**章(zhang) WBTCD-9308智能局放儀局放理論(lun)概述(shu)

在(zai)開始我(wo)們的實(shi)驗以前，我(wo)們首先應該對局(ju)部放電(dian)(dian)有(you)(you)(you)個(ge)初步的了解，為什么要測量(liang)(liang)局(ju)部放電(dian)(dian)？局(ju)部放電(dian)(dian)有(you)(you)(you)什么危害？怎樣準確測量(liang)(liang)局(ju)部放電(dian)(dian)？有(you)(you)(you)了上述理(li)論基礎可以幫助我(wo)們理(li)解測量(liang)(liang)過程中的正(zheng)確操作。

一、局(ju)部放(fang)電的定義及產(chan)生原因(yin)

在(zai)電(dian)(dian)(dian)(dian)場作用下，絕緣(yuan)(yuan)系統中只(zhi)有(you)部(bu)分(fen)區(qu)域發(fa)(fa)生(sheng)放(fang)(fang)(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)(dian)，但尚未(wei)擊穿，（即在(zai)施(shi)加電(dian)(dian)(dian)(dian)壓的(de)導(dao)體(ti)之(zhi)間沒有(you)擊穿）。這(zhe)種(zhong)現象稱之(zhi)為(wei)局部(bu)放(fang)(fang)(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)(dian)。局部(bu)放(fang)(fang)(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)(dian)可能發(fa)(fa)生(sheng)在(zai)導(dao)體(ti)邊上，也(ye)可能發(fa)(fa)生(sheng)在(zai)絕緣(yuan)(yuan)體(ti)的(de)表面(mian)上和內(nei)部(bu)，發(fa)(fa)生(sheng)在(zai)表面(mian)的(de)稱為(wei)表面(mian)局部(bu)放(fang)(fang)(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)(dian)。發(fa)(fa)生(sheng)在(zai)內(nei)部(bu)的(de)稱為(wei)內(nei)部(bu)局部(bu)放(fang)(fang)(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)(dian)。而對于(yu)被氣(qi)體(ti)包圍的(de)導(dao)體(ti)附近(jin)發(fa)(fa)生(sheng)的(de)局部(bu)放(fang)(fang)(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)(dian)，稱之(zhi)為(wei)電(dian)(dian)(dian)(dian)暈。由此 總結一下局部(bu)放(fang)(fang)(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)(dian)的(de)定義，指部(bu)分(fen)的(de)橋接導(dao)體(ti)間絕緣(yuan)(yuan)的(de)一種(zhong)電(dian)(dian)(dian)(dian)氣(qi)放(fang)(fang)(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)(dian)，局部(bu)放(fang)(fang)(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)(dian)產(chan)生(sheng)原因主要有(you)以下幾種(zhong)：

電場不均勻。

電(dian)介質不均(jun)勻。

制造過程(cheng)的氣(qi)泡或雜質。*經常發生放電的原因是絕(jue)緣體內部或表面存在氣(qi)泡；其次是有(you)些設備(bei)的運行過程(cheng)中(zhong)會發生熱脹冷(leng)縮,不同材料特別是導體與介質(zhi)的(de)膨脹系數不同，也會(hui)逐漸(jian)出(chu)現(xian)裂縫；再有一些是在(zai)運(yun)行過程中(zhong)有機高分子(zi)的(de)老化，分解出(chu)各(ge)種揮發(fa)物(wu)，在(zai)高場(chang)強的(de)作用下，電荷(he)不斷地由導體進入介質(zhi)中(zhong)， 在(zai)注入點(dian)上就會(hui)使介質(zhi)氣(qi)化。

二 、WBTCD-9308智能局放(fang)儀局部放電的模擬(ni)電路及放電過程(cheng)簡介

介質內(nei)(nei)部含(han)有氣(qi)泡，在交流電壓下產生的(de)內(nei)(nei)部放電特性可由圖1—1的模擬電(dian)路(lu)(a b c等值電(dian)路)予以(yi)表(biao)示；其(qi)中Cc是模擬介質中產生放電間隙(xi)(如氣泡(pao))的電容；Cb代表與Cc串(chuan)聯部分介質的合成電容(rong)；Ca表示(shi)其余部分介(jie)質的(de)電容。

I——介(jie)質有缺陷(xian)(氣泡)的(de)部份(虛(xu)線表示)

II——介質無缺陷部(bu)份

圖1—1  表示具(ju)有內部放電的模擬電路

圖1—1中以并聯有—對火花間(jian)隙的電(dian)容Cc來模擬產生局部(bu)放(fang)電的內(nei)部(bu)氣泡。圖1—2表示了在交(jiao)流電(dian)(dian)壓下局部放電(dian)(dian)的發(fa)生過程。

U(t)一一外施交流電(dian)壓

Uc(t)一(yi)一(yi)氣泡不擊穿時在(zai)氣泡上的(de)電壓

Uc’(t)一(yi)一(yi)有局部放(fang)電時氣泡上的(de)實際電壓

Vc一(yi)一(yi)氣泡(pao)的擊穿電壓

Y r一一氣泡的殘余電(dian)壓(ya)   

Us—局部放電(dian)起始電(dian)壓(瞬時值)

Ur一一與氣泡殘余電壓v r對應的(de)外施電壓

Ir一一氣(qi)泡中的放電電流

電極間總(zong)電容(rong)Cx=Ca＋(Cb×Cc)/(Cb＋Cc)=Ca電極間施(shi)加(jia)交流電壓(ya) u(t)時，氣泡電容Cc上(shang)對(dui)應的電壓為Uc(t)。如(ru)圖2—1所示，此時的Uc(t)所(suo)代(dai)表的是氣泡理想(xiang)狀(zhuang)態下的電壓(ya)（既(ji)氣泡不發生擊穿(chuan)）。

