**章 WBTCD-9308智(zhi)能局放檢定裝(zhuang)置(zhi)局(ju)放理(li)論概述

在開始我(wo)(wo)們的實驗(yan)以前，我(wo)(wo)們首先(xian)應該(gai)對局(ju)(ju)部(bu)放電有個初步的了解，為(wei)什么(me)要(yao)測(ce)量局(ju)(ju)部(bu)放電？局(ju)(ju)部(bu)放電有什么(me)危害(hai)？怎(zen)樣準確(que)測(ce)量局(ju)(ju)部(bu)放電？有了上述理(li)論基礎可以幫助我(wo)(wo)們理(li)解測(ce)量過(guo)程中的正確(que)操作。

一、局部放電的定義及(ji)產(chan)生原(yuan)因

在(zai)(zai)(zai)電(dian)(dian)(dian)場作用下(xia)，絕緣(yuan)系統中只有部(bu)(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen)區域發(fa)生(sheng)(sheng)放(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)，但(dan)尚未擊(ji)(ji)穿，（即在(zai)(zai)(zai)施加(jia)電(dian)(dian)(dian)壓(ya)的導體之間(jian)沒有擊(ji)(ji)穿）。這種現象(xiang)稱(cheng)之為(wei)局(ju)(ju)部(bu)(bu)(bu)(bu)放(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)。局(ju)(ju)部(bu)(bu)(bu)(bu)放(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)可能發(fa)生(sheng)(sheng)在(zai)(zai)(zai)導體邊上，也可能發(fa)生(sheng)(sheng)在(zai)(zai)(zai)絕緣(yuan)體的表面上和內部(bu)(bu)(bu)(bu)，發(fa)生(sheng)(sheng)在(zai)(zai)(zai)表面的稱(cheng)為(wei)表面局(ju)(ju)部(bu)(bu)(bu)(bu)放(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)。發(fa)生(sheng)(sheng)在(zai)(zai)(zai)內部(bu)(bu)(bu)(bu)的稱(cheng)為(wei)內部(bu)(bu)(bu)(bu)局(ju)(ju)部(bu)(bu)(bu)(bu)放(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)。而對于被氣(qi)體包圍的導體附(fu)近發(fa)生(sheng)(sheng)的局(ju)(ju)部(bu)(bu)(bu)(bu)放(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)，稱(cheng)之為(wei)電(dian)(dian)(dian)暈。由此 總結一(yi)下(xia)局(ju)(ju)部(bu)(bu)(bu)(bu)放(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)的定義，指部(bu)(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen)的橋接導體間(jian)絕緣(yuan)的一(yi)種電(dian)(dian)(dian)氣(qi)放(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)，局(ju)(ju)部(bu)(bu)(bu)(bu)放(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)產(chan)生(sheng)(sheng)原因(yin)主(zhu)要有以下(xia)幾(ji)種：

電場(chang)不(bu)均勻。

電介(jie)質不均勻。

制(zhi)造(zao)過(guo)程的(de)氣泡或雜質。*經常發(fa)生(sheng)放電的(de)原因是(shi)絕(jue)緣體內部或表面存在氣泡；其次是(shi)有(you)些(xie)設備(bei)的(de)運行過(guo)程中會發(fa)生(sheng)熱脹冷縮,不同材料(liao)特別是導體(ti)與介質的(de)膨脹系數不同，也會逐漸出(chu)現裂(lie)縫；再有(you)一些(xie)是在(zai)運行過(guo)程(cheng)中(zhong)有(you)機高分子的(de)老化(hua)，分解出(chu)各種(zhong)揮發物(wu)，在(zai)高場(chang)強的(de)作用下，電荷不斷地由(you)導體(ti)進入介質中(zhong)， 在(zai)注入點上就會使介質氣化(hua)。

二 、WBTCD-9308智能局放檢定裝(zhuang)置局部放(fang)電的模擬電路(lu)及放(fang)電過程簡介

介質內部(bu)含有氣泡，在(zai)交流(liu)電壓下產(chan)生(sheng)的(de)內部(bu)放電特性可由圖1—1的模擬電(dian)路(lu)(a b c等值電路)予以(yi)表示；其中Cc是模擬介(jie)質中產(chan)生(sheng)放電間隙(如氣(qi)泡)的電(dian)容(rong)；Cb代表與Cc串聯部分介(jie)質(zhi)的合成(cheng)電容；Ca表示其(qi)余部分介質的電(dian)容。

I——介(jie)質有缺陷(xian)(氣泡(pao))的(de)部(bu)份(虛線(xian)表示)

II——介(jie)質無缺陷部份

圖(tu)1—1  表示具有內部(bu)放電(dian)的(de)模擬電(dian)路

圖1—1中(zhong)以并聯有(you)—對火花間隙的電容Cc來模擬產(chan)生(sheng)局部放(fang)電的內部氣泡。圖1—2表示了在交(jiao)流電(dian)壓下局部(bu)放電(dian)的發生(sheng)過程。

U(t)一一外施(shi)交流電壓

Uc(t)一(yi)一(yi)氣泡(pao)不擊穿(chuan)時在氣泡(pao)上的電壓

Uc’(t)一一有局部放電時氣泡上(shang)的實際電壓

Vc一(yi)一(yi)氣泡的擊穿電壓

Y r一一氣泡的殘余(yu)電(dian)壓   

Us—局部放電(dian)起始電(dian)壓(ya)(瞬時值)

Ur一一與氣泡殘余(yu)電壓v r對(dui)應的(de)外施電壓

Ir一(yi)一(yi)氣泡(pao)中的放電(dian)電(dian)流

電極(ji)間總電容Cx=Ca＋(Cb×Cc)/(Cb＋Cc)=Ca電(dian)極間施加交流(liu)電(dian)壓(ya) u(t)時，氣(qi)泡電容Cc上(shang)對(dui)應的電壓為Uc(t)。如(ru)圖2—1所(suo)示，此時的Uc(t)所代表的(de)是氣泡理想(xiang)狀態(tai)下(xia)的(de)電壓（既氣泡不發生擊(ji)穿(chuan)）。

