**章(zhang) WBTCD-9308出廠試(shi)(shi)驗(yan)局部放電測試(shi)(shi)儀局放理(li)論概述

在開始我們的實驗(yan)以前，我們首先應(ying)該對局(ju)部放電(dian)(dian)有(you)(you)個初步(bu)的了(le)解(jie)，為什(shen)么要測量(liang)局(ju)部放電(dian)(dian)？局(ju)部放電(dian)(dian)有(you)(you)什(shen)么危害？怎樣準確(que)測量(liang)局(ju)部放電(dian)(dian)？有(you)(you)了(le)上(shang)述(shu)理論(lun)基礎可以幫(bang)助我們理解(jie)測量(liang)過程中(zhong)的正確(que)操作。

一、局部放電(dian)的定(ding)義及產生(sheng)原因

在(zai)(zai)(zai)電(dian)(dian)(dian)場作用(yong)下(xia)，絕(jue)(jue)緣系統中(zhong)只有部(bu)(bu)(bu)分區域發(fa)生(sheng)(sheng)放(fang)(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)，但(dan)尚未(wei)擊(ji)穿(chuan)，（即在(zai)(zai)(zai)施加電(dian)(dian)(dian)壓(ya)的(de)導(dao)體(ti)(ti)之(zhi)(zhi)間沒有擊(ji)穿(chuan)）。這種現象稱之(zhi)(zhi)為(wei)局(ju)(ju)(ju)部(bu)(bu)(bu)放(fang)(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)。局(ju)(ju)(ju)部(bu)(bu)(bu)放(fang)(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)可能發(fa)生(sheng)(sheng)在(zai)(zai)(zai)導(dao)體(ti)(ti)邊上，也(ye)可能發(fa)生(sheng)(sheng)在(zai)(zai)(zai)絕(jue)(jue)緣體(ti)(ti)的(de)表面(mian)上和內部(bu)(bu)(bu)，發(fa)生(sheng)(sheng)在(zai)(zai)(zai)表面(mian)的(de)稱為(wei)表面(mian)局(ju)(ju)(ju)部(bu)(bu)(bu)放(fang)(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)。發(fa)生(sheng)(sheng)在(zai)(zai)(zai)內部(bu)(bu)(bu)的(de)稱為(wei)內部(bu)(bu)(bu)局(ju)(ju)(ju)部(bu)(bu)(bu)放(fang)(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)。而對于(yu)被氣體(ti)(ti)包圍(wei)的(de)導(dao)體(ti)(ti)附近發(fa)生(sheng)(sheng)的(de)局(ju)(ju)(ju)部(bu)(bu)(bu)放(fang)(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)，稱之(zhi)(zhi)為(wei)電(dian)(dian)(dian)暈(yun)。由此 總結一(yi)下(xia)局(ju)(ju)(ju)部(bu)(bu)(bu)放(fang)(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)的(de)定義，指部(bu)(bu)(bu)分的(de)橋接導(dao)體(ti)(ti)間絕(jue)(jue)緣的(de)一(yi)種電(dian)(dian)(dian)氣放(fang)(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)，局(ju)(ju)(ju)部(bu)(bu)(bu)放(fang)(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)產生(sheng)(sheng)原(yuan)因主要有以下(xia)幾(ji)種：

電場不均(jun)勻。

電介(jie)質不均勻。

制(zhi)造過(guo)程(cheng)的(de)氣泡或雜質。*經常(chang)發(fa)生放電的(de)原因是絕緣(yuan)體內部(bu)或表面存在氣泡；其次是有(you)些(xie)設(she)備的(de)運行過(guo)程(cheng)中會發(fa)生熱(re)脹冷(leng)縮,不同(tong)(tong)材料特別是導體與介(jie)質的膨脹系數(shu)不同(tong)(tong)，也(ye)會(hui)逐漸(jian)出現裂(lie)縫；再有一些是在運行過程中(zhong)有機高分子的老(lao)化，分解出各種(zhong)揮發物，在高場強的作用(yong)下，電(dian)荷不斷地(di)由導體進入介(jie)質中(zhong)， 在注入點上就會(hui)使介(jie)質氣化。

二 、WBTCD-9308出廠試(shi)驗(yan)局部放電測試(shi)儀局部放電(dian)的模擬電(dian)路及放電(dian)過程簡介

介質內(nei)部含有(you)氣泡，在交流電壓(ya)下產(chan)生(sheng)的內(nei)部放電特性可由圖1—1的模擬(ni)電(dian)路(a b c等值電路)予以表示；其中Cc是模擬介質(zhi)中(zhong)產生放(fang)電間隙(xi)(如氣(qi)泡)的(de)電容；Cb代表與Cc串(chuan)聯部分介質的合(he)成電容；Ca表示其余部分介質的電容。

I——介質有缺(que)陷(氣泡(pao))的(de)部份(虛線表示(shi))

II——介質無缺(que)陷(xian)部份(fen)

圖(tu)1—1  表(biao)示具(ju)有內(nei)部放電(dian)的模(mo)擬電(dian)路

圖1—1中(zhong)以并聯有—對火花間隙的電容Cc來模(mo)擬產(chan)生局部放電的內部氣泡。圖(tu)1—2表示(shi)了在交流電壓(ya)下局部放電的發生過程。

U(t)一一外施交流電壓

Uc(t)一(yi)一(yi)氣泡不擊穿時(shi)在(zai)氣泡上的電壓

Uc’(t)一一有局部放電(dian)時氣(qi)泡上的實際電(dian)壓

Vc一(yi)(yi)一(yi)(yi)氣(qi)泡的(de)擊穿電壓

Y r一一氣(qi)泡的殘余電壓   

Us—局部放電起始電壓(瞬時(shi)值)

Ur一一與氣泡殘余(yu)電壓v r對應的外施電壓

Ir一(yi)(yi)一(yi)(yi)氣(qi)泡(pao)中的放(fang)電(dian)電(dian)流

電(dian)(dian)極(ji)間(jian)總(zong)電(dian)(dian)容Cx=Ca＋(Cb×Cc)/(Cb＋Cc)=Ca電極(ji)間施加交流電壓 u(t)時，氣(qi)泡電(dian)容Cc上對應(ying)的電(dian)壓為Uc(t)。如圖2—1所(suo)示，此(ci)時的Uc(t)所代表的是氣泡(pao)理想狀態下的電壓（既氣泡(pao)不發生擊穿）。

