**章 WBTCD-9308局(ju)放試驗儀局放理(li)論概(gai)述

在開始我們(men)的(de)實驗以前，我們(men)首先應該(gai)對局(ju)(ju)部(bu)放(fang)電(dian)(dian)有(you)個(ge)初步的(de)了解(jie)，為(wei)什(shen)么(me)要測量(liang)局(ju)(ju)部(bu)放(fang)電(dian)(dian)？局(ju)(ju)部(bu)放(fang)電(dian)(dian)有(you)什(shen)么(me)危害？怎樣準(zhun)確測量(liang)局(ju)(ju)部(bu)放(fang)電(dian)(dian)？有(you)了上述理論基(ji)礎可(ke)以幫助(zhu)我們(men)理解(jie)測量(liang)過程中的(de)正確操(cao)作。

一(yi)、局部(bu)放電的(de)定義(yi)及產生原因

在(zai)(zai)(zai)電(dian)場作用下，絕緣系統中只有部(bu)(bu)分區域發(fa)(fa)(fa)生(sheng)放(fang)電(dian)，但尚未擊(ji)穿(chuan)，（即在(zai)(zai)(zai)施加(jia)電(dian)壓的(de)(de)(de)(de)導體(ti)之間沒有擊(ji)穿(chuan)）。這(zhe)種(zhong)現象稱之為(wei)局(ju)(ju)部(bu)(bu)放(fang)電(dian)。局(ju)(ju)部(bu)(bu)放(fang)電(dian)可能發(fa)(fa)(fa)生(sheng)在(zai)(zai)(zai)導體(ti)邊上(shang)，也可能發(fa)(fa)(fa)生(sheng)在(zai)(zai)(zai)絕緣體(ti)的(de)(de)(de)(de)表(biao)(biao)面(mian)上(shang)和內部(bu)(bu)，發(fa)(fa)(fa)生(sheng)在(zai)(zai)(zai)表(biao)(biao)面(mian)的(de)(de)(de)(de)稱為(wei)表(biao)(biao)面(mian)局(ju)(ju)部(bu)(bu)放(fang)電(dian)。發(fa)(fa)(fa)生(sheng)在(zai)(zai)(zai)內部(bu)(bu)的(de)(de)(de)(de)稱為(wei)內部(bu)(bu)局(ju)(ju)部(bu)(bu)放(fang)電(dian)。而(er)對(dui)于被氣(qi)體(ti)包圍的(de)(de)(de)(de)導體(ti)附近發(fa)(fa)(fa)生(sheng)的(de)(de)(de)(de)局(ju)(ju)部(bu)(bu)放(fang)電(dian)，稱之為(wei)電(dian)暈。由此 總結一(yi)下局(ju)(ju)部(bu)(bu)放(fang)電(dian)的(de)(de)(de)(de)定義，指部(bu)(bu)分的(de)(de)(de)(de)橋接導體(ti)間絕緣的(de)(de)(de)(de)一(yi)種(zhong)電(dian)氣(qi)放(fang)電(dian)，局(ju)(ju)部(bu)(bu)放(fang)電(dian)產生(sheng)原因主要有以下幾種(zhong)：

電場不(bu)均勻。

電介(jie)質不均勻。

制造過程的氣泡或雜質。*經常發生放電的原(yuan)因(yin)是絕(jue)緣體內部或表面存在(zai)氣泡；其次是有些設(she)備(bei)的運(yun)行過程中會(hui)發生熱脹冷縮,不(bu)同材料(liao)特別是(shi)導(dao)體與介(jie)(jie)質的(de)(de)膨脹系數不(bu)同，也會(hui)逐(zhu)漸(jian)出現裂縫(feng)；再有一些是(shi)在(zai)運行過程中有機(ji)高分子的(de)(de)老化，分解出各種揮發物，在(zai)高場強的(de)(de)作(zuo)用(yong)下，電(dian)荷不(bu)斷地由導(dao)體進入(ru)介(jie)(jie)質中， 在(zai)注入(ru)點上就(jiu)會(hui)使介(jie)(jie)質氣化。

二 、WBTCD-9308局放試(shi)驗儀局部(bu)放電的模擬電路及放電過程簡(jian)介

介(jie)質內部(bu)(bu)含有氣泡，在交流(liu)電(dian)壓下產(chan)生的(de)內部(bu)(bu)放電(dian)特性可由(you)圖(tu)1—1的(de)模擬(ni)電路(a b c等值電(dian)路(lu))予(yu)以表示(shi)；其中(zhong)Cc是模擬介質(zhi)中產生放電間隙(如氣泡)的(de)電容；Cb代表與(yu)Cc串聯部分介質的合成電容(rong)；Ca表示其余部分(fen)介質的電容。

I——介(jie)質有(you)缺(que)陷(氣泡)的部份(虛線表示)

II——介質無缺(que)陷部份(fen)

圖1—1  表示(shi)具有內部放(fang)電的(de)模擬電路

圖1—1中以并聯(lian)有—對火(huo)花間隙的(de)電容Cc來模擬產生(sheng)局部(bu)放電的(de)內部(bu)氣泡。圖1—2表示(shi)了(le)在交流(liu)電壓下局部放電的(de)發生過程。

U(t)一一外施交流(liu)電(dian)壓(ya)

Uc(t)一(yi)一(yi)氣泡不擊穿(chuan)時在氣泡上(shang)的電壓

Uc’(t)一一有局部放電時氣泡(pao)上的實際電壓

Vc一(yi)一(yi)氣泡的擊穿電壓

Y r一(yi)(yi)一(yi)(yi)氣泡(pao)的(de)殘余電壓(ya)   

Us—局部(bu)放電起始電壓(瞬時值)

Ur一(yi)一(yi)與氣泡殘余(yu)電壓v r對(dui)應的外施(shi)電壓

Ir一(yi)一(yi)氣泡中的(de)放電電流

電極間(jian)總電容(rong)Cx=Ca＋(Cb×Cc)/(Cb＋Cc)=Ca電(dian)極間施加交流電(dian)壓 u(t)時，氣(qi)泡(pao)電(dian)容Cc上對應的(de)電壓(ya)為Uc(t)。如圖(tu)2—1所(suo)示(shi)，此時的Uc(t)所代表的是氣泡理想狀態下的電壓（既氣泡不發生擊穿(chuan)）。