Uc(t)=U(t)×Cb/Cc＋Cb

外施電(dian)壓U(t)上(shang)升時(shi)，氣(qi)泡上(shang)電(dian)壓Uc(t)也上(shang)升，當U(t)上升到Us時(shi)，氣(qi)泡上電壓Uc達(da)到氣泡(pao)擊穿電壓,氣(qi)泡(pao)(pao)擊穿，產生大量的(de)正、負離子，在電(dian)場(chang)作用下各自(zi)遷移(yi)到氣(qi)泡(pao)(pao)上(shang)下壁，形成(cheng)空間電(dian)菏，建(jian)立反電(dian)場(chang)，削(xue)弱了氣(qi)泡(pao)(pao)內(nei)的(de)總(zong)電(dian)場(chang)強度，使放(fang)電(dian)熄滅，氣(qi)泡(pao)(pao)又恢復(fu)絕(jue)緣(yuan)性能。這樣的(de)一(yi)次放(fang)電(dian)持續時(shi)間是極短暫的(de)，對一(yi)般的(de)空氣(qi)氣(qi)泡(pao)(pao)來說，大約只有幾個毫微秒(10的負8次(ci)方到10的負9次方秒)。所以電壓(ya)Uc(t)幾乎瞬間地從Vc降到Vr，Vr是殘余電壓；而氣泡上電壓Uc‘(t)將隨U(t)的增大而繼續(xu)由Vr升高到Vc時，氣泡(pao)再(zai)—次(ci)擊穿，發生又—次(ci)局部放(fang)電，但此時相應的外(wai)施電壓比Us小，為(Us-Ur)，這是因(yin)為氣泡上有殘(can)余電壓Vr的內電場作用的結果。Vr是與氣泡殘余電壓Yr相(xiang)應的外(wai)施(shi)電(dian)(dian)壓，如此反復(fu)上述過程(cheng)，即外(wai)施(shi)電(dian)(dian)壓每(mei)增加(Us-Ur)，就產生(sheng)一次局部放電．直到前—次放(fang)電熄滅后，Uc’(t)上升到峰值時(shi)共增量不足(zu)以達(da)Vc(相當于外(wai)施(shi)電(dian)壓的增量Δ比(Us-Ur)小(xiao))為止(zhi)。

此(ci)后，隨著外施電壓U(t)經過峰(feng)值(zhi)Um后(hou)減(jian)小，外施(shi)電壓在氣(qi)泡中建立反(fan)方向(xiang)電場，由于氣(qi)泡中殘存的(de)內電場電壓方向(xiang)與外電場方向(xiang)相反(fan)，故(gu)外施(shi)電壓須經(jing)(Us+Ur))的電(dian)壓(ya)變(bian)化(hua)，才能使氣泡上的電(dian)壓(ya)達(da)到擊穿電(dian)壓(ya)Vc，(假定正、負方(fang)向擊穿電壓Vc相等(deng))，產生一次局部放(fang)電(dian)。放(fang)電(dian)很快熄滅，氣泡中電(dian)壓(ya)瞬(shun)時降到殘余電(dian)壓(ya)Vr(也假定正、負方向相(xiang)同)。外施電(dian)壓繼續下降，當再下降(Us-Ur)時，氣泡電壓就又達到Vc從而又產生(sheng)一(yi)次局部(bu)放(fang)電(dian)。如此(ci)重(zhong)復上述過(guo)程，直到外施電(dian)壓升到反(fan)向蜂值一(yi)Um的增量(liang)Δ不足以(yi)達到(Us-Ur)為止。外施電壓經過(guo)一Um峰值后，氣(qi)泡(pao)上(shang)的外(wai)電場(chang)方(fang)向又變為正(zheng)方(fang)向，與(yu)氣(qi)泡(pao)殘余電壓方(fang)向相反，故外(wai)施電壓又須上(shang)升(Us+Ur)產生第—次放電，熄滅(mie)后，每(mei)經過Us—Ur的(de)電(dian)壓上升(sheng)就產生一次(ci)放電(dian)，重復前面所介紹的(de)過程。如圖(tu)1—2所示。

由(you)以(yi)上局(ju)部(bu)放(fang)電過程分(fen)析，同(tong)(tong)時根據局(ju)部(bu)放(fang)電的特點（同(tong)(tong)種試品(pin)，同(tong)(tong)樣(yang)的環境下，電壓越(yue)高局(ju)部(bu)放(fang)電量越(yue)大(da)）可以(yi)知道：一般(ban)情況下，同(tong)(tong)一試品(pin)在(zai)一、三(san)象(xiang)限(xian)的局(ju)部(bu)放(fang)電量大(da)于二、四(si)象(xiang)限(xian)的局(ju)部(bu)放(fang)電量。那是(shi)(shi)因為(wei)它們(men)(men)是(shi)(shi)電壓的上升(sheng)沿。（第三(san)象(xiang)限(xian)是(shi)(shi)電壓負(fu)的上升(sheng)沿）。這就是(shi)(shi)我(wo)們(men)(men)測量中(zhong)為(wei)什(shen)么把(ba)時間窗刻意擺在(zai)一、三(san)象(xiang)限(xian)的原(yuan)因。

三、WBTCD-9308智(zhi)能局放檢定裝置局部放電的測量原理(li)：

四、WBTCD-9308智能局放檢定裝置局部放(fang)電的表征參數

局(ju)部(bu)放(fang)(fang)電(dian)是比較復(fu)雜的(de)物理現象(xiang)，必須通(tong)過(guo)(guo)多種表征參(can)數才能**的(de)描(miao)繪(hui)其狀態，同(tong)時局(ju)部(bu)放(fang)(fang)電(dian)對絕(jue)緣(yuan)破壞的(de)機理也是很(hen)復(fu)雜的(de)，也需(xu)要通(tong)過(guo)(guo)不同(tong)的(de)參(can)數來評定它對絕(jue)緣(yuan)的(de)損害，目(mu)前我們只關心兩個基本參(can)數。

視在放電(dian)電(dian)荷——在絕(jue)緣(yuan)體中發生局部放電時，絕(jue)緣(yuan)體上(shang)施加(jia)電壓的兩(liang)端出(chu)現的脈動電荷稱之(zhi)為視在放電電荷，單位用皮(pi)庫(ku)（pc）表示，通常以(yi)穩定(ding)出(chu)現(xian)的*大視在放電(dian)電(dian)荷作為該試品的放電(dian)量。

