1、WBJS6000高壓精密變頻介損測試系統特點及(ji)性能(neng)

介損絕緣試驗(yan)可以(yi)(yi)有效(xiao)地發(fa)現電(dian)器設備絕緣的(de)整體受潮劣化變質(zhi)以(yi)(yi)及局部缺陷等，在電(dian)工制(zhi)造、電(dian)氣設備安裝、交接和預防(fang)性試驗(yan)中(zhong)都廣泛應用(yong)。

介(jie)質損(sun)(sun)(sun)耗測(ce)量(liang)儀(yi)(yi)(yi)用于現場介(jie)損(sun)(sun)(sun)測(ce)量(liang)或試驗室精密介(jie)損(sun)(sun)(sun)測(ce)量(liang)。儀(yi)(yi)(yi)器為一體化結(jie)構(gou)，內置介(jie)損(sun)(sun)(sun)電(dian)橋(qiao)、變頻電(dian)源、試驗變壓器和標準電(dian)容(rong)器等(deng)。儀(yi)(yi)(yi)器采用變頻抗干(gan)擾(rao)和傅立葉變換數(shu)字濾波(bo)技術，全自動智能化測(ce)量(liang)，強干(gan)擾(rao)下測(ce)量(liang)數(shu)據非常穩定。測(ce)量(liang)結(jie)果由(you)大屏幕液晶顯示，儀(yi)(yi)(yi)器自帶微型打印(yin)機(ji)可打印(yin)輸出測(ce)試結(jie)果。

1.1主(zhu)要技術指標

額定工作條件：環(huan)境溫度  -10℃～50℃

相對濕度  <85%阿

輸入電(dian)(dian)源(yuan)：    180V～270VAC，50Hz/60Hz±1%，市(shi)電(dian)(dian)或發電(dian)(dian)機(ji)供電(dian)(dian)

準確度(du)：      Cx: ±（讀(du)數×1%+1pF）

tgδ: ±（讀數×1%+0.00040）

抗干(gan)擾(rao)指標：   變頻(pin)抗干(gan)擾(rao)，在(zai)200%干(gan)擾(rao)下仍能達到上述(shu)準確(que)度(du)

電容量范圍： &nbsp; 內施高壓(ya)：3pF～60000pF/10kV    60pF～1μF/0.5kV

外施高壓：3pF～1.5μF/10kV   &nbsp;  60pF～30μF/0.5kV

分辨率(lv)： &nbsp;     *高0.001pF，4位(wei)有效數字

tgδ范圍(wei)：     不限，分辨率0.001%，電(dian)容、電(dian)感、電(dian)阻三(san)種(zhong)試品自動識別。

試驗電流范圍： 10μA～5A

內施(shi)高壓：    設定電壓范圍：0.5～10kV

*大輸出(chu)電流(liu)：200mA

升(sheng)降壓方(fang)式：連(lian)續平滑(hua)調節

電壓精度：±(1.0%×讀數+10V)

電(dian)壓分(fen)辨率：0.1V

試(shi)驗頻率(lv)：45、50、55、60、65Hz 單頻

45/55Hz、55/65Hz、47.5/52.5Hz 自動雙(shuang)變頻

頻率精(jing)度：±0.01Hz

外施高(gao)壓： &nbsp;  正、反接線時*大試驗(yan)電流5A

CVT自激(ji)法低壓(ya)輸(shu)出：輸(shu)出電(dian)壓(ya)3～50V，輸(shu)出電(dian)流3～30A

高(gao)電壓介損：  支持變頻和諧振電源高(gao)電壓介損

實(shi)時(shi)(shi)時(shi)(shi)鐘：    實(shi)時(shi)(shi)顯示時(shi)(shi)間和日(ri)期(qi)

內部(bu)存(cun)儲：    儀器內部(bu)可存(cun)儲100組測量數據

U盤：     &nbsp; &nbsp;支持U盤存(cun)儲

打(da)印機(ji)：      微(wei)型熱敏打(da)印機(ji)