Uc(t)=U(t)×Cb/Cc＋Cb

外(wai)施電(dian)壓U(t)上(shang)升時，氣泡上(shang)電壓Uc(t)也上(shang)升，當(dang)U(t)上升到Us時，氣(qi)泡上電壓Uc達到氣泡擊穿電壓(ya),氣(qi)泡擊穿，產生大(da)量(liang)的(de)正、負(fu)離子，在電場作(zuo)用下各自遷移到氣(qi)泡上下壁，形成(cheng)空(kong)間(jian)電菏，建立反電場，削弱了(le)氣(qi)泡內的(de)總(zong)電場強度，使(shi)放(fang)(fang)電熄滅(mie)，氣(qi)泡又恢(hui)復絕緣性能。這樣的(de)一(yi)次放(fang)(fang)電持續(xu)時間(jian)是極短暫的(de)，對一(yi)般(ban)的(de)空(kong)氣(qi)氣(qi)泡來(lai)說(shuo)，大(da)約只有(you)幾個毫微秒(10的負8次方到10的負9次方秒)。所以電壓Uc(t)幾乎瞬間地從Vc降到(dao)Vr，Vr是殘余(yu)電壓；而氣(qi)泡上電壓Uc‘(t)將隨(sui)U(t)的增(zeng)大而繼續由Vr升高到Vc時(shi)，氣泡再—次擊穿，發(fa)生又—次局部放(fang)電(dian)，但此(ci)時相應的外施電(dian)壓比Us小(xiao)，為(Us-Ur)，這是因為(wei)氣泡上有殘余電壓Vr的(de)(de)內電(dian)場作用的(de)(de)結(jie)果。Vr是與氣泡殘余電壓Yr相(xiang)應(ying)的外施電壓，如(ru)此反復上(shang)述過程(cheng)，即外施電壓每增加(Us-Ur)，就產生一(yi)次局(ju)部放電．直到前(qian)—次放電熄(xi)滅后，Uc’(t)上(shang)升(sheng)到峰值(zhi)時共增(zeng)量不(bu)足以達Vc(相(xiang)當于(yu)外施電壓的增量(liang)Δ比(Us-Ur)小)為止。

此(ci)后，隨(sui)著(zhu)外施(shi)電壓U(t)經過峰值Um后減小，外施(shi)(shi)電(dian)壓在(zai)氣泡中(zhong)建(jian)立反方向(xiang)電(dian)場(chang)，由于氣泡中(zhong)殘存的內電(dian)場(chang)電(dian)壓方向(xiang)與外電(dian)場(chang)方向(xiang)相反，故外施(shi)(shi)電(dian)壓須經(Us+Ur))的電(dian)壓(ya)變化，才能使氣泡上的電(dian)壓(ya)達到(dao)擊穿電(dian)壓(ya)Vc，(假(jia)定正、負方(fang)向擊穿(chuan)電壓Vc相等(deng))，產生(sheng)一次(ci)局部放電。放電很快(kuai)熄滅，氣泡中電壓瞬時降(jiang)到殘余(yu)電壓Vr(也假定正、負方向相同)。外施電壓繼續下(xia)降，當(dang)再下(xia)降(Us-Ur)時，氣泡電壓就又達到Vc從而又產生一次局部放電。如此重復(fu)上述過(guo)程(cheng)，直到(dao)外施電壓升到(dao)反向蜂值一Um的增量Δ不足以達到(Us-Ur)為止。外施電壓經過一Um峰值后，氣泡上(shang)的外電(dian)場方向又變為正方向，與氣泡殘余電(dian)壓方向相(xiang)反，故外施電(dian)壓又須(xu)上(shang)升(Us+Ur)產生第—次放電，熄滅后，每經過Us—Ur的(de)電壓上(shang)升就產生一次放(fang)電，重復前面所介紹(shao)的(de)過程。如圖(tu)1—2所示。

由以(yi)上(shang)局(ju)(ju)部(bu)放(fang)電(dian)過程(cheng)分析，同(tong)時(shi)根(gen)據(ju)局(ju)(ju)部(bu)放(fang)電(dian)的特點（同(tong)種試品，同(tong)樣(yang)的環(huan)境下，電(dian)壓越高局(ju)(ju)部(bu)放(fang)電(dian)量(liang)越大）可以(yi)知道：一(yi)般情況(kuang)下，同(tong)一(yi)試品在(zai)(zai)一(yi)、三(san)象(xiang)(xiang)限(xian)(xian)的局(ju)(ju)部(bu)放(fang)電(dian)量(liang)大于二、四象(xiang)(xiang)限(xian)(xian)的局(ju)(ju)部(bu)放(fang)電(dian)量(liang)。那(nei)是因(yin)(yin)為(wei)它們是電(dian)壓的上(shang)升沿。（第三(san)象(xiang)(xiang)限(xian)(xian)是電(dian)壓負的上(shang)升沿）。這就是我們測(ce)量(liang)中為(wei)什么把時(shi)間窗刻意(yi)擺在(zai)(zai)一(yi)、三(san)象(xiang)(xiang)限(xian)(xian)的原因(yin)(yin)。

三、WBTCD-9308局放試驗儀局部放(fang)電的測量原(yuan)理：

四、WBTCD-9308局放試驗儀局部放電的(de)表征參(can)數(shu)

局(ju)部(bu)(bu)放電是(shi)比較(jiao)復雜(za)(za)的(de)(de)(de)(de)物理現象，必須通過多(duo)種表(biao)征參(can)數(shu)(shu)才能**的(de)(de)(de)(de)描繪其(qi)狀態，同時(shi)局(ju)部(bu)(bu)放電對(dui)絕(jue)緣破(po)壞的(de)(de)(de)(de)機理也(ye)是(shi)很復雜(za)(za)的(de)(de)(de)(de)，也(ye)需要通過不同的(de)(de)(de)(de)參(can)數(shu)(shu)來評定它對(dui)絕(jue)緣的(de)(de)(de)(de)損(sun)害，目前我(wo)們只關(guan)心(xin)兩(liang)個基本參(can)數(shu)(shu)。