放電重復率(lv)——在測量時間內每秒中出現(xian)的(de)放電(dian)次(ci)數(shu)的(de)平均值稱為放電(dian)重復率，單位(wei)為次(ci)/秒，放電重復率(lv)越(yue)高，對絕緣的損(sun)害越(yue)大。

**章  局放測試(shi)的試(shi)驗系統(tong)接(jie)線。

在了解(jie)了局部放(fang)電(dian)的(de)基本理論之后，在本章我(wo)們(men)的(de)重點轉向實際操作，我(wo)們(men)先介(jie)紹局部放(fang)電(dian)測試中常用的(de)三種(zhong)接法，隨后我(wo)們(men)再介(jie)紹整個系統的(de)接線電(dian)路，*后我(wo)們(men)再分別介(jie)紹幾種(zhong)典型的(de)試品的(de)試驗線路。

一、局放(fang)電(dian)測試電(dian)路(lu)的三種基本接法及優缺點。

（1）   標準試驗電(dian)路(lu)，又稱并聯(lian)法。適合于必須(xu)接(jie)地的試品。其缺點(dian)是高壓引線對地(di)雜散(san)電容并聯在 CX上(shang)，會降低測(ce)試靈敏度。

（2）接法(fa)的串聯法(fa)，其要求試品低壓端對地浮置。其(qi)優點是(shi)變壓(ya)器入(ru)口電容、高壓(ya)線(xian)對地(di)雜散(san)電容與耦(ou)合電容CK并聯，有利于提高試驗靈敏(min)度。缺點是(shi)試樣損(sun)壞(huai)時會損(sun)壞(huai)輸(shu)入(ru)單元。

（3）平衡法試(shi)(shi)驗電路：要求兩(liang)個(ge)試(shi)(shi)品相接(jie)近，至少電容量為同一數量級其優點是外干(gan)擾強烈的(de)情(qing)況(kuang)下，可取(qu)得較好抑制(zhi)干(gan)擾的(de)效果，并可消除變(bian)壓器雜散(san)電容的(de)影響(xiang)，而且(qie)可做大電容試(shi)(shi)驗。缺點是須要兩(liang)個(ge)相似的(de)試(shi)(shi)品，且(qie)當產生放電時，需設法判別是哪個(ge)試(shi)(shi)品放電。

值得提出的是(shi)：由于(yu)現(xian)(xian)場試驗條件(jian)的限制（找到(dao)兩個相似的試品且要保證(zheng)一個試品無放(fang)電(dian)不太容易(yi)），所以在現(xian)(xian)場平衡法比較難實現(xian)(xian)，另(ling)外，由(you)于采用串聯法時，如果試品擊(ji)穿，將會對設備造成比較大的損害，所以出于對設備保護(hu)的想(xiang)法，在現場試驗時一般采用并聯法。

二、WBTCD-9308智能(neng)局放檢定(ding)裝置(zhi)采用并(bing)聯法(fa)的整個系(xi)統的接線原(yuan)理圖(tu)。

該系(xi)統采用(yong)脈沖電(dian)(dian)(dian)流(liu)法檢測(ce)(ce)高壓試品(pin)的(de)局部(bu)放(fang)電(dian)(dian)(dian)量(liang)，由控制臺控制調壓器(qi)和變壓器(qi)在試品(pin)的(de)高壓端(duan)產生測(ce)(ce)試局放(fang)所需的(de)預(yu)加電(dian)(dian)(dian)壓和測(ce)(ce)試電(dian)(dian)(dian)壓，通過無局放(fang)藕合(he)電(dian)(dian)(dian)容(rong)器(qi)和檢測(ce)(ce)阻抗(kang)將局部(bu)放(fang)電(dian)(dian)(dian)信號取出并(bing)(bing)送(song)至局部(bu)放(fang)電(dian)(dian)(dian)檢測(ce)(ce)儀顯示并(bing)(bing)判斷(duan)和測(ce)(ce)量(liang)。系(xi)統中的(de)高壓電(dian)(dian)(dian)阻為了(le)防止在測(ce)(ce)試過程中試品(pin)擊(ji)穿而損壞其他設備(bei)，兩個電(dian)(dian)(dian)源濾波器(qi)是將電(dian)(dian)(dian)源的(de)干擾和整(zheng)個測(ce)(ce)試系(xi)統分開，降低整(zheng)個測(ce)(ce)試系(xi)統的(de)背景(jing)干擾。

根(gen)據(ju)上述原理圖可(ke)以看(kan)出(chu)，局部(bu)(bu)放電測試的(de)靈敏(min)度和準(zhun)(zhun)確(que)度和整個(ge)系(xi)統密切相關，要想(xiang)順利和準(zhun)(zhun)確(que)的(de)進行局部(bu)(bu)放電測試，就必須將整個(ge)系(xi)統考濾周(zhou)到，包括系(xi)統的(de)參數(shu)選(xuan)取和連接方(fang)式。另外，在現場(chang)試驗時(shi)，由于是驗證性(xing)試驗，高壓限流電阻可(ke)以省掉(diao)。

三(san)、幾(ji)種典型試品的接線原理(li)圖。

（1）電流互感器的局放測試接線原理(li)圖

（2）電壓互(hu)感(gan)器的局放(fang)測試接線原理圖(tu)

A．工(gong)頻加壓方式(shi)接線原(yuan)理圖

為(wei)了防止電(dian)(dian)壓互感(gan)器(qi)在(zai)工頻電(dian)(dian)壓下(xia)(xia)產(chan)生大的(de)勵(li)磁電(dian)(dian)流而損壞，高壓電(dian)(dian)壓互感(gan)器(qi)一(yi)般采取自(zi)激勵(li)的(de)加壓方(fang)式。在(zai)電(dian)(dian)壓互感(gan)器(qi)的(de)低壓側加一(yi)倍頻電(dian)(dian)源，在(zai)電(dian)(dian)壓互感(gan)器(qi)的(de)高壓端(duan)感(gan)應出高壓來(lai)進行局部(bu)放電(dian)(dian)實驗。這就是通(tong)常所說的(de)三倍頻實驗。其接線原理圖(tu)如(ru)下(xia)(xia)：