計算(suan)機接(jie)口(kou)：  標準RS232接(jie)口(kou)（選配）

尺(chi)寸(cun)重量：    K型(xing)：外形尺(chi)寸(cun)368mm×288mm×280mm；主(zhu)機重量22kg。

其(qi)他款型：外形尺(chi)寸430mm×314mm×334mm；主機重量30kg。

注：上述為(wei)E型主要技術指(zhi)標(biao)，其它型號技術指(zhi)標(biao)詳見本章節(jie)“1.3.6各型號測(ce)試功能(neng)說明”。

1.2 WBJS6000高壓精密變頻介損測試系統系列型號功能列表

1.3 WBJS6000高壓精密變頻介損測試系統主要功能特點

1.3.1 變(bian)頻抗干(gan)擾

采用變頻抗干擾(rao)技術，在200%干擾(rao)下仍能準確測量，測試數據穩定，適(shi)合在現(xian)場(chang)做抗干擾(rao)介損試驗。

1.3.2高精(jing)度(du)測量(liang)

采用數字波形分析和電(dian)橋自校準(zhun)等技術，配合(he)高(gao)精度三端(duan)標準(zhun)電(dian)容器，實現高(gao)精度介(jie)損(sun)測量(liang)。儀器所有(you)量(liang)程輸入電(dian)阻低(di)于2Ω，消(xiao)除(chu)了測量(liang)電(dian)纜(lan)附加電(dian)容的影(ying)響。

1.3.3**措施(shi)

高(gao)壓保護(hu)：試品(pin)短路、擊穿或高(gao)壓電流波動，能以短路方式(shi)高(gao)速切斷輸出。

供電(dian)(dian)保護(hu)：誤接(jie)380V、電(dian)(dian)源(yuan)波動或(huo)突然斷電(dian)(dian)，啟動保護(hu)，不(bu)會引起過電(dian)(dian)壓。

接地(di)(di)保護：具(ju)有接地(di)(di)檢測功能(neng)，未接地(di)(di)時(shi)不(bu)能(neng)升壓，若測量(liang)過(guo)程(cheng)中儀(yi)器接地(di)(di)**則啟動接地(di)(di)保護。

CVT 保護：高(gao)壓(ya)側(ce)電(dian)(dian)壓(ya)和電(dian)(dian)流、低壓(ya)側(ce)電(dian)(dian)壓(ya)和電(dian)(dian)流四(si)個(ge)保護限制，不會損壞設備(bei)；誤選(xuan)菜單不會輸出激磁電(dian)(dian)壓(ya)。CVT測量時無10kV高(gao)壓(ya)輸出。

防誤操作：兩級電(dian)(dian)源開(kai)關；電(dian)(dian)壓、電(dian)(dian)流(liu)實時(shi)監視；多次按鍵確認；接線端子(zi)高(gao)/低壓分明；慢(man)速升(sheng)壓，可迅速降(jiang)壓，聲光(guang)報警。

防“容(rong)升”：測量(liang)大容(rong)量(liang)試品時會出現電壓(ya)抬(tai)高的“容(rong)升”效應，儀器能自動跟蹤(zong)輸出電壓(ya)，保持試驗電壓(ya)恒定。

高壓(ya)電纜：為(wei)耐高壓(ya)絕緣導(dao)線，可(ke)拖(tuo)地使用。

抗震性能：儀器采(cai)用獨(du)特抗震設(she)計，可耐受強烈長途(tu)運輸震動、顛簸而(er)不會損壞。

1.3.4打印存儲

儀器自(zi)帶微型打(da)印(yin)機(ji)，可以將測(ce)量結(jie)(jie)果打(da)印(yin)輸出(chu)，并(bing)將測(ce)量結(jie)(jie)果存貯到儀器內（可存儲100組(zu)測(ce)量數據(ju)）或(huo)U盤，以便日后(hou)查閱。