視在(zai)放電(dian)(dian)電(dian)(dian)荷(he)——在絕緣體中發(fa)生局部放(fang)電(dian)(dian)時，絕緣體上施(shi)加電(dian)(dian)壓的兩端出現的脈動電(dian)(dian)荷稱之(zhi)為視在放(fang)電(dian)(dian)電(dian)(dian)荷，單(dan)位用皮庫(ku)（pc）表(biao)示，通常以穩定出現的*大(da)視在(zai)放電電荷作為該試品的放電量。

放電重復(fu)率——在測量時間(jian)內每(mei)秒中出現的放電次(ci)(ci)數的平均(jun)值稱為(wei)放電重復率，單位為(wei)次(ci)(ci)/秒，放電重(zhong)復率越高，對(dui)絕緣的損害(hai)越大。

**章  局(ju)放測試(shi)的試(shi)驗(yan)系統接線。

在(zai)了解了局部放電的(de)基本理論之(zhi)后，在(zai)本章我(wo)們(men)的(de)重(zhong)點轉向實際操作，我(wo)們(men)先(xian)介紹局部放電測(ce)試中常用的(de)三種接法，隨(sui)后我(wo)們(men)再介紹整個系統(tong)的(de)接線(xian)電路，*后我(wo)們(men)再分別(bie)介紹幾種典型(xing)的(de)試品(pin)的(de)試驗線(xian)路。

一、局放電(dian)測試電(dian)路(lu)的三種基本(ben)接法及優缺點。

（1）   標準(zhun)試(shi)驗(yan)電路，又稱并(bing)聯法。適合(he)于(yu)必須接地的試(shi)品。其缺點(dian)是高壓(ya)引線對地雜散電容并(bing)聯在 CX上，會降低測試(shi)靈敏度。

（2）接法的(de)串聯法，其(qi)要求試品低壓端對地(di)浮置。其優點(dian)是變壓器(qi)入(ru)口電容(rong)、高(gao)(gao)壓線對地雜散電容(rong)與(yu)耦合電容(rong)CK并聯(lian)，有利于提高(gao)(gao)試驗靈敏度。缺點(dian)是試樣損壞時會損壞輸(shu)入(ru)單元。

（3）平衡(heng)法(fa)試(shi)驗(yan)電路：要(yao)求兩個(ge)試(shi)品相(xiang)接近(jin)，至少電容量為同(tong)一數量級其(qi)優點是外干(gan)擾(rao)強(qiang)烈的(de)(de)情況下，可取(qu)得較好抑制干(gan)擾(rao)的(de)(de)效(xiao)果，并(bing)可消除變壓器雜散(san)電容的(de)(de)影響，而且可做(zuo)大電容試(shi)驗(yan)。缺(que)點是須要(yao)兩個(ge)相(xiang)似的(de)(de)試(shi)品，且當(dang)產生放電時(shi)，需設法(fa)判別是哪個(ge)試(shi)品放電。

值得提出的是：由于現(xian)場(chang)試驗(yan)條件的限(xian)制（找到兩(liang)個相似的試品且要(yao)保證一個試品無(wu)放電不太容易），所以在現(xian)場(chang)平(ping)衡法比(bi)較(jiao)難實現(xian)，另外，由(you)于(yu)采用(yong)串(chuan)聯(lian)法時，如(ru)果試品擊穿，將(jiang)會(hui)對(dui)設(she)備造成比較大的損害(hai)，所以出于(yu)對(dui)設(she)備保(bao)護的想法，在現場試驗時一(yi)般(ban)采用(yong)并聯(lian)法。

二、WBTCD-9308局放試驗儀采用并(bing)聯法的(de)整個系統的(de)接線原(yuan)理圖(tu)。

該系(xi)(xi)統采用(yong)脈沖(chong)電(dian)(dian)流法檢測(ce)高(gao)壓(ya)試(shi)品(pin)的局部(bu)放(fang)(fang)(fang)電(dian)(dian)量，由(you)控(kong)制(zhi)臺(tai)控(kong)制(zhi)調壓(ya)器和(he)(he)變壓(ya)器在(zai)試(shi)品(pin)的高(gao)壓(ya)端產生測(ce)試(shi)局放(fang)(fang)(fang)所需的預加電(dian)(dian)壓(ya)和(he)(he)測(ce)試(shi)電(dian)(dian)壓(ya)，通(tong)過(guo)無(wu)局放(fang)(fang)(fang)藕合電(dian)(dian)容(rong)器和(he)(he)檢測(ce)阻抗將局部(bu)放(fang)(fang)(fang)電(dian)(dian)信號取出并(bing)(bing)送至局部(bu)放(fang)(fang)(fang)電(dian)(dian)檢測(ce)儀(yi)顯示并(bing)(bing)判斷(duan)和(he)(he)測(ce)量。系(xi)(xi)統中的高(gao)壓(ya)電(dian)(dian)阻為了防止在(zai)測(ce)試(shi)過(guo)程(cheng)中試(shi)品(pin)擊穿而(er)損壞(huai)其他設備，兩個電(dian)(dian)源濾波器是將電(dian)(dian)源的干擾和(he)(he)整(zheng)個測(ce)試(shi)系(xi)(xi)統分(fen)開，降低整(zheng)個測(ce)試(shi)系(xi)(xi)統的背景干擾。

根據上述原理圖可以看出，局部放電測試(shi)(shi)的(de)靈敏度(du)和(he)準確度(du)和(he)整(zheng)個系(xi)統密切相關，要想順利和(he)準確的(de)進(jin)行(xing)局部放電測試(shi)(shi)，就(jiu)必(bi)須(xu)將整(zheng)個系(xi)統考濾周到，包括系(xi)統的(de)參數(shu)選取和(he)連接方(fang)式。另(ling)外，在(zai)現場試(shi)(shi)驗(yan)(yan)時，由于是驗(yan)(yan)證性試(shi)(shi)驗(yan)(yan)，高壓限流電阻可以省掉。

三、幾種(zhong)典型試(shi)品的接線原(yuan)理(li)圖(tu)。

（1）電流互(hu)感(gan)器的局放測(ce)試接線原理圖(tu)

（2）電壓(ya)互(hu)感器的局(ju)放(fang)測試(shi)接線原理圖(tu)