Uc(t)=U(t)×Cb/Cc＋Cb

外施電壓(ya)U(t)上升時，氣泡上電壓Uc(t)也上(shang)升，當U(t)上升到Us時，氣泡上電壓Uc達到氣泡擊穿電壓,氣(qi)(qi)泡(pao)擊穿，產(chan)生大量的正、負離子，在電(dian)場作用下各自(zi)遷移到(dao)氣(qi)(qi)泡(pao)上(shang)下壁，形(xing)成(cheng)空(kong)間(jian)電(dian)菏，建(jian)立反電(dian)場，削弱了氣(qi)(qi)泡(pao)內的總電(dian)場強度(du)，使放(fang)電(dian)熄滅，氣(qi)(qi)泡(pao)又恢復(fu)絕(jue)緣(yuan)性能。這樣的一次(ci)放(fang)電(dian)持續時間(jian)是極短暫的，對(dui)一般的空(kong)氣(qi)(qi)氣(qi)(qi)泡(pao)來說，大約只有幾(ji)個毫(hao)微秒(10的負8次方(fang)到10的負9次方秒(miao))。所(suo)以(yi)電壓Uc(t)幾乎瞬間地從Vc降到(dao)Vr，Vr是殘余(yu)電壓；而氣泡上電壓Uc‘(t)將(jiang)隨U(t)的增(zeng)大而繼(ji)續由(you)Vr升高(gao)到Vc時，氣泡再—次擊穿，發生又—次局部(bu)放電，但此時相應的外施(shi)電壓(ya)比Us小(xiao)，為(Us-Ur)，這(zhe)是因為氣泡上有殘余電壓Vr的內電場作用的結果。Vr是與氣泡(pao)殘余(yu)電壓Yr相應的外施電壓(ya)，如此(ci)反(fan)復上述過程，即外施電壓(ya)每(mei)增加(Us-Ur)，就(jiu)產生(sheng)一次局部放電．直到(dao)前—次(ci)放電熄滅后，Uc’(t)上升到峰值時共增量不足(zu)以達Vc(相當于外施電壓的增(zeng)量Δ比(Us-Ur)小)為止。

此后，隨著外施電壓U(t)經過峰值Um后(hou)減小，外(wai)施電(dian)(dian)壓在(zai)氣泡(pao)中(zhong)建立反(fan)方向電(dian)(dian)場(chang)(chang)，由于氣泡(pao)中(zhong)殘存的內電(dian)(dian)場(chang)(chang)電(dian)(dian)壓方向與外(wai)電(dian)(dian)場(chang)(chang)方向相反(fan)，故(gu)外(wai)施電(dian)(dian)壓須經(Us+Ur))的電壓變(bian)化，才能使(shi)氣泡上的電壓達(da)到(dao)擊穿電壓Vc，(假定正(zheng)、負方向擊穿(chuan)電壓Vc相等)，產生一次局(ju)部放(fang)電(dian)。放(fang)電(dian)很快熄滅(mie)，氣泡中電(dian)壓瞬時降到(dao)殘余電(dian)壓Vr(也(ye)假(jia)定(ding)正(zheng)、負方向相(xiang)同)。外施電壓繼續下(xia)降，當(dang)再(zai)下(xia)降(Us-Ur)時，氣泡電壓(ya)就又達到Vc從而又產生(sheng)一次局部放電(dian)。如此(ci)重復(fu)上述過(guo)程(cheng)，直到外(wai)施電(dian)壓(ya)升(sheng)到反向(xiang)蜂值一Um的增量Δ不足以達到(Us-Ur)為止。外施(shi)電壓經(jing)過一Um峰值后，氣泡(pao)上的(de)外(wai)電場方向又變為正方向，與氣泡(pao)殘(can)余(yu)電壓方向相反，故外(wai)施電壓又須上升(Us+Ur)產生第—次(ci)放(fang)電(dian)，熄滅后，每經過Us—Ur的(de)電壓(ya)上升就(jiu)產生一(yi)次(ci)放電，重復前面所介紹(shao)的(de)過程(cheng)。如圖1—2所示。

由以上(shang)局(ju)(ju)(ju)部(bu)(bu)放(fang)電(dian)(dian)過程分析(xi)，同(tong)時根據局(ju)(ju)(ju)部(bu)(bu)放(fang)電(dian)(dian)的(de)特點（同(tong)種試(shi)品，同(tong)樣的(de)環境下，電(dian)(dian)壓越高局(ju)(ju)(ju)部(bu)(bu)放(fang)電(dian)(dian)量越大）可以知道：一(yi)般(ban)情況下，同(tong)一(yi)試(shi)品在一(yi)、三(san)(san)象(xiang)(xiang)(xiang)限的(de)局(ju)(ju)(ju)部(bu)(bu)放(fang)電(dian)(dian)量大于二、四象(xiang)(xiang)(xiang)限的(de)局(ju)(ju)(ju)部(bu)(bu)放(fang)電(dian)(dian)量。那是(shi)因為它們(men)是(shi)電(dian)(dian)壓的(de)上(shang)升沿。（第三(san)(san)象(xiang)(xiang)(xiang)限是(shi)電(dian)(dian)壓負的(de)上(shang)升沿）。這就是(shi)我們(men)測量中為什么把時間窗刻(ke)意擺(bai)在一(yi)、三(san)(san)象(xiang)(xiang)(xiang)限的(de)原因。

三、WBTCD-9308智能局放(fang)儀局部(bu)放電的測(ce)量原理：

四、WBTCD-9308智能局放儀局(ju)部放(fang)電的表征參數

局(ju)部(bu)放電是比較復(fu)雜(za)的(de)(de)物理現象，必須通過多種表征參數(shu)(shu)才(cai)能(neng)**的(de)(de)描繪其狀態，同時局(ju)部(bu)放電對絕緣破(po)壞的(de)(de)機理也是很復(fu)雜(za)的(de)(de)，也需要(yao)通過不同的(de)(de)參數(shu)(shu)來評定它對絕緣的(de)(de)損害，目(mu)前我(wo)們只關心兩個(ge)基本參數(shu)(shu)。

視在放(fang)電電荷——在(zai)絕緣(yuan)體中發生局部放電時，絕緣(yuan)體上(shang)施(shi)加(jia)電壓的兩端出現的脈動電荷(he)稱(cheng)之為視在(zai)放電電荷(he)，單位用皮庫（pc）表示(shi)，通常(chang)以(yi)穩定出現(xian)的*大視在(zai)放電電荷作為該試(shi)品的放電量。