1.3.5實時時鐘

儀(yi)器(qi)內帶(dai)實時(shi)(shi)(shi)時(shi)(shi)(shi)鐘，實時(shi)(shi)(shi)顯示，并能(neng)記(ji)錄(lu)測量的日期和時(shi)(shi)(shi)間(jian)。

1.3.6各(ge)型號測試功能說明(ming)

B型(xing)：輕(qing)便型(xing)，高壓*大輸出電流為140mA，具有正(zheng)接線、反接線功能，可選擇內/外標準(zhun)電容、內/外高壓多種(zhong)工(gong)作模式，一體(ti)化(hua)結構，可做各種(zhong)常規介損試驗(yan)。

D型：實(shi)用型，高壓(ya)*大輸出(chu)電流為200mA，具有正(zheng)接(jie)(jie)線(xian)、反(fan)接(jie)(jie)線(xian)、反(fan)接(jie)(jie)線(xian)低壓(ya)屏(ping)蔽、CVT自激法(fa)，反(fan)接(jie)(jie)線(xian)低壓(ya)屏(ping)蔽功能能在220kV CVT母線(xian)接(jie)(jie)地情(qing)況下，對C11進行不拆線(xian)10kV反(fan)接(jie)(jie)線(xian)介損測量(liang)，并可(ke)一次(ci)(ci)接(jie)(jie)線(xian)同時(shi)測出(chu)兩個電容的電容量(liang)和介損值(zhi)。CVT自激法(fa)測量(liang)時(shi)，C1/C2可(ke)一次(ci)(ci)接(jie)(jie)線(xian)同時(shi)測出(chu)，無須換線(xian)和外(wai)接(jie)(jie)任何(he)配(pei)件(jian)，但高壓(ya)測量(liang)線(xian)需(xu)懸空(kong)吊(diao)起(qi)。

E型：標準型，在D型基礎上增加了(le)CVT變(bian)比測(ce)試功能，同時升級了(le)CVT自激(ji)法(fa)測(ce)試，現場(chang)CVT自激(ji)法(fa)測(ce)試時高(gao)壓(ya)測(ce)量線可拖(tuo)地使用，無(wu)需吊(diao)起(qi)。

F型：增強(qiang)型，功能(neng)同E型，輸出*高電壓從(cong)10kV增加至(zhi)12kV。

K型(xing)(xing)：標(biao)準型(xing)(xing)，在E型(xing)(xing)基礎上減小體(ti)積重(zhong)量，設備(bei)更精(jing)巧。

S型(xing)(xing)：四通道型(xing)(xing)，功能同(tong)E型(xing)(xing)，增加了3個(ge)正(zheng)接通道。

J型(xing)：高精度(du)型(xing)，功能同(tong)E型(xing)，測(ce)量準確度(du)為0.5%。

所有(you)型號儀器(qi)均(jun)具(ju)備下(xia)述(shu)特(te)點(dian)：

（1）支持變頻和諧振(zhen)電源(yuan)高電壓介損。

（2）內置串(chuan)聯和并聯兩種介(jie)損測量模型(xing)，方便儀器(qi)檢定。

（3）配(pei)置熱敏打印機，使打印更(geng)加快捷、無(wu)噪音(yin)和清(qing)晰。

（4）320×240點(dian)陣大屏液晶顯示，菜(cai)單操作，測試(shi)數據豐富(fu)，自動分辨電(dian)容、電(dian)感、電(dian)阻型試(shi)品。

（5）具有外接標準電(dian)(dian)容器(qi)接口，可(ke)外接油杯做精密(mi)絕(jue)緣油介(jie)(jie)損試(shi)驗(yan)(yan)，可(ke)外接固體(ti)材料測(ce)量電(dian)(dian)極做精密(mi)絕(jue)緣材料介(jie)(jie)損試(shi)驗(yan)(yan)，也(ye)可(ke)外接高壓標準電(dian)(dian)容器(qi)做高電(dian)(dian)壓介(jie)(jie)損試(shi)驗(yan)(yan)。