Uc(t)=U(t)×Cb/Cc＋Cb

外施電壓(ya)U(t)上(shang)升時，氣泡上(shang)電(dian)壓Uc(t)也上升，當U(t)上升(sheng)到Us時(shi)，氣泡上(shang)電壓Uc達到氣泡擊(ji)穿電壓,氣(qi)泡(pao)(pao)擊穿，產生大(da)量的正、負(fu)離子，在電場作用下各自遷(qian)移到氣(qi)泡(pao)(pao)上下壁，形成空間(jian)電菏，建立反電場，削弱了(le)氣(qi)泡(pao)(pao)內的總電場強度，使放電熄滅，氣(qi)泡(pao)(pao)又恢復絕緣性(xing)能。這樣(yang)的一次放電持續時間(jian)是(shi)極短暫的，對一般(ban)的空氣(qi)氣(qi)泡(pao)(pao)來(lai)說，大(da)約只有(you)幾個毫微秒(10的(de)負8次(ci)方到(dao)10的負9次(ci)方(fang)秒)。所以電壓Uc(t)幾乎瞬間地從Vc降到Vr，Vr是(shi)殘余電壓；而氣泡上電壓Uc‘(t)將(jiang)隨U(t)的(de)增(zeng)大(da)而(er)繼續由Vr升高到Vc時，氣泡(pao)再—次擊穿，發(fa)生又—次局(ju)部放電，但此時相應的外施電壓比(bi)Us小，為(wei)(Us-Ur)，這是因為氣泡上有殘(can)余(yu)電壓Vr的內電場作用的結果。Vr是與氣泡殘余電壓Yr相應(ying)的外施(shi)電壓，如此反復上述過程，即外施(shi)電壓每增加(Us-Ur)，就產生一次局部放電．直(zhi)到前—次放電熄滅(mie)后，Uc’(t)上(shang)升到峰值(zhi)時共增量不(bu)足以達Vc(相當于外(wai)施電壓的增量Δ比(bi)(Us-Ur)小(xiao))為止(zhi)。

此后，隨著外施(shi)電(dian)壓(ya)U(t)經過峰值Um后減小，外(wai)施電壓在(zai)氣泡(pao)中建(jian)立(li)反(fan)方向電場，由于氣泡(pao)中殘存的(de)內電場電壓方向與外(wai)電場方向相反(fan)，故(gu)外(wai)施電壓須(xu)經(jing)(Us+Ur))的電壓變化，才能使氣泡上的電壓達到(dao)擊(ji)穿(chuan)電壓Vc，(假定正、負方向擊(ji)穿電壓Vc相等)，產生一(yi)次局部放電。放電很快熄滅，氣泡中電壓(ya)瞬時降到殘余(yu)電壓(ya)Vr(也(ye)假定正、負方(fang)向(xiang)相同)。外施電(dian)壓(ya)繼續下降(jiang)，當再下降(jiang)(Us-Ur)時，氣(qi)泡電壓就(jiu)又達到Vc從而(er)又產生一(yi)次局部放電(dian)。如此重復上述過程(cheng)，直(zhi)到外施(shi)電(dian)壓升到反(fan)向(xiang)蜂值(zhi)一(yi)Um的增量Δ不足以達到(Us-Ur)為止(zhi)。外(wai)施(shi)電壓經過一Um峰值后，氣泡(pao)上(shang)的外電場方向(xiang)又(you)變為正方向(xiang)，與氣泡(pao)殘(can)余電壓方向(xiang)相反，故外施電壓又(you)須上(shang)升(Us+Ur)產生第—次放電，熄滅后，每經過Us—Ur的電壓上(shang)升就產生一次放電，重復前面所介紹的過(guo)程。如圖1—2所示。

由以上局(ju)(ju)部(bu)(bu)(bu)放電過程分析，同(tong)(tong)時根據局(ju)(ju)部(bu)(bu)(bu)放電的(de)(de)特點(dian)（同(tong)(tong)種試品，同(tong)(tong)樣的(de)(de)環境下，電壓越高局(ju)(ju)部(bu)(bu)(bu)放電量(liang)越大(da)(da)）可以知道：一般(ban)情(qing)況下，同(tong)(tong)一試品在一、三象限(xian)(xian)的(de)(de)局(ju)(ju)部(bu)(bu)(bu)放電量(liang)大(da)(da)于二、四(si)象限(xian)(xian)的(de)(de)局(ju)(ju)部(bu)(bu)(bu)放電量(liang)。那是因為它們是電壓的(de)(de)上升沿。（第(di)三象限(xian)(xian)是電壓負的(de)(de)上升沿）。這(zhe)就是我們測(ce)量(liang)中為什么把時間窗刻意擺在一、三象限(xian)(xian)的(de)(de)原因。

三(san)、WBTCD-9308出廠試(shi)驗局部放電測試(shi)儀局部放電(dian)的測量原理：

四、WBTCD-9308出廠試驗局部(bu)放電測試儀(yi)局部(bu)放電的表征參數

局(ju)部放電是比較復(fu)雜(za)的(de)(de)物理現象，必須通過(guo)多種表征(zheng)參數(shu)才能**的(de)(de)描繪其狀(zhuang)態，同時局(ju)部放電對絕緣(yuan)破壞的(de)(de)機理也(ye)是很復(fu)雜(za)的(de)(de)，也(ye)需要(yao)通過(guo)不同的(de)(de)參數(shu)來(lai)評定它對絕緣(yuan)的(de)(de)損害，目前我們只關(guan)心兩個基本參數(shu)。

視在放(fang)電電荷——在(zai)絕(jue)緣(yuan)體中發生局部放(fang)電時，絕(jue)緣(yuan)體上施加(jia)電壓的兩(liang)端出現的脈動電荷稱之為視在(zai)放(fang)電電荷，單位用皮庫(ku)（pc）表示(shi)，通常(chang)以穩定(ding)出現的(de)*大視在放電電荷作為該試品的(de)放電量。