放電重復率(lv)——在測量(liang)時(shi)間內每秒中出(chu)現(xian)的(de)放電次數的(de)平均(jun)值稱為放電重復(fu)率，單(dan)位為次/秒，放電重復率越高，對絕(jue)緣的損害越大。

**章  局放測試的試驗系統接線。

在了解(jie)了局部放(fang)電的基本(ben)理論(lun)之后，在本(ben)章我(wo)們(men)的重點轉(zhuan)向(xiang)實(shi)際操作(zuo)，我(wo)們(men)先(xian)介(jie)(jie)紹(shao)局部放(fang)電測試中常用的三種接法，隨(sui)后我(wo)們(men)再介(jie)(jie)紹(shao)整(zheng)個系(xi)統的接線(xian)電路，*后我(wo)們(men)再分別介(jie)(jie)紹(shao)幾種典(dian)型(xing)的試品的試驗線(xian)路。

一、局放電測試電路(lu)的三種基(ji)本接法(fa)及優缺(que)點(dian)。

（1）   標準試驗電路(lu)，又(you)稱并聯(lian)法。適合于必(bi)須(xu)接地的(de)試品。其缺點是高壓(ya)引線對(dui)地雜散電(dian)容并(bing)聯(lian)在 CX上(shang)，會降低測試(shi)靈敏度。

（2）接(jie)法的串聯法，其要求試品低壓端對地(di)浮置。其優點(dian)(dian)是(shi)變壓器入口(kou)電容(rong)、高壓線對(dui)地(di)雜散電容(rong)與耦合電容(rong)CK并聯，有(you)利于提高試驗靈敏度。缺(que)點(dian)(dian)是(shi)試樣損壞時會損壞輸入單元。

（3）平衡法(fa)試驗電(dian)(dian)(dian)路：要求兩個試品相接近(jin)，至少電(dian)(dian)(dian)容量為同(tong)一(yi)數量級其優點是(shi)(shi)外干擾強烈的(de)情況下，可取得較好抑制(zhi)干擾的(de)效果，并可消除變壓器雜(za)散電(dian)(dian)(dian)容的(de)影響，而(er)且可做大電(dian)(dian)(dian)容試驗。缺點是(shi)(shi)須要兩個相似的(de)試品，且當產生放(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)時(shi)，需設法(fa)判(pan)別是(shi)(shi)哪(na)個試品放(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)。

值得提出的是：由于現場試驗(yan)條(tiao)件的限制（找到兩個相似的試品且要保證一個試品無放電(dian)不太容易），所以在現場平衡法比較難實(shi)現，另外，由于采用串聯法(fa)時(shi)，如果試(shi)(shi)品擊穿，將會對(dui)設(she)備造成比較大的損害，所以出(chu)于對(dui)設(she)備保護的想法(fa)，在現場試(shi)(shi)驗(yan)時(shi)一般采用并聯法(fa)。

二、WBTCD-9308智能局放儀采用并聯法的(de)整個(ge)系統的(de)接(jie)線原理圖。

該系(xi)統(tong)采(cai)用(yong)脈沖電(dian)流(liu)法檢(jian)測(ce)(ce)(ce)(ce)高壓(ya)(ya)試(shi)(shi)(shi)品(pin)的(de)(de)局(ju)部(bu)(bu)放電(dian)量，由控制(zhi)臺控制(zhi)調壓(ya)(ya)器和變壓(ya)(ya)器在試(shi)(shi)(shi)品(pin)的(de)(de)高壓(ya)(ya)端產生(sheng)測(ce)(ce)(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)局(ju)放所需的(de)(de)預(yu)加電(dian)壓(ya)(ya)和測(ce)(ce)(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)電(dian)壓(ya)(ya)，通過(guo)無局(ju)放藕合電(dian)容器和檢(jian)測(ce)(ce)(ce)(ce)阻抗將局(ju)部(bu)(bu)放電(dian)信號取出(chu)并送至局(ju)部(bu)(bu)放電(dian)檢(jian)測(ce)(ce)(ce)(ce)儀(yi)顯示并判斷和測(ce)(ce)(ce)(ce)量。系(xi)統(tong)中的(de)(de)高壓(ya)(ya)電(dian)阻為了防止在測(ce)(ce)(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)過(guo)程中試(shi)(shi)(shi)品(pin)擊穿(chuan)而損壞其他設備，兩個(ge)電(dian)源(yuan)濾波器是將電(dian)源(yuan)的(de)(de)干(gan)擾(rao)和整(zheng)個(ge)測(ce)(ce)(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)系(xi)統(tong)分(fen)開，降低(di)整(zheng)個(ge)測(ce)(ce)(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)系(xi)統(tong)的(de)(de)背景干(gan)擾(rao)。

根據上(shang)述原(yuan)理圖可(ke)以看出(chu)，局部(bu)放電(dian)測(ce)試(shi)的靈(ling)敏(min)度(du)和(he)準確度(du)和(he)整個系統(tong)密切相關，要想順利和(he)準確的進行局部(bu)放電(dian)測(ce)試(shi)，就(jiu)必須將(jiang)整個系統(tong)考濾(lv)周到，包括系統(tong)的參數選取和(he)連接方(fang)式。另外，在現場試(shi)驗時，由于是驗證性(xing)試(shi)驗，高(gao)壓(ya)限流電(dian)阻(zu)可(ke)以省掉。

三、幾種典型(xing)試品(pin)的接線原理圖(tu)。

（1）電流(liu)互(hu)感(gan)器的局(ju)放(fang)測試接線原理圖(tu)