（6）帶日歷時鐘，可存儲100組測量(liang)數(shu)據。

（7）計算(suan)機接(jie)口(kou)（選配）。

2、WBJS6000高壓精密變頻介損測試系統面板說明

高(gao)(gao)壓輸出測(ce)量(liang)接(jie)地(di)(di)(di)(di)：若出廠配置的高(gao)(gao)壓測(ce)試(shi)線(xian)有接(jie)地(di)(di)(di)(di)屏蔽層，則需將高(gao)(gao)壓測(ce)量(liang)線(xian)的接(jie)地(di)(di)(di)(di)屏蔽層連(lian)接(jie)至此(ci)處，沒有則留空(kong)(kong)。CVT自激法測(ce)量(liang)的高(gao)(gao)壓連(lian)線(xian)接(jie)地(di)(di)(di)(di)屏蔽層在拖地(di)(di)(di)(di)模(mo)式(shi)下必須(xu)接(jie)地(di)(di)(di)(di)，非拖地(di)(di)(di)(di)模(mo)式(shi)下接(jie)地(di)(di)(di)(di)屏蔽層應(ying)懸(xuan)空(kong)(kong)不能接(jie)地(di)(di)(di)(di)且高(gao)(gao)壓測(ce)量(liang)線(xian)也應(ying)懸(xuan)空(kong)(kong)吊起不能拖地(di)(di)(di)(di)。

高(gao)壓輸(shu)出插座（0.5～10kV，*大200mA）

安(an)裝位置：如圖2-1所示(shi)，安(an)裝在箱體(ti)前側面。

功 &nbsp;  能：內高壓輸出(chu)；檢測反接線(xian)試(shi)品電流；內部標準電容器的高壓端。

接(jie)線(xian)(xian)(xian)方法：插座1腳(jiao)接(jie)高(gao)(gao)壓(ya)線(xian)(xian)(xian)芯線(xian)(xian)(xian)（紅(hong)夾(jia)子），2、3腳(jiao)接(jie)高(gao)(gao)壓(ya)線(xian)(xian)(xian)屏(ping)(ping)(ping)蔽(bi)(bi)（黑夾(jia)子）。正接(jie)線(xian)(xian)(xian)時(shi)，高(gao)(gao)壓(ya)線(xian)(xian)(xian)芯線(xian)(xian)(xian)（紅(hong)夾(jia)子）和屏(ping)(ping)(ping)蔽(bi)(bi)（黑夾(jia)子）都可以(yi)用作加壓(ya)線(xian)(xian)(xian)；反接(jie)線(xian)(xian)(xian)時(shi)只能用芯線(xian)(xian)(xian)對試(shi)品高(gao)(gao)壓(ya)端(duan)加壓(ya)。如(ru)果試(shi)品高(gao)(gao)壓(ya)端(duan)有(you)屏(ping)(ping)(ping)蔽(bi)(bi)極（如(ru)高(gao)(gao)壓(ya)端(duan)的(de)(de)屏(ping)(ping)(ping)蔽(bi)(bi)環）可接(jie)高(gao)(gao)壓(ya)屏(ping)(ping)(ping)蔽(bi)(bi)，無屏(ping)(ping)(ping)蔽(bi)(bi)時(shi)高(gao)(gao)壓(ya)屏(ping)(ping)(ping)蔽(bi)(bi)懸空。若配置的(de)(de)高(gao)(gao)壓(ya)測試(shi)線(xian)(xian)(xian)有(you)接(jie)地屏(ping)(ping)(ping)蔽(bi)(bi)層(ceng)，則需將高(gao)(gao)壓(ya)測量線(xian)(xian)(xian)的(de)(de)接(jie)地屏(ping)(ping)(ping)蔽(bi)(bi)層(ceng)連接(jie)至圖2-1中的(de)(de)“1”處(chu)。