放電重復率(lv)——在測量(liang)時間內(nei)每秒(miao)中出(chu)現的放電次(ci)數(shu)的平均值稱為放電重復率(lv)，單(dan)位為次(ci)/秒(miao)，放電重復率越高，對絕緣的損害越大(da)。

**章  局(ju)放測(ce)試(shi)(shi)的試(shi)(shi)驗系統接線。

在了(le)解了(le)局部放(fang)電的基(ji)本理論之(zhi)后，在本章我們(men)的重點轉向實際操作，我們(men)先介紹局部放(fang)電測試中(zhong)常用(yong)的三種(zhong)接(jie)法(fa)，隨后我們(men)再介紹整個系統的接(jie)線電路(lu)(lu)，*后我們(men)再分別(bie)介紹幾種(zhong)典(dian)型的試品(pin)的試驗線路(lu)(lu)。

一(yi)、局放電測試電路的三種基(ji)本接法(fa)及優缺點。

（1）   標準試(shi)驗電路(lu)，又稱并聯法。適合于必(bi)須接地的試(shi)品。其缺點(dian)是(shi)高壓(ya)引線(xian)對(dui)地雜散電容并聯(lian)在 CX上，會降低測試靈敏度。

（2）接(jie)法(fa)的串聯(lian)法(fa)，其(qi)要(yao)求試品(pin)低(di)壓端對(dui)地浮置。其優點是(shi)變壓器(qi)入(ru)口電容、高壓線對地雜(za)散電容與耦合電容CK并(bing)聯，有利(li)于提高試驗靈敏度(du)。缺點是(shi)試樣損壞時(shi)會(hui)損壞輸入(ru)單元(yuan)。

（3）平衡法試驗(yan)電路：要求兩個(ge)試品(pin)相接近，至少電容(rong)量為同一數量級其優點是外(wai)干(gan)擾(rao)強烈(lie)的情(qing)況下(xia)，可取得較好抑(yi)制干(gan)擾(rao)的效(xiao)果，并(bing)可消除(chu)變壓器雜(za)散電容(rong)的影響，而且可做(zuo)大電容(rong)試驗(yan)。缺(que)點是須要兩個(ge)相似的試品(pin)，且當產生放(fang)(fang)電時，需設法判別是哪個(ge)試品(pin)放(fang)(fang)電。

值得提出(chu)的(de)是：由(you)于現場(chang)試驗條件的(de)限(xian)制(zhi)（找(zhao)到兩個(ge)相似的(de)試品(pin)且要保證一個(ge)試品(pin)無(wu)放(fang)電不太(tai)容(rong)易），所以在現場(chang)平(ping)衡(heng)法比較難實現，另外，由于(yu)采(cai)(cai)用串聯法時(shi)，如果試品擊穿，將(jiang)會對設備造(zao)成比較大(da)的(de)(de)損害，所(suo)以出于(yu)對設備保護的(de)(de)想法，在現場試驗(yan)時(shi)一般采(cai)(cai)用并聯法。

二、WBTCD-9308出廠試驗局部放電(dian)測試儀(yi)采用并聯法的整個系統的接線原理圖。

該系(xi)(xi)統采(cai)用脈沖電(dian)(dian)流法檢(jian)測高壓(ya)(ya)試品(pin)的局部(bu)放電(dian)(dian)量，由控(kong)(kong)制臺(tai)控(kong)(kong)制調壓(ya)(ya)器和(he)(he)變壓(ya)(ya)器在(zai)試品(pin)的高壓(ya)(ya)端產生測試局放所需的預(yu)加(jia)電(dian)(dian)壓(ya)(ya)和(he)(he)測試電(dian)(dian)壓(ya)(ya)，通過(guo)無局放藕合電(dian)(dian)容(rong)器和(he)(he)檢(jian)測阻抗將(jiang)局部(bu)放電(dian)(dian)信(xin)號取(qu)出并送至局部(bu)放電(dian)(dian)檢(jian)測儀顯示并判斷和(he)(he)測量。系(xi)(xi)統中的高壓(ya)(ya)電(dian)(dian)阻為了防止在(zai)測試過(guo)程(cheng)中試品(pin)擊穿(chuan)而(er)損壞其他設(she)備，兩(liang)個電(dian)(dian)源濾(lv)波器是將(jiang)電(dian)(dian)源的干擾(rao)(rao)和(he)(he)整(zheng)個測試系(xi)(xi)統分(fen)開，降低(di)整(zheng)個測試系(xi)(xi)統的背景干擾(rao)(rao)。

根據上述(shu)原理圖可(ke)(ke)以(yi)(yi)看出，局部(bu)放電測(ce)試(shi)(shi)的靈敏(min)度和(he)準(zhun)確(que)度和(he)整個(ge)系統密(mi)切相關，要(yao)想順利和(he)準(zhun)確(que)的進行局部(bu)放電測(ce)試(shi)(shi)，就必須(xu)將整個(ge)系統考濾周到(dao)，包括系統的參數選取和(he)連(lian)接方式(shi)。另外，在現場試(shi)(shi)驗(yan)時，由(you)于是(shi)驗(yan)證性試(shi)(shi)驗(yan)，高(gao)壓(ya)限流(liu)電阻可(ke)(ke)以(yi)(yi)省掉。

三、幾種典型(xing)試(shi)品的(de)接(jie)線原理(li)圖。

（1）電流互感器的局放測試接線原理圖

（2）電壓互(hu)感器(qi)的局放測試接(jie)線原理圖

A．工頻(pin)加壓方(fang)式接線(xian)原理圖

為了防止電(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)互感(gan)器(qi)(qi)(qi)在(zai)工頻電(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)下產生大的勵磁電(dian)(dian)流(liu)而損(sun)壞，高(gao)壓(ya)(ya)(ya)電(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)互感(gan)器(qi)(qi)(qi)一(yi)般采取(qu)自(zi)激勵的加(jia)壓(ya)(ya)(ya)方式。在(zai)電(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)互感(gan)器(qi)(qi)(qi)的低(di)壓(ya)(ya)(ya)側加(jia)一(yi)倍頻電(dian)(dian)源(yuan)，在(zai)電(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)互感(gan)器(qi)(qi)(qi)的高(gao)壓(ya)(ya)(ya)端(duan)感(gan)應(ying)出高(gao)壓(ya)(ya)(ya)來進行局部放(fang)電(dian)(dian)實驗。這就是通常所說(shuo)的三倍頻實驗。其接線原(yuan)理(li)圖如下：