（2）電(dian)壓互感器的局(ju)放測試接(jie)線原理圖

A．工頻加(jia)壓方式接線原理圖

為了防止電(dian)壓(ya)(ya)(ya)互感(gan)器(qi)在(zai)(zai)工頻(pin)電(dian)壓(ya)(ya)(ya)下產生大的勵磁電(dian)流而損壞，高(gao)(gao)壓(ya)(ya)(ya)電(dian)壓(ya)(ya)(ya)互感(gan)器(qi)一(yi)般采取自(zi)激勵的加(jia)壓(ya)(ya)(ya)方(fang)式。在(zai)(zai)電(dian)壓(ya)(ya)(ya)互感(gan)器(qi)的低壓(ya)(ya)(ya)側加(jia)一(yi)倍(bei)頻(pin)電(dian)源，在(zai)(zai)電(dian)壓(ya)(ya)(ya)互感(gan)器(qi)的高(gao)(gao)壓(ya)(ya)(ya)端感(gan)應出高(gao)(gao)壓(ya)(ya)(ya)來進行局部放電(dian)實驗。這就是通常所說的三倍(bei)頻(pin)實驗。其接(jie)線原理圖如下：

(3)高(gao)壓電(dian)容器(qi).絕緣子(zi)的局放測(ce)試接線原理(li)圖(tu)

(4) 發(fa)電機的(de)局放測(ce)試(shi)接線原理圖

（5）變壓器的局部放電測試接線原理圖

我(wo)們僅(jin)僅(jin)是(shi)在原理(li)(li)性(xing)的總結了幾種(zhong)典型試品的接(jie)線原理(li)(li)圖(tu)，至于各種(zhong)試品的加壓(ya)方式和加壓(ya)值的多少(shao)，我(wo)們在做(zuo)試驗(yan)的時侯要嚴格(ge)遵守(shou)每種(zhong)試品的出廠檢驗(yan)標準(zhun)(zhun)或交接(jie)檢驗(yan)標準(zhun)(zhun)。

第三(san)章  概(gai)述

WBTCD-9308智能局部放電(dian)檢測儀(yi)是我公司*新推向市場的(de)(de)新一代數(shu)字(zi)智能儀(yi)器(qi)(qi)，該儀(yi)器(qi)(qi)在原有(you)產品WBJF-2010、JF-2020局放儀(yi)的(de)(de)基礎上采用(yong)嵌入(ru)式ARM系(xi)統作為(wei)中央處理(li)單元，控制12位分辨率(lv)(lv)的(de)(de)高(gao)速(su)模(mo)數(shu)轉換芯片進行(xing)數(shu)據采集，將采集到(dao)的(de)(de)數(shu)據存(cun)放在雙(shuang)端口RAM中。實(shi)現從模(mo)擬(ni)到(dao)數(shu)字(zi)的(de)(de)跨越。使用(yong)26萬色高(gao)分辨率(lv)(lv)TFT-LCD數(shu)字(zi)液晶顯示(shi)模(mo)組實(shi)時顯示(shi)放電(dian)脈沖(chong)波形(xing)，配備VGA接(jie)口，可(ke)外接(jie)顯示(shi)器(qi)(qi)。與傳統的(de)(de)模(mo)擬(ni)式示(shi)波管(guan)顯示(shi)局部放電(dian)檢測儀(yi)相比(bi)有(you)以下特(te)點(dian)：

1.彩色顯(xian)示器，雙色顯(xian)示波形，更清晰直觀；

2.可鎖定波形(xing)，更方(fang)便仔細查看放電波形(xing)細節；

3.自動測量并顯示試驗電源時基頻率，無需手(shou)動切換；

4.配(pei)備VGA接口，可(ke)外接大尺寸顯示器(qi)；

5.與示(shi)波管相比壽命更(geng)長。

6.具有波形鎖(suo)定(ding)、打印試驗(yan)報告功能

本儀器檢測靈(ling)敏度(du)高(gao)，試樣電(dian)容覆蓋范圍大，適(shi)用(yong)試品范圍廣，輸(shu)入單元(yuan)（檢測阻抗(kang)）配備齊全，頻帶組合(he)多（九種）。儀器經適(shi)當定標(biao)后能直讀(du)放(fang)電(dian)脈沖的(de)放(fang)電(dian)量。

本儀器是電力部門、制造廠家和(he)科研(yan)單位等廣(guang)泛(fan)使用的局部放(fang)電測試(shi)儀器。

第四章  主要技術(shu)指(zhi)標：

1．可測試品的(de)電容范圍： 6PF—250uF。

2．檢測靈敏度（見(jian)表一）：

表一

（1）低端：10KHZ、20KHZ、40KHZ任選。

（2）**：80KHZ、200KHZ、300KHZ任選(xuan)。

4、放大器增益(yi)調節：

粗調六(liu)檔，檔間(jian)增益(yi)20±1dB；細調范圍≥20dB。每檔之間(jian)數(shu)據為(wei)10倍(bei)關系：如(ru)第三檔檢測數(shu)據為(wei)98，則**檔顯(xian)示數(shu)據為(wei)9.8，如(ru)在第三檔檢測數(shu)據超(chao)過120，則應(ying)(ying)調至**檔來檢測數(shu)據，所得數(shu)據應(ying)(ying)乘以10才為(wei)實(shi)際測量(liang)值。