A．工頻加壓方(fang)式(shi)接(jie)線原理圖

為了(le)防止電(dian)(dian)壓(ya)(ya)互(hu)(hu)感器(qi)在工頻(pin)(pin)電(dian)(dian)壓(ya)(ya)下(xia)產生大(da)的(de)勵(li)磁(ci)電(dian)(dian)流而損壞，高(gao)壓(ya)(ya)電(dian)(dian)壓(ya)(ya)互(hu)(hu)感器(qi)一般采取自(zi)激(ji)勵(li)的(de)加壓(ya)(ya)方式。在電(dian)(dian)壓(ya)(ya)互(hu)(hu)感器(qi)的(de)低壓(ya)(ya)側加一倍頻(pin)(pin)電(dian)(dian)源，在電(dian)(dian)壓(ya)(ya)互(hu)(hu)感器(qi)的(de)高(gao)壓(ya)(ya)端感應出高(gao)壓(ya)(ya)來進行局部放電(dian)(dian)實驗。這(zhe)就(jiu)是通常(chang)所說的(de)三(san)倍頻(pin)(pin)實驗。其(qi)接線原理圖(tu)如下(xia)：

(3)高壓電容器.絕緣子的局放測試接(jie)線原理(li)圖(tu)

(4) 發電機(ji)的局(ju)放(fang)測試接線原理圖

（5）變(bian)壓器的(de)局部放電測試(shi)接線原理圖

我(wo)(wo)們(men)僅僅是在原(yuan)理性的(de)(de)總結了(le)幾種(zhong)(zhong)(zhong)典型試(shi)(shi)品(pin)的(de)(de)接線(xian)原(yuan)理圖，至于(yu)各種(zhong)(zhong)(zhong)試(shi)(shi)品(pin)的(de)(de)加壓(ya)方式和加壓(ya)值的(de)(de)多少，我(wo)(wo)們(men)在做試(shi)(shi)驗(yan)的(de)(de)時(shi)侯(hou)要嚴格遵守每(mei)種(zhong)(zhong)(zhong)試(shi)(shi)品(pin)的(de)(de)出廠檢(jian)驗(yan)標準或交(jiao)接檢(jian)驗(yan)標準。

第三(san)章(zhang)  概述

WBTCD-9308智能局部放(fang)(fang)電(dian)(dian)檢測儀(yi)(yi)是我(wo)公司(si)*新推向市場的(de)新一代數(shu)(shu)字智能儀(yi)(yi)器(qi)，該儀(yi)(yi)器(qi)在(zai)原有(you)產品(pin)WBJF-2010、JF-2020局放(fang)(fang)儀(yi)(yi)的(de)基(ji)礎上采(cai)用嵌(qian)入式ARM系統作(zuo)為(wei)中央(yang)處(chu)理單元，控制12位分(fen)(fen)辨率(lv)的(de)高速模數(shu)(shu)轉換芯片進行數(shu)(shu)據采(cai)集，將采(cai)集到(dao)(dao)的(de)數(shu)(shu)據存(cun)放(fang)(fang)在(zai)雙(shuang)端口RAM中。實現從模擬(ni)到(dao)(dao)數(shu)(shu)字的(de)跨越。使用26萬色(se)高分(fen)(fen)辨率(lv)TFT-LCD數(shu)(shu)字液晶顯示(shi)(shi)模組實時(shi)顯示(shi)(shi)放(fang)(fang)電(dian)(dian)脈沖波形，配備VGA接口，可(ke)外接顯示(shi)(shi)器(qi)。與傳統的(de)模擬(ni)式示(shi)(shi)波管顯示(shi)(shi)局部放(fang)(fang)電(dian)(dian)檢測儀(yi)(yi)相比(bi)有(you)以(yi)下特點：

1.彩色(se)顯示器，雙色(se)顯示波(bo)形，更(geng)清晰直(zhi)觀；

2.可鎖定波(bo)形，更方便仔細(xi)查看放(fang)電波(bo)形細(xi)節；

3.自動測量并顯示試驗電源時基頻率，無需手動切換(huan)；

4.配備VGA接口，可(ke)外(wai)接大尺寸顯示(shi)器；

5.與示(shi)波管(guan)相比壽命更(geng)長(chang)。

6.具有波形鎖定、打印試驗報告(gao)功能

本儀(yi)器(qi)檢(jian)測靈(ling)敏度高，試(shi)樣電(dian)容覆蓋范圍大，適(shi)用(yong)試(shi)品(pin)范圍廣，輸入單元（檢(jian)測阻(zu)抗）配備齊全，頻帶組合多（九種）。儀(yi)器(qi)經適(shi)當(dang)定標后能直讀放電(dian)脈沖的(de)放電(dian)量(liang)。

本儀器(qi)是(shi)電力部門、制造廠家和科研(yan)單(dan)位等廣泛使用的局部放電測(ce)試儀器(qi)。

第四章(zhang)  主要(yao)技術指標(biao)：

1．可測試品的(de)電容范圍： 6PF—250uF。

2．檢測靈敏度（見表(biao)一）：

表(biao)一

（1）低端(duan)：10KHZ、20KHZ、40KHZ任(ren)選。

（2）**：80KHZ、200KHZ、300KHZ任選。

4、放大器增益調節(jie)：

粗(cu)調(diao)(diao)六(liu)檔(dang)，檔(dang)間(jian)增益20±1dB；細調(diao)(diao)范圍(wei)≥20dB。每檔(dang)之間(jian)數(shu)據(ju)為(wei)(wei)10倍關系：如第(di)三檔(dang)檢(jian)(jian)測數(shu)據(ju)為(wei)(wei)98，則(ze)**檔(dang)顯示數(shu)據(ju)為(wei)(wei)9.8，如在第(di)三檔(dang)檢(jian)(jian)測數(shu)據(ju)超(chao)過120，則(ze)應調(diao)(diao)至**檔(dang)來(lai)檢(jian)(jian)測數(shu)據(ju)，所得數(shu)據(ju)應乘(cheng)以10才為(wei)(wei)實際測量值(zhi)。