(3)高壓電(dian)容器.絕緣子的局放(fang)測試接線(xian)原理圖

(4) 發電機的局放測試(shi)接線(xian)原理圖(tu)

（5）變壓(ya)器的局部放(fang)電(dian)測試接線原(yuan)理圖(tu)

我們(men)僅僅是在原(yuan)(yuan)理(li)性(xing)的(de)總結(jie)了幾種(zhong)(zhong)典(dian)型試品的(de)接(jie)線原(yuan)(yuan)理(li)圖(tu)，至于各種(zhong)(zhong)試品的(de)加壓(ya)方(fang)式和加壓(ya)值的(de)多少，我們(men)在做試驗(yan)的(de)時侯要嚴格(ge)遵守每種(zhong)(zhong)試品的(de)出廠檢(jian)驗(yan)標準或(huo)交接(jie)檢(jian)驗(yan)標準。

第三章  概述

WBTCD-9308智(zhi)能局部放電檢(jian)測儀是我公(gong)司(si)*新(xin)(xin)推向市(shi)場的新(xin)(xin)一代(dai)數(shu)字(zi)智(zhi)能儀器，該儀器在(zai)原(yuan)有產(chan)品(pin)WBJF-2010、JF-2020局放儀的基(ji)礎(chu)上采用(yong)嵌入式ARM系統(tong)(tong)作為中央(yang)處理(li)單(dan)元，控制12位分(fen)辨率的高(gao)速模(mo)數(shu)轉換芯片進(jin)行數(shu)據采集，將采集到的數(shu)據存放在(zai)雙(shuang)端口RAM中。實現從模(mo)擬到數(shu)字(zi)的跨越(yue)。使用(yong)26萬色高(gao)分(fen)辨率TFT-LCD數(shu)字(zi)液(ye)晶顯示模(mo)組實時顯示放電脈沖波形，配備VGA接(jie)口，可外(wai)接(jie)顯示器。與傳統(tong)(tong)的模(mo)擬式示波管顯示局部放電檢(jian)測儀相比有以下特點(dian)：

1.彩色顯示器，雙色顯示波形(xing)，更清晰直(zhi)觀；

2.可鎖定波形，更方便仔細查看(kan)放(fang)電波形細節；

3.自(zi)動測(ce)量并顯示試驗電源(yuan)時基頻率，無需手動切換(huan)；

4.配備VGA接口(kou)，可外接大尺寸(cun)顯示(shi)器；

5.與示(shi)波管相比(bi)壽命更長。

6.具有(you)波(bo)形鎖定、打印試(shi)驗報告功(gong)能(neng)

本儀(yi)器(qi)檢測靈敏度(du)高(gao)，試樣電(dian)(dian)容覆蓋范(fan)圍大，適(shi)用試品范(fan)圍廣，輸入單元（檢測阻抗）配備齊全，頻帶(dai)組合多（九種）。儀(yi)器(qi)經適(shi)當定(ding)標后能(neng)直讀放(fang)電(dian)(dian)脈沖(chong)的放(fang)電(dian)(dian)量。

本(ben)儀器是電(dian)力部門、制造廠家和科研(yan)單位等(deng)廣泛(fan)使(shi)用的局(ju)部放電(dian)測(ce)試儀器。

第四章  主要技術(shu)指標：

1．可(ke)測試品(pin)的電容(rong)范圍： 6PF—250uF。

2．檢(jian)測靈敏度(du)（見表(biao)一）：

表(biao)一

（1）低(di)端：10KHZ、20KHZ、40KHZ任選。

（2）**：80KHZ、200KHZ、300KHZ任選(xuan)。

4、放大器(qi)增益調節(jie)：

粗(cu)調六檔(dang)，檔(dang)間增益20±1dB；細調范圍≥20dB。每(mei)檔(dang)之間數據(ju)為(wei)10倍(bei)關系：如第(di)三檔(dang)檢測(ce)(ce)數據(ju)為(wei)98，則**檔(dang)顯示數據(ju)為(wei)9.8，如在第(di)三檔(dang)檢測(ce)(ce)數據(ju)超過120，則應調至**檔(dang)來檢測(ce)(ce)數據(ju)，所得數據(ju)應乘以10才為(wei)實(shi)際測(ce)(ce)量值。

5、時間窗：

（1）窗(chuang)寬：可調(diao)范圍15°-175°；

（2）窗位置：每一窗可旋轉0°- 180°；

（3）兩個時(shi)間窗可分別開或(huo)同時(shi)開。

6、放電量表：

0-100誤差(cha)<±3％（以滿度計）。

7、橢圓時基(ji)：

（1）頻率：50HZ、或外部電源(yuan)同步（任意頻率）

（2）橢圓(yuan)旋(xuan)轉：以30°為一檔，可作360°旋(xuan)轉。

（3）顯示(shi)方式：橢圓—直(zhi)線。

8、試(shi)驗電壓表：

精度：優于(yu)±3％（以滿(man)度計）。

9、體積(ji)： 320×480×190（寬×深×高(gao)）mm³。

10、重量：約15Kg。

三、系統(tong)工作原(yuan)理：

本機的局(ju)部放(fang)電(dian)測試原理是(shi)高頻(pin)脈(mo)沖電(dian)流(liu)測量法(fa)（ERA法(fa)）。

試(shi)品Ca在試(shi)驗電壓下產生(sheng)局部放(fang)電時(shi)，放(fang)電脈(mo)沖信號經(jing)(jing)藕合電容Ca送(song)入輸(shu)入單元，由(you)輸(shu)入單元拾取到(dao)脈(mo)沖信號，經(jing)(jing)低噪聲前置放(fang)大(da)器(qi)放(fang)大(da)，濾波放(fang)大(da)器(qi)選擇(ze)所需頻帶及主放(fang)大(da)器(qi)放(fang)大(da)（達到(dao)所需幅值與產生(sheng)零(ling)標志脈(mo)沖）后，在示波屏的(de)橢圓掃(sao)描(miao)基線上產生(sheng)可見的(de)放(fang)電脈(mo)沖，同(tong)時(shi)也送(song)至(zhi)脈(mo)沖峰(feng)值表顯示其峰(feng)值。