注(zhu)意(yi)事項：

（1）若(ruo)儀器CVT自激法高壓連線(xian)具備(bei)“高壓拖(tuo)地(di)(di)”功能，使(shi)(shi)用拖(tuo)地(di)(di)模式測量(liang)時務必(bi)使(shi)(shi)用原(yuan)廠配置的專用高壓電(dian)纜（原(yuan)廠電(dian)纜在出廠時已進行校準），不可使(shi)(shi)用其它高壓電(dian)纜代替，否則會(hui)引起(qi)較(jiao)大(da)的測量(liang)誤(wu)差。CVT自激法不使(shi)(shi)用拖(tuo)地(di)(di)模式時，高壓電(dian)纜必(bi)須懸空，接(jie)地(di)(di)屏蔽(bi)層也(ye)不能接(jie)地(di)(di)！

（2）高壓(ya)插(cha)座(zuo)和高壓(ya)線有(you)危險電(dian)壓(ya)，**禁(jin)止碰觸高壓(ya)插(cha)座(zuo)、電(dian)纜、夾子和試品帶電(dian)部位！確認斷電(dian)后(hou)接線，測量(liang)時務必遠(yuan)離(li)！

（3）用(yong)(yong)標(biao)準介損器（或標(biao)準電(dian)容器）檢定反接(jie)(jie)線(xian)精度時，應使用(yong)(yong)全屏蔽插頭連(lian)接(jie)(jie)試品，否則暴露的芯線(xian)會引起測量誤(wu)差(cha)。

（4）應(ying)保證(zheng)高壓(ya)線與試品(pin)高壓(ya)端零電阻連接，否則可(ke)(ke)能引起誤差或(huo)數據波動，也(ye)可(ke)(ke)能引起儀器保護。

（5）強干擾下拆除接線時，應(ying)在保(bao)持電(dian)纜接地狀態下斷(duan)開連接，以防感應(ying)電(dian)擊。

CVT自激法低壓輸出插座（3～50V，3～30A）

功    能：由(you)該插座和圖2-1中的接地接線柱“4”輸出(chu)CVT測量的低壓變頻激(ji)勵(li)電源。

注意事(shi)項：

（1）因(yin)低壓(ya)輸出電流大，應采用儀器專用低阻線連(lian)接CVT二次繞組，接觸**會影(ying)響測量。

（2）視CVT容(rong)量從菜(cai)單選擇(ze)合適的(de)電壓(ya)電流(liu)保護限。

（3）選(xuan)擇正(zheng)/反(fan)接(jie)線時，此輸出封(feng)閉。

測(ce)(ce)量(liang)接地(di)：它同(tong)外(wai)殼和電(dian)源插(cha)座地(di)線連到(dao)一(yi)起，與圖2-1的“3”一(yi)起輸出(chu)CVT測(ce)(ce)量(liang)的低(di)壓變頻激勵電(dian)源。盡管儀器有接地(di)保(bao)護，但(dan)無論何種測(ce)(ce)量(liang)，儀器都(dou)應可靠獨立接地(di)以保(bao)障(zhang)使用者(zhe)的**及測(ce)(ce)量(liang)結果(guo)的準確(que)。

打印機：微型熱(re)敏打印機，用于打印測(ce)試(shi)數據。

USB：USB通信用。

RS232：與計算機(ji)聯機(ji)使用。

U盤(pan)：用(yong)于外接(jie)U盤(pan)保存數據(ju)。

試品輸入Cx插座(zuo)（10μA～5A）

功  &nbsp; 能：正接線(xian)時輸入試品(pin)電流(liu)。

接線(xian)(xian)(xian)方法(fa)：插座1腳接測量線(xian)(xian)(xian)芯線(xian)(xian)(xian)（紅夾子），2、3腳接測量線(xian)(xian)(xian)屏蔽(bi)(bi)(bi)（黑夾子）。正(zheng)接線(xian)(xian)(xian)時(shi)芯線(xian)(xian)(xian)（紅夾子）接試(shi)(shi)品低(di)(di)壓信(xin)號端，如果試(shi)(shi)品低(di)(di)壓端有屏蔽(bi)(bi)(bi)極（如低(di)(di)壓端的屏蔽(bi)(bi)(bi)環）可接屏蔽(bi)(bi)(bi)，試(shi)(shi)品無屏蔽(bi)(bi)(bi)時(shi)屏蔽(bi)(bi)(bi)懸空。