5、時間窗：

（1）窗(chuang)寬：可調范圍15°-175°；

（2）窗位(wei)置：每一窗可旋轉0°- 180°；

（3）兩個時間窗可分別開(kai)(kai)或同(tong)時開(kai)(kai)。

6、放(fang)電量表：

0-100誤差<±3％（以滿度計）。

7、橢圓時基(ji)：

（1）頻(pin)率(lv)：50HZ、或外部電源同步（任意頻(pin)率(lv)）

（2）橢圓旋(xuan)轉：以30°為一(yi)檔，可作360°旋(xuan)轉。

（3）顯示(shi)方式：橢圓—直線。

8、試驗電(dian)壓表：

精度(du)：優于±3％（以(yi)滿(man)度(du)計(ji)）。

9、體積： 320×480×190（寬(kuan)×深×高）mm³。

10、重量：約15Kg。

三(san)、系統工作原理：

本機的局部放電(dian)測(ce)(ce)試(shi)原(yuan)理是高頻脈(mo)沖電(dian)流測(ce)(ce)量(liang)法（ERA法）。

試品(pin)Ca在試驗電(dian)壓下產(chan)生局部(bu)放電(dian)時，放電(dian)脈(mo)沖(chong)信(xin)號經藕合電(dian)容Ca送入輸(shu)入單(dan)元(yuan)，由輸(shu)入單(dan)元(yuan)拾取到(dao)(dao)脈(mo)沖(chong)信(xin)號，經低噪聲前置(zhi)放大(da)器(qi)放大(da)，濾波放大(da)器(qi)選擇(ze)所需(xu)頻帶及主放大(da)器(qi)放大(da)（達到(dao)(dao)所需(xu)幅值(zhi)與產(chan)生零標志脈(mo)沖(chong)）后，在示波屏的(de)橢(tuo)圓掃描基(ji)線上產(chan)生可見的(de)放電(dian)脈(mo)沖(chong)，同時也送至脈(mo)沖(chong)峰(feng)值(zhi)表顯示其峰(feng)值(zhi)。

時間窗單元(yuan)控制(zhi)試驗電壓每一周期內脈沖峰值的工(gong)作時間，并在(zai)這(zhe)段(duan)時間內將示(shi)波(bo)屏的相(xiang)應顯示(shi)區加(jia)亮，用它可(ke)以排除(chu)固(gu)定(ding)相(xiang)位的干擾。

試(shi)(shi)(shi)驗(yan)電壓表(biao)(biao)經電容(rong)分壓器產生試(shi)(shi)(shi)驗(yan)電壓過零標志訊(xun)號，在示(shi)(shi)波屏(ping)上顯示(shi)(shi)零標脈(mo)(mo)沖，橢圓時基上兩個零標脈(mo)(mo)沖，通(tong)過時間窗的(de)寬窄(zhai)調節可(ke)確定試(shi)(shi)(shi)驗(yan)電壓的(de)相(xiang)位(wei)，試(shi)(shi)(shi)驗(yan)電壓大(da)小(xiao)由數字電壓表(biao)(biao)指(zhi)示(shi)(shi)。

整個系(xi)統(tong)的(de)工作原理(li)可參(can)看方框圖（圖一）。

四、結構(gou)說明

本(ben)儀器為標準機箱結構(gou)，儀器分(fen)前面板及后面板兩部分(fen)，各(ge)調(diao)節元件的位(wei)置及位(wei)置和功能見(jian)下圖說明。

1、4：長(chang)按改變門窗的位置

2、3：長按改變(bian)門(men)窗的(de)寬度(du)

5：時(shi)鐘設(she)置按鈕

6：按9號鍵鎖定后再按此鍵，即可打(da)印試驗報告(gao)

7：分壓比(bi)設置按鈕

8：門(men)開關(guan)，重復按可(ke)選擇左右門(men)

9：波形鎖定按鍵

10：橢圓旋轉按鈕

11：顯示方式(shi)按鈕(niu)

12：取消(xiao)按(an)鈕

A、B、C通(tong)道選擇旋鈕與后面(mian)板A、B、C測量通(tong)道相對應

備注： 如需數據(ju)導(dao)出，步(bu)驟如下：

（1）在電(dian)腦上安裝好(hao)RS232通用串口線(xian)驅動。（驅動盤里有安裝介紹）及局(ju)放試驗報(bao)告編輯器(qi)軟件。

（2）將(jiang)串口線和局放儀后面的數據接(jie)口連接(jie)好。   

（3）將需要保存的波(bo)形鎖定然后(hou)點擊 局(ju)放試驗(yan)報告編輯器

（4）點擊(ji)Start鍵(jian)生成鎖定后的數(shu)據，然后點擊(ji)測(ce)試報告如下圖所(suo)示(shi)：

（5）點擊(ji)測試(shi)報告后則會出現局放試(shi)驗報告編輯(ji)器可(ke)以根(gen)據需要填寫(xie)上面的(de)內容。

（6）填(tian)寫(xie)好表格后點擊生成報告數(shu)(shu)據會以Word文檔的(de)形式出(chu)現(xian)，再(zai)將數(shu)(shu)據保(bao)存至電腦(nao)，如(ru)下圖所示：

第(di)五章  操作(zuo)說(shuo)明

1、試驗準(zhun)備：將機器后面板的三個開關(guan)都(dou)置于“關(guan)”的狀態

（1）檢查試驗(yan)場地(di)(di)(di)的(de)接地(di)(di)(di)情況(kuang)，將本儀(yi)器后部的(de)接地(di)(di)(di)螺栓用(yong)粗銅(tong)線（*好用(yong)編制銅(tong)帶）與試驗(yan)場地(di)(di)(di)的(de)接地(di)(di)(di)妥善(shan)相接，輸(shu)入單元的(de)接地(di)(di)(di)短路片也要妥善(shan)接地(di)(di)(di)。

（2）根椐試品電(dian)(dian)(dian)容Ca，藕合(he)電(dian)(dian)(dian)容Ck的大小(xiao)，選(xuan)取合(he)適序號的輸入單元（表一），表一中調(diao)諧(xie)電(dian)(dian)(dian)容量(liang)是指從(cong)輸入單元初(chu)級繞組(zu)兩端看到的電(dian)(dian)(dian)容（按Cx和(he)Ck的串聯值(zhi)粗略估算）。

輸(shu)入(ru)單元(yuan)應盡量(liang)靠近被測試品，輸(shu)入(ru)單元(yuan)插(cha)座(zuo)(zuo)經(jing)8米長(chang)電纜與后面板上輸(shu)入(ru)插(cha)座(zuo)(zuo)相接。