時間窗單(dan)元(yuan)控(kong)制(zhi)試驗電壓每一周期內脈沖峰值的工作(zuo)時間，并在這段(duan)時間內將示(shi)(shi)波屏的相應顯示(shi)(shi)區加亮，用它可(ke)以(yi)排除(chu)固(gu)定相位的干擾。

試(shi)驗(yan)電(dian)壓表(biao)經電(dian)容分壓器(qi)產(chan)生(sheng)試(shi)驗(yan)電(dian)壓過零標(biao)志訊號，在示(shi)波屏(ping)上(shang)顯示(shi)零標(biao)脈(mo)沖，橢圓時(shi)基上(shang)兩個零標(biao)脈(mo)沖，通過時(shi)間窗的(de)寬窄調節(jie)可確(que)定試(shi)驗(yan)電(dian)壓的(de)相位，試(shi)驗(yan)電(dian)壓大小由數字(zi)電(dian)壓表(biao)指示(shi)。

整個(ge)系統的工作原理可參(can)看方框圖（圖一）。

四(si)、結構說明

本儀器(qi)為(wei)標(biao)準機(ji)箱結構，儀器(qi)分(fen)(fen)前面板及(ji)后(hou)面板兩部分(fen)(fen)，各調節(jie)元件的位置及(ji)位置和功能(neng)見下圖說明。

1、4：長按改變(bian)門窗的位置

2、3：長按改變門窗的寬度(du)

5：時鐘(zhong)設置(zhi)按鈕

6：按9號鍵鎖定后再按此鍵，即可打印(yin)試驗報(bao)告

7：分(fen)壓比設置按鈕

8：門開關，重復(fu)按可選擇左右(you)門

9：波形鎖定按鍵(jian)

10：橢圓旋轉(zhuan)按鈕

11：顯示方(fang)式按(an)鈕

12：取消按鈕

A、B、C通道(dao)選擇旋(xuan)鈕與后面板A、B、C測量(liang)通道(dao)相對應(ying)

備注： 如需數據導出，步驟(zou)如下：

（1）在電腦上安(an)裝(zhuang)好RS232通用串(chuan)口線(xian)驅(qu)動(dong)。（驅(qu)動(dong)盤里有安(an)裝(zhuang)介紹）及局(ju)放試(shi)驗(yan)報告編輯器軟件。

（2）將串口線和局放儀后(hou)面(mian)的數據接(jie)(jie)口連接(jie)(jie)好。&nbsp;  

（3）將需(xu)要保存(cun)的波形鎖定(ding)然后點擊(ji) 局(ju)放試驗報告(gao)編輯器

（4）點擊Start鍵生(sheng)成鎖定后的(de)數據，然(ran)后點擊測試報告(gao)如下(xia)圖(tu)所(suo)示(shi)：

（5）點擊(ji)測試報告(gao)后(hou)則會出(chu)現局放試驗(yan)報告(gao)編輯器可以根據(ju)需要填(tian)寫(xie)上面的內(nei)容。

（6）填寫好表格后點擊生(sheng)成報告數據(ju)會以Word文檔的形式出現(xian)，再(zai)將數據(ju)保存至(zhi)電腦，如下圖所示：

第五(wu)章  操作說明(ming)

1、試驗準備：將機器后面(mian)板的三個開關(guan)都置于“關(guan)”的狀態

（1）檢查(cha)試(shi)驗(yan)場(chang)地(di)的(de)接(jie)(jie)地(di)情(qing)況，將本儀器后部的(de)接(jie)(jie)地(di)螺(luo)栓用粗銅線(xian)（*好用編(bian)制銅帶）與試(shi)驗(yan)場(chang)地(di)的(de)接(jie)(jie)地(di)妥(tuo)善相接(jie)(jie)，輸入單(dan)元的(de)接(jie)(jie)地(di)短路片也要妥(tuo)善接(jie)(jie)地(di)。

（2）根椐試品電(dian)容(rong)(rong)Ca，藕合電(dian)容(rong)(rong)Ck的(de)大小(xiao)，選取合適序(xu)號的(de)輸入(ru)單元(yuan)（表一(yi)），表一(yi)中調諧電(dian)容(rong)(rong)量是指從輸入(ru)單元(yuan)初級(ji)繞(rao)組兩端看到的(de)電(dian)容(rong)(rong)（按Cx和(he)Ck的(de)串聯值(zhi)粗略(lve)估算(suan)）。

輸(shu)入單(dan)元應盡量靠近被測試(shi)品，輸(shu)入單(dan)元插(cha)座(zuo)(zuo)經(jing)8米長電纜與后面板(ban)上(shang)輸(shu)入插(cha)座(zuo)(zuo)相接。

（3）試品接(jie)入(ru)輸入(ru)單(dan)元的(de)方(fang)法主要有以下幾種：

圖中：Ca——試品    Ck——藕合電(dian)容&nbsp;   Z——阻(zu)塞阻(zu)抗(kang)  R3、C3、R4、C4——橋式接法中平衡調節阻(zu)抗(kang)。

（4）在高壓端接(jie)上電(dian)壓表(biao)電(dian)阻或(huo)電(dian)容(rong)分壓器，其輸出經(jing)測量(liang)電(dian)纜接(jie)到后(hou)面板(ban)試驗電(dian)壓輸入插座(zuo)30。

（5）在未加試驗電(dian)壓的情(qing)況下，將JF-2006校(xiao)正脈(mo)沖發生器的輸出接試品兩端。

2、使用步驟

（1）開(kai)機準備：將時(shi)基顯(xian)示方(fang)式置于“橢圓”。

（2）放(fang)電量的(de)校正(zheng)：按圖接好線后，在未加試驗電壓之(zhi)前用LJF-2006校正(zheng)脈沖(chong)發生器(qi)予以校正(zheng)。