(3)高壓電容器(qi).絕緣子的局放測試接線原理圖(tu)

(4) 發電機的(de)局(ju)放測試接線原理圖

（5）變(bian)壓(ya)器(qi)的局部(bu)放電測試(shi)接(jie)線原理圖

我們(men)僅僅是在(zai)原理性的總結(jie)了幾(ji)種(zhong)(zhong)典型試(shi)品的接(jie)線原理圖，至于(yu)各(ge)種(zhong)(zhong)試(shi)品的加壓方式(shi)和加壓值的多(duo)少，我們(men)在(zai)做試(shi)驗的時侯(hou)要嚴格遵守每種(zhong)(zhong)試(shi)品的出廠檢(jian)驗標(biao)準(zhun)或交接(jie)檢(jian)驗標(biao)準(zhun)。

第三章(zhang)  概述

WBTCD-9308智(zhi)能(neng)局(ju)(ju)部放電(dian)(dian)(dian)檢(jian)測(ce)(ce)儀(yi)(yi)是我公(gong)司*新推(tui)向市(shi)場的(de)(de)新一(yi)代數字智(zhi)能(neng)儀(yi)(yi)器，該儀(yi)(yi)器在原有(you)產品WBJF-2010、JF-2020局(ju)(ju)放儀(yi)(yi)的(de)(de)基礎上(shang)采用嵌入式ARM系(xi)統作為中(zhong)央處理(li)單元，控制12位(wei)分辨率的(de)(de)高速模(mo)數轉換芯片進行(xing)數據采集，將采集到的(de)(de)數據存放在雙端口RAM中(zhong)。實(shi)現從模(mo)擬(ni)到數字的(de)(de)跨(kua)越。使用26萬(wan)色高分辨率TFT-LCD數字液晶顯(xian)示模(mo)組實(shi)時(shi)顯(xian)示放電(dian)(dian)(dian)脈沖波形，配備(bei)VGA接(jie)口，可外接(jie)顯(xian)示器。與傳統的(de)(de)模(mo)擬(ni)式示波管顯(xian)示局(ju)(ju)部放電(dian)(dian)(dian)檢(jian)測(ce)(ce)儀(yi)(yi)相比有(you)以下特(te)點：

1.彩色顯(xian)示(shi)器，雙(shuang)色顯(xian)示(shi)波(bo)形(xing)，更清晰直(zhi)觀；

2.可鎖(suo)定波形(xing)，更方便仔細(xi)(xi)查看(kan)放電(dian)波形(xing)細(xi)(xi)節(jie)；

3.自動(dong)測量并顯示試(shi)驗電源時(shi)基(ji)頻率，無需手動(dong)切換(huan)；

4.配備VGA接(jie)(jie)口，可外接(jie)(jie)大尺寸顯(xian)示器；

5.與(yu)示波管相比(bi)壽命更長(chang)。

6.具(ju)有(you)波(bo)形鎖定(ding)、打印試驗報告功能

本儀器(qi)檢測靈敏度高，試樣電(dian)(dian)容覆蓋范(fan)圍大，適用試品范(fan)圍廣(guang)，輸(shu)入(ru)單元（檢測阻抗）配備齊全，頻帶組合多(duo)（九種）。儀器(qi)經適當定標(biao)后能(neng)直讀放電(dian)(dian)脈(mo)沖的放電(dian)(dian)量。

本儀器是電(dian)力部門、制造廠(chang)家(jia)和科研單位(wei)等廣泛使用(yong)的局部放電(dian)測試儀器。

第四(si)章(zhang)  主(zhu)要(yao)技術指標：

1．可測(ce)試(shi)品的(de)電容范圍： 6PF—250uF。

2．檢測靈敏(min)度(du)（見(jian)表一）：

表一(yi)

（1）低端：10KHZ、20KHZ、40KHZ任(ren)選。

（2）**：80KHZ、200KHZ、300KHZ任選。

4、放大器增益調(diao)節：

粗調(diao)六檔(dang)(dang)(dang)，檔(dang)(dang)(dang)間增益(yi)20±1dB；細(xi)調(diao)范(fan)圍≥20dB。每檔(dang)(dang)(dang)之(zhi)間數據(ju)為(wei)(wei)10倍(bei)關系：如第三檔(dang)(dang)(dang)檢(jian)測數據(ju)為(wei)(wei)98，則**檔(dang)(dang)(dang)顯(xian)示數據(ju)為(wei)(wei)9.8，如在第三檔(dang)(dang)(dang)檢(jian)測數據(ju)超過120，則應調(diao)至**檔(dang)(dang)(dang)來檢(jian)測數據(ju)，所得數據(ju)應乘以10才(cai)為(wei)(wei)實際測量值。