（3）試(shi)品(pin)接入輸(shu)入單(dan)元的方法主(zhu)要有以下(xia)幾種(zhong)：

圖(tu)中：Ca——試品    Ck——藕(ou)合電容    Z——阻(zu)塞阻(zu)抗  R3、C3、R4、C4——橋式接法中平衡(heng)調(diao)節阻(zu)抗。

（4）在高壓(ya)端接上(shang)電壓(ya)表電阻或電容分壓(ya)器，其輸出經測量電纜接到后面板試驗電壓(ya)輸入插座30。

（5）在未加試(shi)驗電壓的(de)情況(kuang)下(xia)，將JF-2006校正脈沖(chong)發生器的(de)輸出接試(shi)品兩端。

2、使用步驟

（1）開機準(zhun)備：將時基顯示方式置(zhi)于“橢圓(yuan)”。

（2）放電量(liang)的(de)校(xiao)正：按圖接好線后，在未(wei)加(jia)試(shi)驗電壓之前用LJF-2006校(xiao)正脈沖發生器(qi)予以校(xiao)正。

注意：方波測量盒應盡量靠近試(shi)品的高(gao)壓端。紅端子引線接高(gao)壓端。

然后調節放(fang)大(da)器增益調節，使該注(zhu)入脈沖(chong)高(gao)度適當(dang)（示波屏上(shang)高(gao)度2cm以下），使數字表讀數值與注(zhu)入的(de)已(yi)知電量相(xiang)符。調定后放(fang)大(da)器細(xi)調旋鈕的(de)位(wei)置不能再改變，需保持與校正時(shi)相(xiang)同(tong)。

校正完成后必須去掉校正方(fang)波發生器與試驗回路的連(lian)接。

（3）測試操作：

第六章  抗干擾措施(shi)和局部(bu)放電圖譜(pu)簡介

對于局部放電實(shi)驗我們*怕的就是干擾，下(xia)(xia)面簡單(dan)介紹(shao)一(yi)下(xia)(xia)實(shi)驗中可能遇到的干擾以及抗干擾的方法：

測量的干擾分類(lei)

干擾有(you)來自(zi)電網的和來自(zi)空間的。按表現形式分又分為固(gu)定的和移動的。主(zhu)要的干擾源(yuan)有(you)以下一(yi)些：

①懸浮電位物體放(fang)電，通(tong)過對地雜散電容耦合

②外部**電(dian)暈(yun)

③可控硅元件(jian)在鄰近運行

④繼(ji)電器(qi)，接觸器(qi)，輝光管等(deng)物品

⑤接觸**

⑥無線電干擾

⑦熒光燈(deng)干(gan)擾

⑧電動機干擾

⑨中高頻工業設備

（二）抗(kang)干擾(rao)方(fang)法(fa)

采用帶調壓(ya)器，隔離變壓(ya)器和濾波器的控制電(dian)源

設置屏蔽室，可只屏蔽試驗回路部分

可靠的(de)單點(dian)接(jie)(jie)地(di)，將(jiang)試(shi)驗(yan)回路系(xi)統設計(ji)成(cheng)單點(dian)接(jie)(jie)地(di)結構，接(jie)(jie)地(di)電(dian)阻要小，接(jie)(jie)地(di)點(dian)要與(yu)一(yi)般試(shi)驗(yan)室的(de)地(di)網及電(dian)力(li)網中線分開。

采用高壓(ya)濾波器

用平衡法(fa)或橋(qiao)式試驗電路

利用(yong)時間窗(chuang)，使固定相位干擾處(chu)于亮窗(chuang)之外

采(cai)用較窄頻帶，或用頻帶躲開(kai)干擾大的(de)頻率范圍

在高壓(ya)端加(jia)裝(zhuang)高壓(ya)屏蔽罩或半導體橡膠帽以防電(dian)暈干擾

試(shi)驗(yan)電(dian)路遠離周圍物(wu)體，尤其(qi)是懸浮的金屬(shu)固體！

（三）初做實驗(yan)者對(dui)波(bo)形辨認(ren)還是有一定困難的，下(xia)面就簡單(dan)介紹一     放電類型和干擾(rao)的初步辯認：

1． 典型的(de)內(nei)部氣泡放電的(de)波形特(te)點：(圖 5—01)

A．放電主要(yao)顯示(shi)在(zai)試驗電壓由零(ling)升到(dao)峰值的兩個橢圓(yuan)象限內。

B．在起(qi)始電(dian)壓Ui時，放電通常發生在峰值附近，試驗電壓(ya)超過Ui時(shi)，放電(dian)向零相位延伸。

C．兩個相反半(ban)周上(shang)放(fang)電(dian)次數和幅值大致(zhi)相同（*大相差(cha)至3：1）。

D．放電波形可辯。

E．q與試驗電壓關系不大，但放電重復率n隨試驗電壓(ya)上升而加大。

F．局部放電起(qi)始電壓Ui和(he)熄滅電壓(ya)Ue基本相等。

G．放電(dian)量q與(yu)時間關系(xi)不大。

H．如果放(fang)電量隨(sui)試驗電壓上升而(er)(er)增(zeng)大，并(bing)且放(fang)電波形變(bian)得模糊不可分辨，則往(wang)(wang)往(wang)(wang)是介質內含有多種大小氣泡，或是介質表面(mian)放(fang)電。如果除了(le)上述情況，而(er)(er)且放(fang)電幅值隨(sui)加壓時間而(er)(er)迅速增(zeng)長（可達100倍(bei)或更多），則往(wang)往(wang)是(shi)絕緣(yuan)液體中的(de)氣(qi)泡(pao)放電，典型例子是(shi)油浸紙電容器的(de)放電。

2． 金屬與介(jie)質(zhi)間(jian)氣泡的放電波形特(te)點：               

正半(ban)周有許多(duo)幅(fu)值小(xiao)的放(fang)電(dian)，負半(ban)周有很少幅(fu)值大的放(fang)電(dian)。幅(fu)值相(xiang)差(cha)可達(da)10﹕1，其(qi)他同(tong)上。

典型(xing)例子：絕緣與導體粘附**的聚乙烯電纜的放電。q與試驗電壓(ya)關系不大。（圖 5—02）

如果(guo)隨試驗電(dian)壓升高(gao)，放電(dian)幅值也增大(da)，而且放電(dian)波形(xing)變得模糊，則往往是含有(you)不同大(da)小多個(ge)氣(qi)泡(pao)，或是外(wai)露(lu)的金屬與介質表面(mian)之間出現的表面(mian)放電(dian)。（圖 5—03）