5、時間(jian)窗(chuang)：

（1）窗寬：可調范圍15°-175°；

（2）窗(chuang)位置(zhi)：每一窗(chuang)可旋轉0°- 180°；

（3）兩個時間窗可分別開或同(tong)時開。

6、放(fang)電量(liang)表：

0-100誤(wu)差<±3％（以滿(man)度計）。

7、橢圓時(shi)基：

（1）頻率：50HZ、或外部(bu)電源同步（任意(yi)頻率）

（2）橢圓旋轉：以30°為一檔，可(ke)作360°旋轉。

（3）顯(xian)示方式：橢圓—直線。

8、試(shi)驗(yan)電壓表：

精度(du)：優于(yu)±3％（以滿度(du)計(ji)）。

9、體(ti)積： 320×480×190（寬×深×高）mm³。

10、重量：約15Kg。

三、系統工作原理：

本機的(de)局部(bu)放電測(ce)試原理是高頻脈沖電流測(ce)量法（ERA法）。

試品Ca在(zai)(zai)試驗電(dian)(dian)(dian)壓下產生局部放(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)時，放(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)脈(mo)(mo)沖信(xin)號經藕合電(dian)(dian)(dian)容Ca送(song)入輸入單元，由輸入單元拾(shi)取(qu)到脈(mo)(mo)沖信(xin)號，經低噪(zao)聲前置放(fang)(fang)大(da)器(qi)放(fang)(fang)大(da)，濾(lv)波放(fang)(fang)大(da)器(qi)選擇所需頻(pin)帶及主放(fang)(fang)大(da)器(qi)放(fang)(fang)大(da)（達到所需幅值(zhi)與(yu)產生零標志脈(mo)(mo)沖）后，在(zai)(zai)示(shi)波屏(ping)的(de)橢圓(yuan)掃描基線上(shang)產生可見的(de)放(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)脈(mo)(mo)沖，同時也送(song)至脈(mo)(mo)沖峰值(zhi)表顯示(shi)其(qi)峰值(zhi)。

時(shi)間窗單元控制試驗電壓每一周期內(nei)脈沖(chong)峰值的(de)工作(zuo)時(shi)間，并在這段時(shi)間內(nei)將示(shi)波屏(ping)的(de)相(xiang)應顯示(shi)區(qu)加亮，用它可以排除固(gu)定相(xiang)位(wei)的(de)干擾。

試驗(yan)(yan)(yan)電(dian)(dian)壓(ya)表(biao)經電(dian)(dian)容(rong)分壓(ya)器產生試驗(yan)(yan)(yan)電(dian)(dian)壓(ya)過零標志訊號，在示波屏上顯示零標脈(mo)沖，橢圓時(shi)基(ji)上兩個(ge)零標脈(mo)沖，通過時(shi)間(jian)窗(chuang)的(de)寬(kuan)窄調(diao)節可確定試驗(yan)(yan)(yan)電(dian)(dian)壓(ya)的(de)相(xiang)位(wei)，試驗(yan)(yan)(yan)電(dian)(dian)壓(ya)大小由數字電(dian)(dian)壓(ya)表(biao)指(zhi)示。

整個系(xi)統的工(gong)作(zuo)原理可參看方框圖(tu)（圖(tu)一）。

四、結(jie)構說明(ming)

本儀器(qi)為(wei)標準(zhun)機箱(xiang)結構(gou)，儀器(qi)分(fen)前(qian)面(mian)(mian)板及(ji)后面(mian)(mian)板兩(liang)部分(fen)，各調節元件的位置及(ji)位置和功能(neng)見(jian)下圖說明(ming)。

1、4：長按改變門窗(chuang)的位置

2、3：長按改變門(men)窗(chuang)的寬(kuan)度

5：時鐘(zhong)設置(zhi)按鈕

6：按9號(hao)鍵鎖(suo)定(ding)后(hou)再按此鍵，即可打印(yin)試驗(yan)報告

7：分壓比設置按鈕

8：門開關，重復按可(ke)選(xuan)擇左(zuo)右門

9：波形(xing)鎖定按鍵

10：橢圓旋轉按鈕(niu)

11：顯示方式按鈕

12：取(qu)消(xiao)按鈕

A、B、C通(tong)道選擇旋(xuan)鈕與后面(mian)板A、B、C測(ce)量(liang)通(tong)道相對應(ying)

備(bei)注： 如(ru)需數據導出，步驟如(ru)下(xia)：

（1）在電腦上(shang)安裝好RS232通(tong)用串口線驅動(dong)。（驅動(dong)盤(pan)里有安裝介紹）及局放(fang)試驗報告編輯器軟件。

（2）將串(chuan)口(kou)線和局放(fang)儀后面的(de)數據接(jie)口(kou)連(lian)接(jie)好。   

（3）將需要保存的波(bo)形鎖定然后(hou)點擊 局放試驗(yan)報告編輯器

（4）點擊Start鍵生成鎖定后(hou)的數據，然后(hou)點擊測試報告如下圖(tu)所示(shi)：

（5）點擊(ji)測試(shi)(shi)報告后則會出現局放試(shi)(shi)驗(yan)報告編輯器可以(yi)根據需要(yao)填寫上面的內容。

（6）填寫好表格后點擊生成報(bao)告數據會以Word文檔的(de)形式出(chu)現(xian)，再將數據保存至電腦，如下圖所(suo)示：

第五章  操作說明

1、試驗準備：將機器后(hou)面板(ban)的三個開關都置于“關”的狀態

（1）檢查試(shi)驗場地(di)(di)的接(jie)地(di)(di)情況，將本(ben)儀器后部(bu)的接(jie)地(di)(di)螺栓(shuan)用(yong)粗銅線（*好用(yong)編制銅帶）與試(shi)驗場地(di)(di)的接(jie)地(di)(di)妥善相接(jie)，輸入單元(yuan)的接(jie)地(di)(di)短路片(pian)也要妥善接(jie)地(di)(di)。

（2）根椐試品(pin)電容(rong)Ca，藕合(he)電容(rong)Ck的(de)大小，選取合(he)適序號(hao)的(de)輸入(ru)單(dan)元(yuan)（表一），表一中調諧電容(rong)量(liang)是(shi)指(zhi)從輸入(ru)單(dan)元(yuan)初級繞組兩端看(kan)到(dao)的(de)電容(rong)（按Cx和(he)Ck的(de)串聯值粗(cu)略估算）。

輸入單元應盡量靠近被測試(shi)品，輸入單元插座經(jing)8米長電(dian)纜與后面板上輸入插座相接。

（3）試(shi)品接入輸入單(dan)元的方法主(zhu)要有(you)以下幾種：

圖中(zhong)：Ca——試品    Ck——藕合電容    Z——阻(zu)塞阻(zu)抗(kang) &nbsp;R3、C3、R4、C4——橋式接法中(zhong)平衡(heng)調節阻(zu)抗(kang)。

（4）在(zai)高壓(ya)(ya)端接上電(dian)(dian)壓(ya)(ya)表電(dian)(dian)阻或電(dian)(dian)容分壓(ya)(ya)器，其輸出經測量電(dian)(dian)纜接到后面(mian)板試驗(yan)電(dian)(dian)壓(ya)(ya)輸入(ru)插(cha)座30。