5、時(shi)間(jian)窗：

（1）窗寬：可調(diao)范圍15°-175°；

（2）窗位置(zhi)：每一窗可旋轉0°- 180°；

（3）兩個時間窗可分(fen)別開或同時開。

6、放電量表：

0-100誤差<±3％（以(yi)滿度計）。

7、橢圓(yuan)時基：

（1）頻率：50HZ、或外部(bu)電源同步（任意頻率）

（2）橢圓(yuan)旋(xuan)轉(zhuan)：以(yi)30°為一檔，可作360°旋(xuan)轉(zhuan)。

（3）顯示方式：橢圓—直線。

8、試(shi)驗電壓表：

精度(du)：優(you)于±3％（以滿度(du)計(ji)）。

9、體積： 320×480×190（寬(kuan)×深×高）mm³。

10、重量：約15Kg。

三、系統工作原理(li)：

本機的(de)局部放電(dian)測試原理是高頻脈沖電(dian)流測量法（ERA法）。

試(shi)品Ca在試(shi)驗電(dian)壓下產(chan)(chan)生(sheng)局部放(fang)(fang)(fang)電(dian)時，放(fang)(fang)(fang)電(dian)脈(mo)沖(chong)信號經(jing)藕合(he)電(dian)容(rong)Ca送(song)入(ru)輸入(ru)單元，由輸入(ru)單元拾(shi)取到脈(mo)沖(chong)信號，經(jing)低噪聲前置放(fang)(fang)(fang)大(da)器放(fang)(fang)(fang)大(da)，濾(lv)波放(fang)(fang)(fang)大(da)器選(xuan)擇所需(xu)(xu)頻(pin)帶及(ji)主放(fang)(fang)(fang)大(da)器放(fang)(fang)(fang)大(da)（達到所需(xu)(xu)幅值(zhi)(zhi)與(yu)產(chan)(chan)生(sheng)零標志脈(mo)沖(chong)）后，在示波屏的(de)橢圓(yuan)掃描基線上(shang)產(chan)(chan)生(sheng)可見的(de)放(fang)(fang)(fang)電(dian)脈(mo)沖(chong)，同時也送(song)至脈(mo)沖(chong)峰值(zhi)(zhi)表顯(xian)示其峰值(zhi)(zhi)。

時(shi)間窗(chuang)單(dan)元控制試驗電壓每一周期(qi)內脈沖峰值的工作時(shi)間，并在這(zhe)段時(shi)間內將(jiang)示波屏(ping)的相(xiang)(xiang)應顯示區加亮，用它可以排除固定相(xiang)(xiang)位(wei)的干擾。

試(shi)驗電(dian)壓(ya)(ya)表經電(dian)容分壓(ya)(ya)器產生試(shi)驗電(dian)壓(ya)(ya)過(guo)(guo)零(ling)標(biao)志訊號，在示(shi)波(bo)屏上(shang)顯(xian)示(shi)零(ling)標(biao)脈沖，橢圓時基上(shang)兩個零(ling)標(biao)脈沖，通過(guo)(guo)時間窗的(de)寬窄(zhai)調節可確定試(shi)驗電(dian)壓(ya)(ya)的(de)相位，試(shi)驗電(dian)壓(ya)(ya)大小由數字電(dian)壓(ya)(ya)表指示(shi)。

整個系(xi)統的工作原理可參看(kan)方框圖(tu)（圖(tu)一）。

四、結構說(shuo)明(ming)

本儀器(qi)為(wei)標準機箱結構，儀器(qi)分(fen)前面板(ban)及(ji)后面板(ban)兩(liang)部分(fen)，各調節(jie)元件的位(wei)置及(ji)位(wei)置和功能見下圖說明。

1、4：長按改(gai)變(bian)門窗的位置

2、3：長按改(gai)變門窗的寬度(du)

5：時(shi)鐘設(she)置(zhi)按鈕

6：按9號(hao)鍵鎖(suo)定后(hou)再(zai)按此(ci)鍵，即(ji)可打印試(shi)驗報告

7：分壓比設(she)置按鈕

8：門開關，重(zhong)復按可選擇(ze)左右門

9：波形鎖(suo)定按鍵

10：橢圓旋轉按鈕(niu)

11：顯示(shi)方(fang)式按鈕

12：取消按鈕

A、B、C通道選擇旋(xuan)鈕與后面板A、B、C測量通道相對應

備注(zhu)： 如需數據(ju)導出，步驟如下(xia)：

（1）在電腦上安裝好RS232通(tong)用串口線驅(qu)動。（驅(qu)動盤(pan)里有安裝介紹）及局放(fang)試驗報告編輯器軟件。

（2）將(jiang)串口線和局(ju)放儀后(hou)面的數據接口連接好。&nbsp;  

（3）將需要(yao)保存的(de)波形(xing)鎖定然后(hou)點擊(ji) 局放試驗報告編輯器(qi)

（4）點擊Start鍵生成鎖定后的數據，然后點擊測試報告如下圖所示：

（5）點擊測(ce)試報告后則會出現局放試驗報告編輯器可以根(gen)據需要(yao)填寫上面的內(nei)容。

（6）填寫好表格后點(dian)擊生成報告數據會(hui)以Word文(wen)檔的形式出現，再(zai)將數據保存至(zhi)電(dian)腦，如(ru)下圖所(suo)示(shi)：

第五章(zhang)  操作說明(ming)

1、試驗準備：將機(ji)器(qi)后面板的(de)三個開關都置于(yu)“關”的(de)狀態

（1）檢查試驗場地(di)(di)的接地(di)(di)情況，將本儀器后部的接地(di)(di)螺(luo)栓用粗(cu)銅線（*好用編制銅帶）與試驗場地(di)(di)的接地(di)(di)妥(tuo)善(shan)相接，輸入單元的接地(di)(di)短路片也要(yao)妥(tuo)善(shan)接地(di)(di)。

（2）根椐試品電(dian)容(rong)Ca，藕合電(dian)容(rong)Ck的大(da)小(xiao)，選取合適序號的輸(shu)入(ru)單元（表一(yi)），表一(yi)中調(diao)諧電(dian)容(rong)量(liang)是指從(cong)輸(shu)入(ru)單元初級繞組(zu)兩端看到的電(dian)容(rong)（按Cx和(he)Ck的串(chuan)聯值粗略估算(suan)）。

輸(shu)(shu)入單元應(ying)盡量靠近被測試品(pin)，輸(shu)(shu)入單元插(cha)(cha)座(zuo)經(jing)8米長電纜與后面板上輸(shu)(shu)入插(cha)(cha)座(zuo)相接。

（3）試品接入輸入單(dan)元(yuan)的方法主要有(you)以(yi)下(xia)幾種：

圖中：Ca——試(shi)品    Ck——藕合電容    Z——阻(zu)塞(sai)阻(zu)抗  R3、C3、R4、C4——橋式接法中平衡調節阻(zu)抗。

（4）在高壓(ya)(ya)(ya)端接上電(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)表電(dian)(dian)阻(zu)或電(dian)(dian)容分壓(ya)(ya)(ya)器(qi)，其輸出經測量電(dian)(dian)纜接到后面板試驗電(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)輸入插座30。