（四）下面介紹一些主(zhu)要視為干擾或非正(zheng)常(chang)放電的情況：

（1）懸浮電位(wei)物體放電波形特(te)點：

在電壓(ya)(ya)峰值前(qian)的正負半周(zhou)兩個象限(xian)里出現幅值。脈沖(chong)數和(he)位置(zhi)均(jun)相同，成(cheng)對出現。放電可(ke)移動(dong)，但它們間的相互間隔不變(bian)，電壓(ya)(ya)升高時，根數增加(jia)，間隔縮小，但幅值不變(bian)。有時電壓(ya)(ya)升到一定值時會消失(shi)，但降(jiang)至此(ci)值又重(zhong)新(xin)出現。

原因(yin)：金屬(shu)間(jian)(jian)的間(jian)(jian)隙產生的放(fang)電(dian)，間(jian)(jian)隙可能是地面上兩個(ge)獨立的金屬(shu)體間(jian)(jian)（通過雜散(san)電(dian)容耦合）也可能在樣品內，例如屏(ping)蔽松散(san)。

（2）外部**電暈放(fang)電波(bo)形(xing)特點(dian)：

起始放(fang)電(dian)僅(jin)出現在(zai)試(shi)驗(yan)電(dian)壓的一個半周(zhou)上，并對稱(cheng)地(di)分(fen)布(bu)在(zai)峰值(zhi)(zhi)兩(liang)(liang)側。試(shi)驗(yan)電(dian)壓升(sheng)高時，放(fang)電(dian)脈沖數急劇增加，但幅值(zhi)(zhi)不變，并向兩(liang)(liang)側伸展。

原因：空氣中高(gao)壓**或(huo)邊緣(yuan)放電(dian)。如果放電(dian)出(chu)現在(zai)負半(ban)周，表(biao)示**處(chu)于高(gao)壓，如果放電(dian)出(chu)現在(zai)正半(ban)周則(ze)**處(chu)于地電(dian)位。

（3）液體介質中的**電(dian)暈(yun)放電(dian)波形(xing)特點：

放電(dian)出現在兩個(ge)半(ban)周上，對稱(cheng)地分布在峰值兩側(ce)。每一組(zu)放電(dian)均為等(deng)間隔，但一組(zu)幅(fu)(fu)(fu)(fu)值較(jiao)大的放電(dian)先出現，隨(sui)試驗電(dian)壓(ya)升高而幅(fu)(fu)(fu)(fu)值增大，不一定等(deng)幅(fu)(fu)(fu)(fu)值；一組(zu)幅(fu)(fu)(fu)(fu)值小(xiao)的放電(dian)幅(fu)(fu)(fu)(fu)值相等(deng)，并且不隨(sui)電(dian)壓(ya)變化。

原(yuan)因：絕緣液體中**或邊緣放電。如(ru)一組(zu)大的放電出(chu)現在正半周，則(ze)**處于高壓；如(ru)出(chu)現在負半周，則(ze)**地電位。

（4）接觸**的干擾圖形。

波(bo)形特點：對(dui)稱地分布在實驗電(dian)(dian)壓零(ling)點兩側(ce)，幅值(zhi)大致不變，但在實驗電(dian)(dian)壓峰值(zhi)附近下(xia)降為零(ling)。波(bo)形粗糙不清晰(xi)，低(di)電(dian)(dian)壓下(xia)即出現(xian)。電(dian)(dian)壓升高時，幅值(zhi)緩慢增加，有時在電(dian)(dian)壓達到一定(ding)值(zhi)后(hou)會(hui)完全(quan)消失。

原因：實驗回(hui)路中金(jin)屬與金(jin)屬**接觸的(de)連(lian)接點(dian)；塑(su)料電纜屏(ping)蔽層半導體粒子的(de)**接觸；電容器鋁箔的(de)插接片等（可將電容器(qi)充(chong)電然后短路來(lai)消除）。               

（5）可(ke)控硅(gui)元件的干擾(rao)圖(tu)形。

波形特點(dian)：位置(zhi)固定，每(mei)只元件產生一個獨立訊(xun)號(hao)。電路(lu)接通，電磁耦合(he)效(xiao)應增(zeng)強(qiang)時(shi)訊(xun)號(hao)幅值增(zeng)加，試驗(yan)調壓時(shi)，該脈沖訊(xun)號(hao)會發生高頻(pin)波形展寬(kuan)，從而占位增(zeng)加。

原因：鄰近有可控硅元件(jian)在運(yun)行。

（6）繼電器、接觸(chu)器、輝光(guang)管等(deng)動作的干擾(rao)。

波形特點：分布不規則或間斷出現，同試驗電壓無關。

原因：熱繼電器、接觸器和各種火花(hua)試驗器及有火花(hua)放(fang)電的(de)記(ji)錄器動作時產生。

（7）熒光燈的干擾(rao)圖(tu)形。

波形(xing)特點：欄柵狀，幅值大致相同的脈(mo)沖，伴有正負半(ban)波對稱出現的兩簇脈(mo)沖組。

原(yuan)因：熒光燈照明                                  ;                                                   

（8）無線(xian)電干擾(rao)的干擾(rao)圖(tu)形(xing)。

波(bo)形特點(dian)：幅值有(you)調制的高頻正(zheng)弦波(bo)，同試驗電壓無關。

原(yuan)因(yin)：無線電話、廣播(bo)話筒、載波通訊等。

（9）電(dian)動機干擾(rao)的干擾(rao)圖(tu)形（圖(tu)5—12）

波形(xing)特點：放(fang)電波形(xing)沿橢圓(yuan)基線均勻分布，每個單(dan)個訊(xun)號呈(cheng)“山”字形(xing)。

原因：帶換向器(qi)的電動機，如電扇、電吹風運轉時的干擾。

（10）中高頻工業設備的干(gan)擾(rao)圖形。

波形(xing)特(te)點(dian)：連續發生，僅出(chu)現在電源波形(xing)的半(ban)周(zhou)內(nei)。

原因：感應(ying)加熱(re)裝置和頻率(lv)接近檢測頻率(lv)的超聲波發(fa)生器等(deng)。

（11）鐵芯磁飽和諧波的(de)干(gan)擾圖形（圖5—14）

波(bo)(bo)形特點：較低頻率的(de)諧波(bo)(bo)振蕩，出現(xian)在兩個半(ban)周上，幅值隨(sui)試驗電壓升高而增大，不(bu)加電壓時消失，有重現(xian)性。