（5）在(zai)未加試驗電壓(ya)的情況下(xia)，將JF-2006校正脈沖發生器(qi)的輸(shu)出接試品兩端。

2、使(shi)用步驟

（1）開機準備：將時基顯示方式(shi)置于(yu)“橢(tuo)圓(yuan)”。

（2）放電(dian)量(liang)的校(xiao)(xiao)正：按圖接好(hao)線后，在未加試驗電(dian)壓之(zhi)前用LJF-2006校(xiao)(xiao)正脈沖發(fa)生器予以校(xiao)(xiao)正。

注意：方波(bo)測量(liang)(liang)盒應盡(jin)量(liang)(liang)靠(kao)近試(shi)品的高壓端(duan)。紅端(duan)子引(yin)線接高壓端(duan)。

然后調節(jie)放(fang)大(da)器增益調節(jie)，使(shi)該注入(ru)脈(mo)沖高(gao)度適(shi)當(dang)（示波屏上高(gao)度2cm以下），使(shi)數字表讀數值與注入(ru)的(de)已(yi)知電量相符。調定后放(fang)大(da)器細(xi)調旋鈕的(de)位置(zhi)不能再改(gai)變，需保持與校正(zheng)時相同。

校正完成后(hou)必須去掉校正方波發生(sheng)器與(yu)試驗回路(lu)的連接。

（3）測試操作：

第六章(zhang)  抗干擾措施和局部放電圖(tu)譜(pu)簡介

對于局部放電實驗(yan)我們*怕的就是干擾(rao)(rao)，下面簡單介紹(shao)一下實驗(yan)中可能遇(yu)到的干擾(rao)(rao)以及抗干擾(rao)(rao)的方(fang)法：

測量的干(gan)擾分類(lei)

干擾有來(lai)(lai)自電網(wang)的和(he)來(lai)(lai)自空間的。按表現形式(shi)分又分為固定的和(he)移(yi)動的。主要的干擾源有以下一些(xie)：

①懸浮(fu)電(dian)位物體放電(dian)，通(tong)過對(dui)地雜散電(dian)容耦合

②外部**電暈

③可控硅元件在鄰近運行

④繼電器，接(jie)觸(chu)器，輝光管等物品

⑤接(jie)觸**

⑥無線(xian)電干擾

⑦熒光燈干擾

⑧電動(dong)機干擾

⑨中高頻工業設(she)備

（二(er)）抗干(gan)擾方(fang)法(fa)

采用帶調壓(ya)器，隔(ge)離變壓(ya)器和濾(lv)波器的控制(zhi)電源(yuan)

設置屏蔽(bi)室，可只屏蔽(bi)試驗回(hui)路部分

可靠的單(dan)點(dian)接(jie)地(di)，將試驗回路系(xi)統(tong)設(she)計(ji)成單(dan)點(dian)接(jie)地(di)結構，接(jie)地(di)電(dian)阻(zu)要(yao)小，接(jie)地(di)點(dian)要(yao)與一般試驗室的地(di)網及電(dian)力網中線分(fen)開。

采(cai)用高壓濾波器

用平衡法或橋式試驗(yan)電路

利(li)用時間窗(chuang)，使(shi)固定(ding)相位(wei)干擾處于亮(liang)窗(chuang)之(zhi)外

采用較窄頻(pin)帶(dai)，或用頻(pin)帶(dai)躲(duo)開干擾大的頻(pin)率范圍

在高壓端加裝高壓屏蔽(bi)罩或半導體橡膠帽以(yi)防電暈干擾

試驗電路(lu)遠離周圍物體，尤其是懸浮的金屬(shu)固體！

（三(san)）初做實驗者對波(bo)形辨認還是有一定困難的，下面就簡(jian)單介紹一     放電類型和(he)干擾(rao)的(de)初步辯認：

1． 典型(xing)的內部氣泡(pao)放電的波形特點(dian)：(圖(tu) 5—01)

A．放(fang)電主要顯示在試驗(yan)電壓由零升到峰(feng)值的兩個橢圓象限內。

B．在起始電(dian)壓Ui時，放電通(tong)常發生在峰(feng)值附(fu)近，試驗電壓超過Ui時，放電(dian)向零相位延伸。

C．兩(liang)個相反半周上放電次數和幅值大(da)致相同(tong)（*大(da)相差(cha)至3：1）。

D．放(fang)電波形可辯。

E．q與(yu)試驗(yan)電(dian)壓關系不(bu)大，但放電(dian)重復(fu)率n隨試驗電壓上升而(er)加大。

F．局部放電起(qi)始電壓Ui和(he)熄滅電壓(ya)Ue基本相等。

G．放電量q與時間關(guan)系不大。

H．如果放(fang)(fang)電量隨試驗電壓上升而增大，并且放(fang)(fang)電波形(xing)變得模糊不可分辨，則往往是(shi)(shi)介質內含有多種大小(xiao)氣泡，或(huo)是(shi)(shi)介質表(biao)面放(fang)(fang)電。如果除了上述情況，而且放(fang)(fang)電幅值隨加(jia)壓時間而迅速增長（可達100倍(bei)或(huo)更多），則往(wang)往(wang)是絕緣(yuan)液體中(zhong)的(de)氣泡放電，典(dian)型(xing)例子是油(you)浸(jin)紙電容器(qi)的(de)放電。

2． 金屬與介質間氣泡(pao)的放電(dian)波形(xing)特點：      &nbsp;        

正半周有許(xu)多(duo)幅值小(xiao)的放(fang)電，負(fu)半周有很少幅值大(da)的放(fang)電。幅值相差可(ke)達10﹕1，其(qi)他同上。