（5）在(zai)未加試(shi)驗(yan)電壓的情況下，將JF-2006校正脈沖發生器的輸出接試(shi)品兩端。

2、使用步驟

（1）開機(ji)準(zhun)備：將時基顯示(shi)方(fang)式置于“橢圓”。

（2）放電量(liang)的校(xiao)正：按圖接(jie)好線后，在未加試(shi)驗電壓之前用(yong)LJF-2006校(xiao)正脈(mo)沖(chong)發(fa)生器予以校(xiao)正。

注意：方(fang)波測量盒應(ying)盡量靠近試(shi)品(pin)的高壓端。紅端子引線接高壓端。

然后(hou)(hou)調(diao)節放(fang)大器增益調(diao)節，使該注(zhu)入脈沖高(gao)度(du)適當（示波屏上(shang)高(gao)度(du)2cm以下），使數字表讀數值與(yu)注(zhu)入的已知電量(liang)相符。調(diao)定后(hou)(hou)放(fang)大器細調(diao)旋鈕的位置不能再改變，需(xu)保(bao)持(chi)與(yu)校正時相同。

校(xiao)正完成后必須(xu)去(qu)掉校(xiao)正方(fang)波發生(sheng)器與(yu)試驗回路的(de)連接。

（3）測試操作：

第六章(zhang)  抗干(gan)擾措施和局部放電(dian)圖(tu)譜簡(jian)介

對于局部放電實驗(yan)我(wo)們*怕的(de)就(jiu)是干(gan)擾，下(xia)面簡單介紹一(yi)下(xia)實驗(yan)中可(ke)能遇(yu)到的(de)干(gan)擾以(yi)及抗干(gan)擾的(de)方法：

測量的干擾分類

干擾有(you)來(lai)自(zi)電(dian)網的(de)和來(lai)自(zi)空間的(de)。按(an)表現形式分又分為(wei)固定的(de)和移動的(de)。主要的(de)干擾源有(you)以下一些：

①懸浮電(dian)位物體放電(dian)，通過對地(di)雜(za)散電(dian)容耦合

②外部**電暈

③可控(kong)硅(gui)元件在(zai)鄰近運(yun)行

④繼電器，接觸器，輝光管等物(wu)品(pin)

⑤接觸**

⑥無線電干擾(rao)

⑦熒光燈干擾(rao)

⑧電動機干擾(rao)

⑨中高(gao)頻工(gong)業(ye)設備

（二）抗干擾方法

采用帶調壓器(qi)，隔(ge)離變壓器(qi)和(he)濾波器(qi)的控制電源

設置屏蔽室，可只屏蔽試驗回路部分(fen)

可靠的(de)單點(dian)接(jie)(jie)(jie)地(di)，將試驗回路系統設計成(cheng)單點(dian)接(jie)(jie)(jie)地(di)結構，接(jie)(jie)(jie)地(di)電(dian)阻要(yao)小，接(jie)(jie)(jie)地(di)點(dian)要(yao)與一般(ban)試驗室的(de)地(di)網及(ji)電(dian)力網中(zhong)線分(fen)開。

采用高壓濾(lv)波(bo)器(qi)

用(yong)平衡法或(huo)橋式試驗電路

利(li)用時間窗，使固定相位干擾處于亮窗之外

采用較窄(zhai)頻帶，或用頻帶躲開干擾大的頻率范圍

在高壓端加(jia)裝高壓屏蔽罩或半導體橡(xiang)膠帽以防(fang)電暈干(gan)擾

試驗電(dian)路遠離周圍(wei)物(wu)體，尤其是(shi)懸浮的金屬固體！

（三）初做實驗者對(dui)波(bo)形(xing)辨(bian)認還(huan)是有一定困(kun)難的，下面就簡單介紹一     放電類型和(he)干擾的(de)初步(bu)辯認：

1． 典(dian)型的內部(bu)氣泡放電的波形(xing)特(te)點：(圖(tu) 5—01)

A．放電主要顯(xian)示在(zai)試驗(yan)電壓由零升到峰(feng)值的兩個橢圓象限內。

B．在起始電壓Ui時(shi)，放電通常發生在峰值附近(jin)，試驗(yan)電壓超過Ui時，放電向零相位延伸(shen)。

C．兩個相反半(ban)周上放(fang)電次數和幅值大致相同(tong)（*大相差至(zhi)3：1）。

D．放電波形(xing)可(ke)辯。

E．q與試驗電壓關系不(bu)大，但放電重(zhong)復率n隨(sui)試驗電壓上升而加大。

F．局部放電起(qi)始電壓(ya)Ui和熄滅電(dian)壓Ue基本相等。

G．放電量q與(yu)時(shi)間關(guan)系不(bu)大。

H．如果放(fang)電(dian)(dian)量隨試驗電(dian)(dian)壓上升而增(zeng)大，并且放(fang)電(dian)(dian)波(bo)形變得模糊不(bu)可(ke)分辨(bian)，則往(wang)往(wang)是(shi)介質內含有多(duo)種大小氣泡，或是(shi)介質表面放(fang)電(dian)(dian)。如果除了上述情況，而且放(fang)電(dian)(dian)幅值隨加壓時間而迅速(su)增(zeng)長（可(ke)達(da)100倍或更(geng)多），則往往是(shi)絕緣液體中的(de)氣泡放(fang)電，典型(xing)例(li)子是(shi)油浸紙(zhi)電容器(qi)的(de)放(fang)電。

2． 金(jin)屬與(yu)介(jie)質間氣泡的(de)放電(dian)波形(xing)特(te)點：               

正半周有許多幅(fu)值(zhi)(zhi)小(xiao)的放電，負半周有很(hen)少幅(fu)值(zhi)(zhi)大的放電。幅(fu)值(zhi)(zhi)相差可(ke)達10﹕1，其他同上。

典(dian)型(xing)例(li)子(zi)：絕緣與(yu)導體粘附**的(de)聚乙烯(xi)電纜(lan)的(de)放電。q與(yu)試(shi)驗電壓關系不大。（圖 5—02）

如果隨試驗電壓升高，放電幅值(zhi)也(ye)增大，而且放電波形變得模(mo)糊(hu)，則往往是含有不同(tong)大小多個氣泡，或是外(wai)露(lu)的金屬(shu)與介質表(biao)面(mian)之間出現的表(biao)面(mian)放電。（圖 5—03）