原因：試驗系統各種鐵芯設備（試驗變(bian)(bian)壓(ya)器、濾波電抗(kang)器、隔離(li)變(bian)(bian)壓(ya)器等）磁飽和產(chan)生(sheng)的(de)諧振。                        &nbsp;        

（12）電極(ji)在電場方向(xiang)機械移動的干擾圖形。

波形特(te)點：僅在試(shi)驗電(dian)(dian)壓的半周（正或負）上出(chu)現的與峰值對稱的兩個放電(dian)(dian)響應，幅(fu)值相等，而脈沖(chong)方向相反，起始電(dian)(dian)壓時(shi)兩個脈沖(chong)在峰值處靠得很(hen)近(jin)，電(dian)(dian)壓升高時(shi)逐漸分開(kai)，并可能產生新的脈沖(chong)訊(xun)號對。

原因(yin)：電(dian)極的部(bu)分（尤其是金屬箔(bo)電(dian)極）在電(dian)場(chang)作用(yong)下(xia)運(yun)動(dong)。   ;                       

（14）漏電(dian)痕跡(ji)和(he)樹枝(zhi)放電(dian)

波形(xing)(xing)(xing)特點：放電(dian)訊(xun)號波形(xing)(xing)(xing)與一般典型(xing)圖(tu)象均不(bu)符(fu)合(he)，波形(xing)(xing)(xing)不(bu)規則不(bu)確(que)定。

原因：玷污了的絕緣上漏電(dian)或(huo)絕緣局部過熱而致(zhi)的碳化痕跡或(huo)樹枝通道。

在放電(dian)(dian)測(ce)試(shi)中必須(xu)保證測(ce)試(shi)回路中其它元件(jian)（試(shi)驗(yan)變(bian)壓(ya)(ya)器、阻(zu)(zu)塞線圈、耦合電(dian)(dian)容(rong)器、電(dian)(dian)壓(ya)(ya)表電(dian)(dian)阻(zu)(zu)等）均不放電(dian)(dian)，常用的(de)辦(ban)法(fa)是用與試(shi)品電(dian)(dian)容(rong)數(shu)量級(ji)相(xiang)同(tong)的(de)無放電(dian)(dian)電(dian)(dian)容(rong)或絕緣結構取代試(shi)品試(shi)驗(yan)，看看有無放電(dian)(dian)。

了解了各種放(fang)電類(lei)型的波形特征，來(lai)源以及識(shi)別干(gan)擾(rao)后就(jiu)可按具體情(qing)況(kuang)采取措施排(pai)除干(gan)擾(rao)和正確地進行放(fang)電測量了。

第七章     局部放(fang)電測試當中應該注意的(de)問題

實(shi)驗前，試(shi)品的絕緣表面（尤其是高壓端(duan)）應作清(qing)潔化處理

2、   各連接點應接觸良(liang)好(hao)，尤(you)其是高(gao)壓端(duan)不要留(liu)下尖銳的接點，高(gao)壓導線應盡可能粗以防電暈，可用(yong)蛇皮管(guan)。

輸入(ru)單(dan)元要盡量靠(kao)近(jin)試(shi)品，而且(qie)接地要可(ke)靠(kao)，接地線*好用編織銅帶(dai)。主機也(ye)須接地(di)，以(yi)保(bao)證(zheng)**。

試驗(yan)(yan)回路盡可能(neng)緊湊。即高(gao)壓連線盡可能(neng)短，試驗(yan)(yan)回路所(suo)圍面 積(ji)盡可能小。

在進行110KV及以(yi)上等(deng)級(ji)的(de)局放試驗時，試品周圍的(de)懸浮(fu)金屬物體應妥善接地。

考慮(lv)到油浸式試品局(ju)部放(fang)電存在(zai)滯后(hou)效(xiao)應，因此在(zai)局(ju)放(fang)試驗前幾小時，不要對試品施加超(chao)過局部放電(dian)試驗電(dian)壓的(de)高電(dian)壓。

第八章  附(fu)件

1、專用測量電纜(lan)線6米&nbsp;        2根

2、電源線  &nbsp;            &nbsp;     1根

3、1.0A保險絲              &nbsp;  4根

4、使(shi)用說明書(shu)    &nbsp;   &nbsp;        1份

WBJF-2020校正脈沖發生器使用說明

用途(tu)與適用范圍(wei)：

WBJF-2020校正(zheng)脈沖發(fa)生器(qi)是一個小型的(de)廉(lian)價的(de)電池供電的(de)局部放(fang)電校正(zheng)器(qi)，它適用(yong)于需要攜帶和(he)使用(yong)靈活(huo)的(de)場合。

主要(yao)規格及(ji)技術(shu)參數：

輸出電荷量：5PC  50PC  100PC  500PC

上升(sheng)時間：<100ns

衰減時(shi)間：>100us

極(ji)(ji)性：正、負極(ji)(ji)性

重復頻率：1KHz

頻率變化：>±100Hz

尺寸：160×120×50mm

重量：0.5Kg

電池：6F22  9V

操作與(yu)作用：

首先打開WBJF-2020校(xiao)正脈沖發生器(qi)后蓋(gai)板，裝入電(dian)池，蓋(gai)好(hao)蓋(gai)板。將輸出紅黑(hei)兩個(ge)端子(zi)接(jie)上(shang)導(dao)線，紅端子(zi)上(shang)的(de)導(dao)線盡量且靠近試品的(de)高(gao)壓端，黑(hei)端導(dao)線接(jie)試品和低壓端，將校(xiao)正電(dian)量開關置于合(he)適的(de)位(wei)置，即可校(xiao)正，頻(pin)率可在1KHz附近調節，面板上電壓表(biao)指示(shi)機內電源的情況(kuang)，一般(ban)指示(shi)8V以上才(cai)能(neng)保證工作，低于8V則需調換(huan)電池(chi)。

校正(zheng)后(hou)切記將校正(zheng)脈沖發生器取下！