典(dian)型例子：絕緣與(yu)導體粘(zhan)附**的(de)聚乙烯電纜的(de)放電。q與(yu)試(shi)驗電壓關系不大。（圖 5—02）

如果隨(sui)試驗電(dian)(dian)壓升高(gao)，放電(dian)(dian)幅值也(ye)增大，而且放電(dian)(dian)波(bo)形變(bian)得模糊，則往(wang)往(wang)是(shi)含有(you)不同大小(xiao)多個氣(qi)泡，或是(shi)外(wai)露(lu)的金(jin)屬(shu)與介質表面之間出現的表面放電(dian)(dian)。（圖 5—03）

（四）下面介紹(shao)一(yi)些(xie)主(zhu)要(yao)視為干擾或非(fei)正常放電(dian)的情況：

（1）懸浮電位(wei)物體放電波形特點(dian)：

在電(dian)壓峰值前的正負(fu)半周(zhou)兩個象限(xian)里出現幅(fu)(fu)值。脈(mo)沖(chong)數和位置均相同，成對出現。放電(dian)可移(yi)動，但(dan)它們間(jian)的相互間(jian)隔不變(bian)(bian)，電(dian)壓升(sheng)高(gao)時，根數增(zeng)加，間(jian)隔縮小，但(dan)幅(fu)(fu)值不變(bian)(bian)。有(you)時電(dian)壓升(sheng)到一定值時會消失，但(dan)降至此值又重新出現。

原因：金屬間(jian)(jian)的(de)間(jian)(jian)隙(xi)產生(sheng)的(de)放電(dian)，間(jian)(jian)隙(xi)可(ke)能(neng)是地面上兩個(ge)獨立的(de)金屬體間(jian)(jian)（通過雜散電(dian)容耦合）也可(ke)能(neng)在(zai)樣品內，例如屏蔽松散。

（2）外部(bu)**電暈放電波(bo)形特點：

起始放電僅出現在(zai)試驗電壓的(de)一個半(ban)周上(shang)，并對稱(cheng)地(di)分布(bu)在(zai)峰值兩(liang)側。試驗電壓升高(gao)時，放電脈沖數(shu)急劇(ju)增加，但幅(fu)值不變，并向(xiang)兩(liang)側伸展。

原因：空氣中高(gao)壓**或邊(bian)緣放電。如果放電出現在負(fu)半(ban)周，表(biao)示(shi)**處于高(gao)壓，如果放電出現在正半(ban)周則**處于地電位(wei)。

（3）液體介質中的**電暈放電波形特點：

放(fang)(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)出(chu)現在(zai)兩(liang)個半(ban)周(zhou)上，對稱(cheng)地(di)分布在(zai)峰值(zhi)兩(liang)側(ce)。每(mei)一組放(fang)(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)均為(wei)等(deng)間隔，但一組幅值(zhi)較大(da)的(de)放(fang)(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)先出(chu)現，隨試驗電(dian)(dian)(dian)壓升高而幅值(zhi)增大(da)，不一定(ding)等(deng)幅值(zhi)；一組幅值(zhi)小的(de)放(fang)(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)幅值(zhi)相等(deng)，并(bing)且不隨電(dian)(dian)(dian)壓變化。

原因：絕緣液體(ti)中**或邊緣放電(dian)。如一組大的放電(dian)出(chu)現(xian)在正半(ban)周，則(ze)(ze)**處于(yu)高壓；如出(chu)現(xian)在負半(ban)周，則(ze)(ze)**地電(dian)位。

（4）接觸**的干擾圖形。

波(bo)形特點(dian)：對稱(cheng)地(di)分布(bu)在實(shi)驗(yan)電(dian)壓零(ling)點(dian)兩側，幅(fu)值(zhi)大致不(bu)變，但(dan)在實(shi)驗(yan)電(dian)壓峰值(zhi)附近下降為零(ling)。波(bo)形粗糙不(bu)清晰(xi)，低電(dian)壓下即出現(xian)。電(dian)壓升高(gao)時，幅(fu)值(zhi)緩慢增加，有(you)時在電(dian)壓達(da)到一定值(zhi)后(hou)會(hui)完全消失。

原(yuan)因：實驗(yan)回路中金(jin)屬與金(jin)屬**接(jie)(jie)觸的連接(jie)(jie)點；塑料電纜屏蔽層半(ban)導(dao)體粒子的**接(jie)(jie)觸；電容器鋁箔的插接(jie)(jie)片等（可將電容(rong)器充電然后短路來消除）。        &nbsp;      

（5）可控硅(gui)元件的干擾圖形。

波形特點：位置固定，每只元件產生(sheng)一個獨立訊號。電路接(jie)通，電磁耦合效應增強(qiang)時(shi)訊號幅值增加，試驗調壓時(shi)，該脈沖訊號會發生(sheng)高頻波形展(zhan)寬，從而占(zhan)位增加。

原因：鄰近有(you)可控(kong)硅元件在運(yun)行。

（6）繼電器、接(jie)觸器、輝光(guang)管等(deng)動作(zuo)的(de)干擾。

波形特點：分布不(bu)規則或間斷出(chu)現，同試驗電壓無關(guan)。

原(yuan)因(yin)：熱繼電器、接(jie)觸器和各種火花試(shi)驗器及有(you)火花放(fang)電的記錄器動作(zuo)時產生。

（7）熒(ying)光(guang)燈的干擾圖形。

波形特點：欄柵(zha)狀，幅值(zhi)大(da)致相同的脈(mo)沖(chong)(chong)，伴有正負半波對稱(cheng)出現(xian)的兩(liang)簇脈(mo)沖(chong)(chong)組。

原因(yin)：熒光(guang)燈(deng)照明    &nbsp;                                                                                