注(zhu)意：方波測量(liang)盒(he)應(ying)盡量(liang)靠近試(shi)品的高壓(ya)端。紅端子(zi)引(yin)線接高壓(ya)端。

然后(hou)調(diao)(diao)節放大器增益調(diao)(diao)節，使該(gai)注入(ru)脈沖高度適(shi)當（示波(bo)屏上高度2cm以(yi)下），使數字表讀(du)數值與(yu)注入(ru)的(de)已知(zhi)電量相(xiang)符(fu)。調(diao)(diao)定后(hou)放大器細調(diao)(diao)旋鈕(niu)的(de)位置(zhi)不能再改變，需(xu)保持(chi)與(yu)校正(zheng)時相(xiang)同。

校正完成后必須去掉校正方(fang)波(bo)發(fa)生(sheng)器與試驗回路的(de)連接(jie)。

（3）測試操作：

第六(liu)章  抗(kang)干擾措施和局部放電圖譜簡介

對于局部放電(dian)實(shi)驗我們*怕的(de)就是干(gan)擾(rao)，下面簡單介紹一下實(shi)驗中可能遇(yu)到的(de)干(gan)擾(rao)以及抗干(gan)擾(rao)的(de)方法(fa)：

測量的干(gan)擾分類

干擾有(you)來自電網的和來自空(kong)間的。按表現形(xing)式分又分為固定(ding)的和移動的。主要(yao)的干擾源有(you)以下(xia)一些：

①懸浮(fu)電(dian)位物體放電(dian)，通過對地(di)雜散電(dian)容(rong)耦(ou)合

②外部**電暈

③可(ke)控硅元件在鄰近運行

④繼電器，接觸器，輝光管等(deng)物品

⑤接(jie)觸**

⑥無線電干擾(rao)

⑦熒光燈(deng)干擾

⑧電(dian)動(dong)機干擾

⑨中高頻工(gong)業設備

（二）抗干擾方法

采用帶調壓(ya)器(qi)，隔離變壓(ya)器(qi)和濾(lv)波(bo)器(qi)的控制(zhi)電源(yuan)

設置屏(ping)蔽室，可只屏(ping)蔽試驗回路部分

可(ke)靠的(de)單點接地，將試驗(yan)回路系統(tong)設計成單點接地結構，接地電阻要小(xiao)，接地點要與一(yi)般試驗(yan)室(shi)的(de)地網及電力網中線分(fen)開。

采用高(gao)壓濾波(bo)器

用平衡法或橋(qiao)式試(shi)驗(yan)電(dian)路

利用(yong)時(shi)間窗，使固定相位干擾處于亮窗之外(wai)

采用較窄頻帶，或用頻帶躲開干擾大(da)的頻率范圍

在高壓端加裝(zhuang)高壓屏蔽(bi)罩或半導(dao)體橡膠帽以防電(dian)暈干擾

試(shi)驗電路遠離周圍物(wu)體，尤其是懸浮的金屬固(gu)體！

（三）初做實(shi)驗者對波形辨(bian)認還(huan)是有一定困難的(de)，下面就簡單介紹(shao)一     放電類(lei)型和干(gan)擾的(de)初步辯認：

1． 典型的(de)(de)內部氣(qi)泡放(fang)電(dian)的(de)(de)波形特(te)點：(圖 5—01)

A．放電主要顯示在(zai)試驗電壓由零升到峰值的兩個(ge)橢(tuo)圓(yuan)象(xiang)限內。

B．在起始電(dian)壓(ya)Ui時，放電(dian)通(tong)常發生在(zai)峰(feng)值附近，試驗電(dian)壓超過Ui時，放(fang)電向零相位延伸。

C．兩個相(xiang)反半(ban)周上放(fang)電次數和幅值(zhi)大致相(xiang)同（*大相(xiang)差至(zhi)3：1）。

D．放電波(bo)形可辯。

E．q與試驗電(dian)壓關(guan)系(xi)不大(da)，但放電(dian)重復率n隨試驗電(dian)壓上升而(er)加大。

F．局部(bu)放電起(qi)始(shi)電壓(ya)Ui和熄(xi)滅(mie)電壓Ue基(ji)本相等。

G．放電量q與時間關系不大。

H．如果放電(dian)(dian)量(liang)隨(sui)(sui)試驗電(dian)(dian)壓上升而增大，并且(qie)放電(dian)(dian)波形變得模糊不可(ke)分辨(bian)，則往(wang)往(wang)是介(jie)(jie)質內含(han)有多(duo)種大小氣泡，或是介(jie)(jie)質表面放電(dian)(dian)。如果除了上述(shu)情(qing)況，而且(qie)放電(dian)(dian)幅(fu)值隨(sui)(sui)加(jia)壓時(shi)間而迅速增長（可(ke)達100倍或(huo)更(geng)多），則往往是絕緣液體中的(de)(de)氣泡放電(dian)(dian)，典型例(li)子是油浸紙電(dian)(dian)容(rong)器(qi)的(de)(de)放電(dian)(dian)。

2． 金屬與(yu)介質間氣(qi)泡的(de)放(fang)電(dian)波(bo)形特點(dian)：          &nbsp;    

正半周(zhou)有許多幅(fu)值小的放電，負半周(zhou)有很少(shao)幅(fu)值大的放電。幅(fu)值相差可達10﹕1，其(qi)他同上。

典型例(li)子：絕緣與(yu)導體(ti)粘附**的聚乙烯電纜的放電。q與(yu)試(shi)驗(yan)電壓關系不大。（圖 5—02）

如果隨試驗電(dian)壓升高，放電(dian)幅值也增大，而且放電(dian)波形變得模(mo)糊(hu)，則往往是(shi)含有不同大小多個氣泡(pao)，或是(shi)外露的金屬與介質(zhi)表面之間出現的表面放電(dian)。（圖 5—03）