（四(si)）下面介(jie)紹一(yi)些(xie)主要視(shi)為干擾或非正常放(fang)電的情況：

（1）懸(xuan)浮電位物體放電波形(xing)特(te)點：

在電(dian)壓(ya)峰值(zhi)(zhi)前的正(zheng)負半周兩個(ge)象限里(li)出(chu)現幅值(zhi)(zhi)。脈沖數和(he)位(wei)置均相(xiang)同，成對出(chu)現。放電(dian)可移動，但它們間的相(xiang)互間隔(ge)不變(bian)，電(dian)壓(ya)升高時(shi)，根數增加，間隔(ge)縮小，但幅值(zhi)(zhi)不變(bian)。有(you)時(shi)電(dian)壓(ya)升到(dao)一(yi)定值(zhi)(zhi)時(shi)會消失，但降至此值(zhi)(zhi)又重新出(chu)現。

原因：金屬(shu)間的間隙(xi)產生的放(fang)電，間隙(xi)可(ke)能(neng)是地面上兩個(ge)獨立的金屬(shu)體(ti)間（通過雜散電容耦(ou)合）也可(ke)能(neng)在樣品內，例如(ru)屏蔽松散。

（2）外部**電(dian)暈放電(dian)波形(xing)特(te)點：

起(qi)始(shi)放電僅出現在試驗電壓的一個半周上(shang)，并(bing)對稱地分布在峰值兩(liang)側。試驗電壓升高時(shi)，放電脈(mo)沖(chong)數急劇增加，但(dan)幅值不變，并(bing)向兩(liang)側伸(shen)展。

原(yuan)因：空氣中高(gao)壓**或(huo)邊(bian)緣放(fang)電。如果放(fang)電出現在(zai)(zai)負半(ban)周，表示(shi)**處于(yu)高(gao)壓，如果放(fang)電出現在(zai)(zai)正半(ban)周則**處于(yu)地(di)電位(wei)。

（3）液體介質中(zhong)的**電(dian)暈放電(dian)波形特點：

放電出現(xian)在兩(liang)個半周(zhou)上，對稱地分(fen)布在峰值(zhi)兩(liang)側。每(mei)一組放電均為(wei)等間隔(ge)，但一組幅值(zhi)較(jiao)大的放電先出現(xian)，隨(sui)試(shi)驗電壓(ya)升高而幅值(zhi)增大，不一定等幅值(zhi)；一組幅值(zhi)小(xiao)的放電幅值(zhi)相等，并(bing)且不隨(sui)電壓(ya)變化(hua)。

原因：絕緣(yuan)液體中**或邊緣(yuan)放電(dian)。如(ru)一組(zu)大的(de)放電(dian)出現在正半周(zhou)，則**處于(yu)高壓(ya)；如(ru)出現在負半周(zhou)，則**地電(dian)位。

（4）接(jie)觸**的(de)干擾(rao)圖形。

波形特點(dian)：對稱地分布在實驗(yan)電壓(ya)(ya)零(ling)點(dian)兩側，幅(fu)值大(da)致不(bu)變(bian)，但在實驗(yan)電壓(ya)(ya)峰值附近下降為零(ling)。波形粗糙不(bu)清晰，低電壓(ya)(ya)下即出(chu)現(xian)。電壓(ya)(ya)升(sheng)高時，幅(fu)值緩(huan)慢增加，有時在電壓(ya)(ya)達到一定值后會(hui)完全(quan)消(xiao)失(shi)。

原(yuan)因(yin)：實驗回路中金屬(shu)(shu)與金屬(shu)(shu)**接(jie)(jie)(jie)觸的連接(jie)(jie)(jie)點；塑料(liao)電纜屏蔽層半導體粒子的**接(jie)(jie)(jie)觸；電容器鋁箔的插接(jie)(jie)(jie)片等(deng)（可將電容(rong)器充電然后(hou)短路來(lai)消除）。          &nbsp; &nbsp;  

（5）可控硅元件的(de)干擾(rao)圖(tu)形(xing)。

波形(xing)(xing)特(te)點：位(wei)置固定(ding)，每只元件產(chan)生一個(ge)獨(du)立(li)訊號(hao)。電路接通，電磁耦合效應增強時訊號(hao)幅(fu)值(zhi)增加，試驗調壓時，該脈沖訊號(hao)會(hui)發生高頻波形(xing)(xing)展寬，從(cong)而占位(wei)增加。

原因：鄰近有可控硅元件在運行。

（6）繼電器、接(jie)觸器、輝光(guang)管等(deng)動作的干(gan)擾(rao)。

波形特點：分布不(bu)規則或(huo)間斷出現，同試驗電(dian)壓無關。

原因：熱(re)繼電器、接觸器和各種火花試驗(yan)器及有火花放電的記錄器動作時產生(sheng)。

（7）熒光(guang)燈的(de)干擾(rao)圖形。

波形特點：欄(lan)柵狀，幅值(zhi)大致相同的(de)脈沖(chong)(chong)，伴有正負半波對稱(cheng)出現(xian)的(de)兩簇(cu)脈沖(chong)(chong)組。

原因(yin)：熒光燈照明                                          ;                      &nbsp;                    

（8）無線電(dian)干擾的干擾圖形。

波形特點：幅值有調制的(de)高頻正弦(xian)波，同(tong)試驗電壓無關(guan)。

原因：無線電話、廣播(bo)話筒、載(zai)波通訊等。

（9）電動機(ji)干擾(rao)的干擾(rao)圖形（圖5—12）

波形(xing)特點：放(fang)電(dian)波形(xing)沿(yan)橢圓(yuan)基線均勻分布，每個(ge)單(dan)個(ge)訊號(hao)呈“山”字(zi)形(xing)。

原因(yin)：帶換向器的(de)電動機，如電扇、電吹風運轉時(shi)的(de)干擾。

（10）中(zhong)高頻工業設備的干(gan)擾圖形。

波形特點：連(lian)續(xu)發(fa)生，僅(jin)出現在(zai)電源波形的半(ban)周內。

原(yuan)因：感(gan)應加熱裝置和(he)頻率接近(jin)檢測頻率的超聲波發(fa)生(sheng)器(qi)等。

（11）鐵芯磁飽和諧波的干擾圖形(xing)（圖5—14）

波形特點：較低頻率(lv)的諧波振蕩，出(chu)現在兩個半周(zhou)上，幅值隨(sui)試驗(yan)電壓(ya)升高而增大(da)，不加電壓(ya)時消失，有重現性。

