：熱繼電器(qi)、接(jie)觸器(qi)和各種火(huo)花試驗器(qi)及有火(huo)花放(fang)電的記錄器(qi)動作時產(chan)生。

（7）熒(ying)光燈的干(gan)擾圖形(xing)。

波形特點：欄(lan)柵狀，幅值大(da)致相同的(de)脈沖(chong)，伴有(you)正負半波對稱出現的(de)兩(liang)簇脈沖(chong)組(zu)。

原(yuan)因：熒(ying)光燈照明                                            ;      &nbsp;                                  

（8）無線電(dian)干擾的干擾圖形。

波(bo)形特(te)點：幅值有調制的高頻正弦波(bo)，同試驗電壓無關。

原因(yin)：無線電(dian)話、廣播話筒(tong)、載(zai)波通訊等。

（9）電動機(ji)干擾的干擾圖(tu)形（圖(tu)5—12）

波(bo)形(xing)特點：放(fang)電波(bo)形(xing)沿橢圓(yuan)基線均勻(yun)分(fen)布，每個(ge)單個(ge)訊號呈“山(shan)”字形(xing)。

原因：帶換向器(qi)的(de)電(dian)動機，如電(dian)扇、電(dian)吹風運轉時(shi)的(de)干擾。

（10）中(zhong)高頻工業設備的干擾圖形。

波形特(te)點(dian)：連續(xu)發生，僅出現在(zai)電源波形的(de)半周內。

原因：感(gan)應加熱裝置和頻(pin)率接(jie)近(jin)檢測頻(pin)率的(de)超聲波(bo)發生器(qi)等。

（11）鐵芯磁飽和諧波(bo)的(de)干(gan)擾圖形（圖5—14）

波形特點：較(jiao)低頻率的諧波振(zhen)蕩，出現在兩個半周上，幅值隨試(shi)驗電壓(ya)升高而增大，不加電壓(ya)時消(xiao)失，有重(zhong)現性(xing)。

原因：試驗系統各(ge)種(zhong)鐵芯設備（試驗變壓(ya)器、濾波電抗器、隔離變壓(ya)器等）磁飽和產生的諧振(zhen)。    &nbsp;                            

（12）電極在電場方向(xiang)機(ji)械移動的干擾圖形。

波形特(te)點：僅在試驗(yan)電壓(ya)的(de)半周（正(zheng)或負）上(shang)出現的(de)與峰(feng)(feng)值對稱的(de)兩(liang)個放(fang)電響應，幅值相等(deng)，而脈(mo)沖(chong)方向(xiang)相反，起始電壓(ya)時兩(liang)個脈(mo)沖(chong)在峰(feng)(feng)值處(chu)靠得很近(jin)，電壓(ya)升(sheng)高時逐漸分開(kai)，并可能產(chan)生新的(de)脈(mo)沖(chong)訊(xun)號對。

原因：電(dian)極(ji)的部分（尤其是金屬箔電(dian)極(ji)）在電(dian)場作用下運動。                        &nbsp; 

（14）漏電(dian)痕(hen)跡和樹枝放(fang)電(dian)

波(bo)(bo)形(xing)(xing)特(te)點：放電訊號波(bo)(bo)形(xing)(xing)與(yu)一般典型(xing)圖(tu)象均不符合，波(bo)(bo)形(xing)(xing)不規則不確定。

原因：玷污了的絕(jue)(jue)緣上漏電或絕(jue)(jue)緣局部過熱(re)而致的碳(tan)化痕跡或樹(shu)枝通道。

在(zai)放電(dian)(dian)測試(shi)(shi)中必(bi)須保證測試(shi)(shi)回路中其它元件（試(shi)(shi)驗(yan)變壓器、阻(zu)(zu)塞線(xian)圈(quan)、耦(ou)合電(dian)(dian)容器、電(dian)(dian)壓表電(dian)(dian)阻(zu)(zu)等）均不放電(dian)(dian)，常用的辦法是用與試(shi)(shi)品電(dian)(dian)容數量級相同的無放電(dian)(dian)電(dian)(dian)容或絕緣結構取代試(shi)(shi)品試(shi)(shi)驗(yan)，看(kan)看(kan)有(you)無放電(dian)(dian)。