（8）無線電干(gan)(gan)擾的干(gan)(gan)擾圖(tu)形(xing)。

波形特(te)點：幅值有調制(zhi)的高頻(pin)正弦波，同試驗電壓無關。

原因：無線(xian)電(dian)話、廣播話筒、載(zai)波通訊等(deng)。

（9）電動(dong)機干(gan)擾(rao)的干(gan)擾(rao)圖形（圖5—12）

波形特點(dian)：放(fang)電波形沿橢(tuo)圓基線均勻分布，每個單個訊號(hao)呈“山”字(zi)形。

原因(yin)：帶換(huan)向(xiang)器(qi)的電動機，如(ru)電扇(shan)、電吹風運(yun)轉時的干擾。

（10）中高頻工業設備的(de)干(gan)擾圖形。

波形特(te)點：連續發(fa)生，僅出(chu)現(xian)在電源波形的半周內。

原因：感應加熱裝(zhuang)置和頻率接近檢測頻率的超(chao)聲(sheng)波(bo)發(fa)生器等。

（11）鐵(tie)芯磁飽和諧(xie)波(bo)的干(gan)擾圖形（圖5—14）

波形特(te)點(dian)：較低頻率的諧波振蕩，出(chu)現在兩個半周上，幅值隨試驗電壓升高而增大，不(bu)加電壓時消失，有重現性(xing)。

原因(yin)：試驗系統(tong)各種鐵芯設(she)備（試驗變壓器(qi)、濾波電(dian)抗器(qi)、隔離變壓器(qi)等）磁飽和產(chan)生(sheng)的(de)諧振。                  &nbsp;              

（12）電極在電場方向機械移動(dong)的干(gan)擾圖形(xing)。

波形特點：僅在試(shi)驗電壓的半周（正或(huo)負）上出現的與峰值(zhi)對稱的兩(liang)個放(fang)電響應，幅值(zhi)相等，而脈沖方向相反，起始(shi)電壓時兩(liang)個脈沖在峰值(zhi)處靠得(de)很近，電壓升高時逐漸(jian)分開，并(bing)可能產生新(xin)的脈沖訊號(hao)對。

原(yuan)因：電極的部分（尤其是金屬箔電極）在電場(chang)作用下運(yun)動(dong)。              &nbsp;           

（14）漏(lou)電痕跡和樹(shu)枝放電

波形(xing)特點：放電訊號(hao)波形(xing)與一般典型圖象均(jun)不(bu)符合(he)，波形(xing)不(bu)規則(ze)不(bu)確定。

原因：玷污了(le)的絕緣上漏電或(huo)絕緣局部過熱而致(zhi)的碳化痕(hen)跡或(huo)樹枝通道。

在放電(dian)測試中必須保證(zheng)測試回路中其它元件（試驗變壓器、阻塞(sai)線圈、耦合電(dian)容(rong)器、電(dian)壓表電(dian)阻等）均不放電(dian)，常用的辦法是用與試品(pin)電(dian)容(rong)數(shu)量級相同(tong)的無放電(dian)電(dian)容(rong)或絕緣結構取代試品(pin)試驗，看看有無放電(dian)。

了(le)解了(le)各種放電(dian)類型的(de)波形特(te)征，來源以及識別干(gan)擾后就(jiu)可按(an)具體情(qing)況(kuang)采取措施排除干(gan)擾和正確地進行放電(dian)測量了(le)。

第七(qi)章     局部放電測試(shi)當(dang)中應該注意的問題

實驗(yan)前，試品的絕緣表(biao)面（尤其是高壓端）應作清潔化處理

2、   各連接(jie)點(dian)應(ying)接(jie)觸良(liang)好，尤(you)其是(shi)高壓(ya)端不(bu)要留下尖銳的接(jie)點(dian)，高壓(ya)導線應(ying)盡可能粗(cu)以(yi)防電(dian)暈(yun)，可用蛇皮管。

輸入(ru)單元要盡量靠近試品，而且接地要可靠，接地線(xian)*好用編織銅帶。主機也須接地，以(yi)保(bao)證**。

試驗(yan)回(hui)路盡可(ke)能緊湊。即(ji)高壓連線(xian)盡可(ke)能短(duan)，試驗(yan)回(hui)路所圍面 積盡可能小。

在進(jin)行110KV及以上等級的(de)局(ju)放試(shi)驗時，試(shi)品(pin)周圍(wei)的(de)懸浮金屬(shu)物體(ti)應妥善接地。

考(kao)慮到油浸式試品局部放電存(cun)在滯后效應(ying)，因(yin)此在局放試驗前幾小(xiao)時，不要(yao)對試品施加(jia)超(chao)過(guo)局部放電(dian)試驗電(dian)壓的高(gao)電(dian)壓。

第(di)八章  附(fu)件

1、專(zhuan)用測量電纜線6米  &nbsp;      2根

2、電源線           &nbsp;         1根

3、1.0A保(bao)險絲(si) &nbsp;               4根

4、使用說明書      &nbsp;          1份

WBJF-2020校(xiao)正脈(mo)沖發生器使用說明

用(yong)途與(yu)適用(yong)范(fan)圍：

WBJF-2020校正脈沖(chong)發生器(qi)是(shi)一個(ge)小(xiao)型的(de)(de)(de)廉價的(de)(de)(de)電池供電的(de)(de)(de)局部放電校正器(qi)，它適用于需要攜(xie)帶和使用靈活的(de)(de)(de)場(chang)合。

主要規格(ge)及技術參數：

輸出電(dian)荷量：5PC  50PC  100PC  500PC

上升時間：<100ns

衰減時(shi)間：>100us

極(ji)性：正、負(fu)極(ji)性

重復頻(pin)率：1KHz

頻(pin)率變化(hua)：>±100Hz

尺寸：160×120×50mm

重量：0.5Kg

電(dian)池：6F22  9V

操作與作用：

首先(xian)打開WBJF-2020校正(zheng)脈沖發生器后蓋板(ban)(ban)，裝入(ru)電(dian)池，蓋好蓋板(ban)(ban)。將輸出紅黑(hei)兩(liang)個端子(zi)接上(shang)導線(xian)，紅端子(zi)上(shang)的導線(xian)盡(jin)量且靠近試品的高壓端，黑(hei)端導線(xian)接試品和(he)低壓端，將校正(zheng)電(dian)量開關(guan)置于合適的位置，即可(ke)校正(zheng)，頻率可(ke)在1KHz附近調節，面板上(shang)電(dian)壓表(biao)指示機內電(dian)源(yuan)的情況，一般指示8V以上才(cai)能保(bao)證工作，低于8V則需調換電池。

校正后切記將校正脈沖發生器取下(xia)！