原因：試驗(yan)系統各種(zhong)鐵芯設(she)備（試驗(yan)變(bian)壓器、濾(lv)波電抗器、隔離變(bian)壓器等）磁飽(bao)和產生(sheng)的諧振。                      &nbsp;         &nbsp;

（12）電極(ji)在電場方向機(ji)械移動(dong)的干擾圖形。

波形特點：僅在試(shi)驗電壓(ya)的(de)半周(zhou)（正或負）上(shang)出現的(de)與峰值(zhi)對稱的(de)兩(liang)個(ge)放(fang)電響應，幅值(zhi)相等，而(er)脈(mo)沖方向(xiang)相反，起(qi)始電壓(ya)時兩(liang)個(ge)脈(mo)沖在峰值(zhi)處靠得很近，電壓(ya)升高時逐漸分開，并可能產生新的(de)脈(mo)沖訊號(hao)對。

原因：電極的部分(fen)（尤其是(shi)金屬箔電極）在電場作用下運動。            &nbsp;           &nbsp; 

（14）漏電痕跡和樹枝放電

波(bo)形(xing)(xing)特點：放電訊號(hao)波(bo)形(xing)(xing)與一般典型圖象(xiang)均(jun)不(bu)(bu)符合，波(bo)形(xing)(xing)不(bu)(bu)規則不(bu)(bu)確定。

原(yuan)因：玷(dian)污(wu)了的絕緣上(shang)漏電或(huo)絕緣局(ju)部過(guo)熱(re)而致(zhi)的碳(tan)化痕跡或(huo)樹枝通道。

在放(fang)(fang)電(dian)測試中必(bi)須保證測試回路中其它元件（試驗變壓器(qi)、阻(zu)塞線圈、耦合電(dian)容(rong)器(qi)、電(dian)壓表(biao)電(dian)阻(zu)等）均不放(fang)(fang)電(dian)，常用(yong)的(de)辦(ban)法是用(yong)與試品電(dian)容(rong)數(shu)量級相同的(de)無(wu)放(fang)(fang)電(dian)電(dian)容(rong)或絕(jue)緣結構取(qu)代試品試驗，看(kan)看(kan)有無(wu)放(fang)(fang)電(dian)。

了(le)解了(le)各種放電(dian)類(lei)型的波形特征(zheng)，來(lai)源以及識(shi)別干擾(rao)后就可按具體情況采取(qu)措施排除干擾(rao)和正確地進行放電(dian)測量了(le)。

第七章     局部放電測試當(dang)中(zhong)應該注意(yi)的(de)問(wen)題

實(shi)驗前，試品的絕緣表面(mian)（尤其(qi)是(shi)高壓端）應作(zuo)清潔化(hua)處理

2、   各連接(jie)點應(ying)接(jie)觸(chu)良好，尤其是高(gao)壓端不要留下尖銳(rui)的(de)接(jie)點，高(gao)壓導線應(ying)盡可能(neng)粗(cu)以(yi)防電(dian)暈，可用蛇皮管。

輸入(ru)單(dan)元要(yao)盡量靠(kao)近試品，而且接地要(yao)可(ke)靠(kao)，接地線*好用編織銅帶。主機也須接地，以保證**。

試(shi)驗回路(lu)盡(jin)(jin)可能緊湊。即高壓連線盡(jin)(jin)可能短，試(shi)驗回路(lu)所圍面 積盡可(ke)能(neng)小。

在進(jin)行110KV及以上等級的(de)局放試驗時，試品周圍的(de)懸浮金屬物體應(ying)妥善接地。

考慮(lv)到油浸(jin)式(shi)試品局部放(fang)(fang)電存在滯后效(xiao)應，因此(ci)在局放(fang)(fang)試驗前幾小時，不要對試(shi)品施加超過局部(bu)放電試(shi)驗電壓的高電壓。

第八(ba)章  附件

1、專用測量電纜線(xian)6米&nbsp;        2根(gen)

2、電源(yuan)線  &nbsp;         ;         1根

3、1.0A保險絲                 4根

4、使(shi)用說明書(shu)  &nbsp;              1份

WBJF-2020校(xiao)正(zheng)脈(mo)沖(chong)發生器使用(yong)說明

用途(tu)與適用范圍：

WBJF-2020校正脈沖發生器是一個小型的(de)廉價的(de)電(dian)池供電(dian)的(de)局部(bu)放電(dian)校正器，它適用于(yu)需要(yao)攜帶和使用靈活的(de)場(chang)合。

主要規(gui)格(ge)及技術(shu)參數(shu)：

輸出電(dian)荷量：5PC  50PC  100PC  500PC

上(shang)升時(shi)間：<100ns

衰減(jian)時間：>100us

極(ji)性：正、負極(ji)性

重復頻率：1KHz

頻(pin)率變化(hua)：>±100Hz

尺寸：160×120×50mm

重量：0.5Kg

電池：6F22  9V

操作(zuo)與(yu)作(zuo)用：

首先打開WBJF-2020校(xiao)正脈沖發生器后蓋(gai)板，裝入電(dian)池(chi)，蓋(gai)好蓋(gai)板。將輸出紅黑(hei)兩個(ge)端(duan)子(zi)接上(shang)導線，紅端(duan)子(zi)上(shang)的(de)導線盡量且(qie)靠近(jin)試(shi)品的(de)高壓端(duan)，黑(hei)端(duan)導線接試(shi)品和低壓端(duan)，將校(xiao)正電(dian)量開關置于合適的(de)位(wei)置，即(ji)可校(xiao)正，頻率可在1KHz附(fu)近調節，面板上電(dian)壓表指示(shi)機內電(dian)源的情(qing)況，一(yi)般(ban)指示(shi)8V以上(shang)才能保證(zheng)工(gong)作，低于8V則需調換電池。

校正(zheng)后切記(ji)將校正(zheng)脈沖(chong)發生(sheng)器取下！