了解了各種放(fang)電類(lei)型的波形特征，來(lai)源以及識別干擾(rao)(rao)后就可按具體情況(kuang)采取(qu)措施排除干擾(rao)(rao)和正確地進行放(fang)電測量了。

第(di)七(qi)章     局部放(fang)電測試當中應該注意的問題

實驗前，試品(pin)的(de)絕緣表(biao)面（尤其(qi)是(shi)高壓端）應作清潔化處(chu)理

2、   各連接(jie)點應(ying)接(jie)觸良好，尤其(qi)是高(gao)壓(ya)端不要留下(xia)尖(jian)銳的接(jie)點，高(gao)壓(ya)導(dao)線應(ying)盡可能粗以(yi)防電(dian)暈，可用蛇(she)皮管。

輸入單元(yuan)要盡量靠近試品，而且接(jie)地(di)要可(ke)靠，接(jie)地(di)線*好用編織銅(tong)帶(dai)。主機也須接地，以保證**。

試(shi)驗回(hui)路盡可能緊(jin)湊。即高壓連線盡可能短，試(shi)驗回(hui)路所圍面 積盡可能小。

在(zai)進(jin)行(xing)110KV及以上等(deng)級(ji)的局(ju)放試驗時(shi)，試品周(zhou)圍的懸浮金屬物體應妥善接地。

考(kao)慮(lv)到(dao)油浸式試品(pin)局部放電存在(zai)滯(zhi)后效(xiao)應，因此在(zai)局放試驗前(qian)幾小時(shi)，不要對試(shi)品施加超過局(ju)部放電試(shi)驗電壓(ya)的(de)高電壓(ya)。

第八章  附(fu)件

1、專用測(ce)量電纜線6米         2根(gen)

2、電源線  &nbsp;   ;               1根

3、1.0A保險(xian)絲      &nbsp;          4根(gen)

4、使用(yong)說明書     &nbsp;           1份(fen)

WBJF-2020校正脈沖發(fa)生器使(shi)用說明

用途(tu)與(yu)適用范圍：

WBJF-2020校正(zheng)脈(mo)沖(chong)發(fa)生器(qi)是一個小型的廉價(jia)的電(dian)池供電(dian)的局部(bu)放電(dian)校正(zheng)器(qi)，它適用于需要(yao)攜帶和使用靈活的場(chang)合。

主要規格及技術(shu)參數：

輸(shu)出電荷量：5PC  50PC  100PC  500PC

上升時間：<100ns

衰減時(shi)間：>100us

極(ji)性：正、負極(ji)性

重復(fu)頻率：1KHz

頻率變化(hua)：>±100Hz

尺寸：160×120×50mm

重量：0.5Kg

電(dian)池：6F22  9V

操作與作用：

首先打開WBJF-2020校正(zheng)脈沖(chong)發(fa)生器后(hou)蓋板(ban)，裝入(ru)電池，蓋好(hao)蓋板(ban)。將(jiang)輸出(chu)紅黑兩個端子接上(shang)導線(xian)，紅端子上(shang)的(de)導線(xian)盡量且靠近試品的(de)高(gao)壓端，黑端導線(xian)接試品和低壓端，將(jiang)校正(zheng)電量開關置于(yu)合(he)適(shi)的(de)位置，即(ji)可校正(zheng)，頻率可在1KHz附近調(diao)節，面板上電(dian)壓表指(zhi)示機內電(dian)源(yuan)的情(qing)況，一(yi)般指(zhi)示8V以上才能保證工作，低于(yu)8V則(ze)需調(diao)換電池(chi)。

校正(zheng)后切記(ji)將校正(zheng)脈沖(chong)發(fa)生器取下！