注意(yi)事(shi)項：

（1）測量中(zhong)嚴禁拔下插(cha)頭，防止(zhi)試品(pin)電(dian)流經人體(ti)入(ru)地！

（2）用標(biao)準介損器(qi)（或標(biao)準電容(rong)器(qi)）檢(jian)測儀器(qi)正接(jie)線精(jing)度時(shi)，應使用全屏蔽插頭連接(jie)試品(pin)，否(fou)則(ze)暴露的芯線會引起測量誤差。

（3）應保證引(yin)線與試品低壓端0電阻連接(jie)，否則(ze)可(ke)能引(yin)起誤差或(huo)數據波動，也可(ke)能引(yin)起儀器(qi)保護。

（4）強(qiang)干(gan)擾下拆(chai)除接(jie)線時，應(ying)在保持電(dian)纜接(jie)地(di)狀態下斷開連接(jie)，以防感(gan)應(ying)電(dian)擊(ji)。

標(biao)準電容輸入Cn插座（10μA～5A）

功    能：輸入外接(jie)標準電容(rong)器電流。

接線(xian)方(fang)法：與Cx插座類似，其區(qu)別在于(yu)：

（1）使用(yong)外(wai)部(bu)標(biao)準(zhun)(zhun)電容(rong)器時，應使用(yong)全屏蔽插頭連(lian)接。此方式常用(yong)于外(wai)接高(gao)電壓等級標(biao)準(zhun)(zhun)電容(rong)器，實現高(gao)電壓介損測量。

（2）菜(cai)單選擇“外標準電容”方式。

（3）將外接標準電(dian)容(rong)器的(de)C和(he)tgδ置(zhi)入儀器，實現(xian)Cx電(dian)容(rong)介損的(de)**值測量(liang)。

從理論上(shang)講，任何容(rong)(rong)量和介損的(de)(de)電(dian)容(rong)(rong)器，將參數置入儀器都(dou)可做標準電(dian)容(rong)(rong)器。不(bu)同的(de)(de)是標準電(dian)容(rong)(rong)器能提供更(geng)好的(de)(de)長期穩(wen)定性和精度。

（4）不管(guan)正(zheng)接線還是(shi)反接線測量，標(biao)準電容器接線方式始終為(wei)正(zheng)接線。

總電源開關：開關機(ji)用，可(ke)在發(fa)現異常時隨(sui)時關閉。

供電(dian)電(dian)源插座：接(jie)220V市電(dian)，插座內置保險絲座，保險絲規格為10A / 250V，若損(sun)壞應使用(yong)相同(tong)規格的保險絲替(ti)換(huan)。若換(huan)用(yong)備用(yong)保險絲后仍燒(shao)斷，可能(neng)儀器有(you)故障，可通知(zhi)廠(chang)家處理。

高壓允許開關：內置高壓系(xi)統或CVT自(zi)激法低壓輸出系(xi)統的總(zong)電源開關。此(ci)開關受總(zong)電源開關控(kong)制。

按鍵：按下“↑”、“↓”、“←”、“→”鍵可移動(dong)光標和修改(gai)光標處內容(rong)，“確認(ren)”鍵用于(yu)確認(ren)或結束參數修改(gai)，在(zai)測(ce)試(shi)界(jie)面長按該鍵可開始(shi)測(ce)量，測(ce)量過(guo)程(cheng)中，按“確認(ren)”鍵可終止(zhi)測(ce)量。