（四）下面介紹一些主要(yao)視為干(gan)擾或非正(zheng)常放電的情況(kuang)：

（1）懸(xuan)浮電(dian)(dian)位物(wu)體放電(dian)(dian)波形特點：

在電(dian)(dian)(dian)壓(ya)峰(feng)值(zhi)前的(de)正負半(ban)周兩個象限里出現(xian)幅值(zhi)。脈沖(chong)數和位置均(jun)相同，成(cheng)對出現(xian)。放(fang)電(dian)(dian)(dian)可移動，但(dan)它(ta)們間(jian)的(de)相互間(jian)隔不變(bian)，電(dian)(dian)(dian)壓(ya)升(sheng)高時，根數增(zeng)加，間(jian)隔縮小，但(dan)幅值(zhi)不變(bian)。有時電(dian)(dian)(dian)壓(ya)升(sheng)到一定值(zhi)時會消失，但(dan)降至此(ci)值(zhi)又(you)重(zhong)新出現(xian)。

原因：金(jin)(jin)屬間的間隙產(chan)生的放電，間隙可(ke)能(neng)是(shi)地(di)面上兩個獨立的金(jin)(jin)屬體(ti)間（通過(guo)雜散電容耦合）也(ye)可(ke)能(neng)在樣品內，例(li)如屏(ping)蔽松(song)散。

（2）外(wai)部(bu)**電(dian)(dian)暈放電(dian)(dian)波形(xing)特點：

起始放(fang)電僅出現在試驗電壓(ya)的一個半周上，并對稱地分布在峰值兩側(ce)。試驗電壓(ya)升(sheng)高時，放(fang)電脈沖數急劇增加(jia)，但幅值不變，并向兩側(ce)伸展(zhan)。

原因(yin)：空(kong)氣(qi)中高(gao)壓(ya)(ya)**或(huo)邊(bian)緣放電(dian)。如果(guo)放電(dian)出現(xian)在負(fu)半周，表示**處(chu)于高(gao)壓(ya)(ya)，如果(guo)放電(dian)出現(xian)在正半周則**處(chu)于地電(dian)位。

（3）液體(ti)介質中(zhong)的**電暈放電波形特點：

放(fang)電(dian)(dian)出(chu)現在兩個半(ban)周(zhou)上，對稱地分布在峰值兩側。每一(yi)組(zu)(zu)放(fang)電(dian)(dian)均為(wei)等間(jian)隔，但一(yi)組(zu)(zu)幅值較(jiao)大(da)的放(fang)電(dian)(dian)先出(chu)現，隨試驗電(dian)(dian)壓升高而幅值增大(da)，不(bu)一(yi)定等幅值；一(yi)組(zu)(zu)幅值小的放(fang)電(dian)(dian)幅值相等，并且不(bu)隨電(dian)(dian)壓變化。

原因：絕緣液(ye)體中(zhong)**或邊緣放電。如(ru)一組大的放電出現在正半周，則**處于(yu)高壓；如(ru)出現在負(fu)半周，則**地電位(wei)。

（4）接觸**的(de)干擾圖形。

波(bo)形(xing)特點(dian)：對稱地(di)分布在(zai)實驗電(dian)壓零(ling)(ling)點(dian)兩側，幅值(zhi)大(da)致不變(bian)，但在(zai)實驗電(dian)壓峰值(zhi)附近下(xia)降為零(ling)(ling)。波(bo)形(xing)粗糙(cao)不清晰，低電(dian)壓下(xia)即出現。電(dian)壓升高時，幅值(zhi)緩慢增加，有時在(zai)電(dian)壓達(da)到(dao)一(yi)定值(zhi)后會完全(quan)消失。

原因：實驗回(hui)路(lu)中金(jin)屬(shu)與金(jin)屬(shu)**接觸的連接點；塑料(liao)電纜(lan)屏蔽層半導體粒(li)子的**接觸；電容器鋁箔的插(cha)接片等(deng)（可將電(dian)容器(qi)充電(dian)然后短路來消除）。               

（5）可控硅(gui)元(yuan)件的干(gan)擾(rao)圖形。

波形(xing)特點(dian)：位(wei)置固定，每只(zhi)元件產生一個獨立訊號。電(dian)路接通，電(dian)磁(ci)耦(ou)合效應增(zeng)強時(shi)訊號幅值增(zeng)加，試驗調壓時(shi)，該脈(mo)沖訊號會發生高(gao)頻波形(xing)展寬，從而占(zhan)位(wei)增(zeng)加。

原因：鄰近(jin)有可控硅元件在運行。

（6）繼(ji)電器(qi)(qi)、接(jie)觸器(qi)(qi)、輝(hui)光管等(deng)動作的干擾。

波形特點：分(fen)布不規(gui)則或間(jian)斷(duan)出現(xian)，同試(shi)驗(yan)電壓無關(guan)。

原因：熱(re)繼電(dian)器(qi)、接觸器(qi)和各(ge)種火花(hua)試驗器(qi)及有(you)火花(hua)放電(dian)的(de)記錄器(qi)動(dong)作時產生。

（7）熒光燈的干擾(rao)圖形。

波(bo)形(xing)特點：欄柵狀，幅值大(da)致相同的脈(mo)沖，伴有正負(fu)半波(bo)對稱出現的兩簇脈(mo)沖組。

原因：熒光燈照明                                                                                &nbsp;    

（8）無線電干擾的干擾圖形(xing)。

波形特點：幅值(zhi)有調制的(de)高頻正(zheng)弦波，同試驗電壓無關。

原(yuan)因：無(wu)線電話、廣播話筒、載波通訊等(deng)。

（9）電動機干(gan)擾的干(gan)擾圖(tu)形（圖(tu)5—12）

波形(xing)特點：放電波形(xing)沿橢圓基線均(jun)勻分布，每個單個訊號呈“山”字形(xing)。

原因：帶換向器(qi)的電動機，如電扇、電吹風(feng)運轉時(shi)的干(gan)擾。

（10）中高頻工(gong)業設(she)備的干擾(rao)圖形。

波形特點：連續發生(sheng)，僅出現在電源(yuan)波形的半周(zhou)內。

原(yuan)因：感(gan)應加熱(re)裝(zhuang)置和頻(pin)率接(jie)近檢測頻(pin)率的超聲波(bo)發生器等(deng)。

（11）鐵芯磁飽和(he)諧波的(de)干擾圖(tu)形（圖(tu)5—14）

波形特點：較低頻率的(de)諧(xie)波振(zhen)蕩，出現在兩個半周上，幅(fu)值隨試驗電壓升高而(er)增(zeng)大(da)，不加(jia)電壓時消(xiao)失(shi)，有重現性。

原因：試驗系統各種鐵芯(xin)設(she)備（試驗變壓器、濾波電抗器、隔離變壓器等）磁飽和產(chan)生的諧振。        &nbsp;               &nbsp;        

（12）電極在電場方向機械移(yi)動的干擾圖形。

波(bo)形(xing)特點(dian)：僅在(zai)試驗(yan)電(dian)壓的半周（正(zheng)或負）上出現的與(yu)峰值(zhi)(zhi)對稱的兩個放電(dian)響應，幅值(zhi)(zhi)相等，而脈(mo)沖(chong)(chong)方(fang)向相反，起始(shi)電(dian)壓時(shi)兩個脈(mo)沖(chong)(chong)在(zai)峰值(zhi)(zhi)處靠得很(hen)近(jin)，電(dian)壓升高時(shi)逐(zhu)漸分開，并可能(neng)產(chan)生新的脈(mo)沖(chong)(chong)訊號對。

原因：電極的部分（尤其是金屬箔電極）在電場(chang)作用下(xia)運動。   &nbsp;                    &nbsp; 

（14）漏電痕跡和樹(shu)枝(zhi)放電

波形特點：放電訊號波形與一般典型圖象均不符合(he)，波形不規則不確定。

原因：玷污了的絕緣(yuan)上漏電或絕緣(yuan)局部過熱而致的碳化痕跡或樹(shu)枝通(tong)道。

在放(fang)電(dian)測試中(zhong)必須保證測試回路中(zhong)其它元件(jian)（試驗(yan)變(bian)壓(ya)器(qi)、阻(zu)塞(sai)線圈、耦合電(dian)容器(qi)、電(dian)壓(ya)表電(dian)阻(zu)等）均不放(fang)電(dian)，常用的(de)辦法(fa)是用與試品(pin)電(dian)容數量(liang)級相同的(de)無放(fang)電(dian)電(dian)容或絕緣結構(gou)取代試品(pin)試驗(yan)，看看有無放(fang)電(dian)。

了(le)解了(le)各種放(fang)電類型的(de)波形特征，來源以及(ji)識別干擾后就(jiu)可按具體情況(kuang)采取措施(shi)排(pai)除干擾和正確地進行放(fang)電測量了(le)。

第(di)七章     局部(bu)放(fang)電測試(shi)當(dang)中(zhong)應該注意(yi)的問題(ti)

實驗前，試品的絕緣表面（尤其是高壓端）應作清潔化處理

2、   各連接點(dian)應接觸良好，尤其(qi)是高壓端不要留(liu)下尖銳的(de)接點(dian)，高壓導線(xian)應盡可能(neng)粗以防電暈，可用(yong)蛇皮管。

輸入單(dan)元要(yao)(yao)盡量靠(kao)近(jin)試(shi)品，而且接地要(yao)(yao)可靠(kao)，接地線*好用(yong)編織銅(tong)帶。主(zhu)機也須接地，以保(bao)證**。

試驗(yan)回(hui)(hui)路(lu)(lu)盡可(ke)(ke)能緊湊。即高壓連線盡可(ke)(ke)能短，試驗(yan)回(hui)(hui)路(lu)(lu)所(suo)圍面 積(ji)盡可(ke)能小。

在進行110KV及以(yi)上等級的(de)局(ju)放試驗時(shi)，試品周圍的(de)懸浮金屬物體應(ying)妥善接(jie)地(di)。

考慮到油(you)浸式(shi)試(shi)品局部放電存在(zai)滯后(hou)效應，因此在(zai)局放試(shi)驗前幾(ji)小時，不要對試品施加超(chao)過(guo)局(ju)部放電試驗電壓的高(gao)電壓。

第(di)八章  附件

1、專用測量電纜線6米(mi)    &nbsp;    2根

2、電(dian)源線                &nbsp;    1根

3、1.0A保(bao)險絲 &nbsp;               4根

4、使(shi)用說明書    &nbsp;      &nbsp;     1份

WBJF-2020校正脈沖(chong)發生器(qi)使(shi)用說明

用(yong)途與適用(yong)范圍：

WBJF-2020校正脈沖發生器是(shi)一個(ge)小型(xing)的廉價(jia)的電池供電的局(ju)部放電校正器，它(ta)適用(yong)于需(xu)要攜帶和使用(yong)靈活(huo)的場(chang)合。

主(zhu)要規格及技(ji)術參數：

輸出(chu)電(dian)荷量(liang)：5PC  50PC  100PC  500PC

上升時(shi)間：<100ns

衰減(jian)時(shi)間：>100us

極性：正、負極性

重復頻率：1KHz

頻率變(bian)化：>±100Hz

尺寸：160×120×50mm

重量：0.5Kg

電池(chi)：6F22  9V

操作(zuo)與作(zuo)用：

首(shou)先打開WBJF-2020校正脈沖發生(sheng)器后蓋(gai)(gai)板，裝(zhuang)入電(dian)池，蓋(gai)(gai)好(hao)蓋(gai)(gai)板。將輸(shu)出紅(hong)黑兩個端(duan)子接上(shang)導(dao)線，紅(hong)端(duan)子上(shang)的(de)導(dao)線盡量(liang)且靠近試品的(de)高壓端(duan)，黑端(duan)導(dao)線接試品和(he)低(di)壓端(duan)，將校正電(dian)量(liang)開關置于合(he)適的(de)位置，即可校正，頻率可在1KHz附近調節，面板上電(dian)壓表指(zhi)示(shi)機內電(dian)源(yuan)的(de)情(qing)況，一般指(zhi)示(shi)8V以上才能保(bao)證工(gong)作，低于(yu)8V則需調換(huan)電池。

校(xiao)正后(hou)切記將(jiang)校(xiao)正脈(mo)沖發生器(qi)取(qu)下！