液晶顯(xian)(xian)示屏：320×240點陣(zhen)灰白背光液晶顯(xian)(xian)示屏，顯(xian)(xian)示菜單、測(ce)量(liang)結果(guo)或出(chu)錯(cuo)信息。應避免長時間陽光爆(bao)曬，避免重壓。

背光調節：液(ye)晶顯(xian)示屏顯(xian)示較暗或(huo)不清(qing)晰時可(ke)調節該電位器至(zhi)合(he)適位置使顯(xian)示明亮(liang)清(qing)晰。

指示燈：配合儀器(qi)內部蜂鳴器(qi)進行測試、報警等聲光警示。

3、WBJS6000高壓精密變頻介損測試系統使用說明

3.1初始菜單界面

打開(kai)總電源(yuan)開(kai)關后，系統(tong)進入初始(shi)菜單界(jie)面。

測(ce)試(shi)模式(shi)：選擇測(ce)試(shi)模式(shi)和設置各項測(ce)試(shi)參數，

歷史記錄(lu)：查看(kan)保存的歷史數據(ju)

系(xi)統設置：出廠(chang)參數(shu)設置及(ji)系(xi)統時間校準

幫    助：可查閱軟件版本等信息

取消或使用CVT自激法(fa)“高壓連(lian)線(xian)拖地(di)”功能(neng)：

開機右下角顯示“”表示該儀器在CVT自激法測試時高壓連線具備拖地功能。

光標停留在“測試模式”處長按“→”鍵（聽到蜂鳴器聲音松手）可取消或使用拖地模式（右下角顯示“”表示當前為拖地模式），在拖地模式下必須將高壓連線的接地屏蔽層插頭接至圖2-1中的“1”（高壓測量接地）處，否則會引起測量誤差；取消拖地模式后高壓連線必須懸空吊起，同時高壓連線的接地屏蔽層插頭也應懸空，否則會引起測量誤差。

使用(yong)或取消發“發電機供電”模式(shi)：

光標停留在“測試模式”處長按“←”鍵（聽到蜂鳴器聲音松手）可使用或取消發電機供電模式（左下角顯示“”表示當前為發電機供電模式），儀器開機默認為市電供電模式，發電機模式適合使用發電機或移動電源供電環境，發電機模式下儀器將不進行接地檢測。

3.2測試模(mo)式

3.2.1 開始測試菜(cai)單界面

在初始(shi)菜單界面將(jiang)光標移動到“測試模式”按確(que)定(ding)按鈕進入(ru)開始(shi)測試菜單界面，如(ru)圖3-2所(suo)示(shi)。

界面左(zuo)側為參數(shu)(shu)(shu)設(she)置選項，移動光(guang)標到(dao)相關(guan)參數(shu)(shu)(shu)選項按確定鍵可(ke)設(she)置相關(guan)試(shi)驗參數(shu)(shu)(shu)，右側顯示內容為已設(she)置好(hao)試(shi)驗參數(shu)(shu)(shu)，光(guang)標停留在(zai)“開始(shi)測(ce)試(shi)”欄長按“確認(ren)” 鍵可(ke)開始(shi)測(ce)試(shi)。

界面右側“測(ce)試地(di)點(dian)”下一行(xing)(xing)為信息提示(shi)(shi)行(xing)(xing)，若(ruo)內(nei)外高(gao)(gao)(gao)壓(ya)(ya)選擇(ze)有誤(wu)則提示(shi)(shi)“當(dang)前為內(nei)高(gao)(gao)(gao)壓(ya)(ya)模式(shi)，請(qing)開啟內(nei)高(gao)(gao)(gao)壓(ya)(ya)”或“當(dang)前為外高(gao)(gao)(gao)壓(ya)(ya)模式(shi)，請(qing)關閉(bi)內(nei)高(gao)(gao)(gao)壓(ya)(ya)”；若(ruo)儀(yi)器沒有接地(di)則會(hui)提示(shi)(shi)“請(qing)檢(jian)查接地(di)”，當(dang)有錯誤(wu)提示(shi)(shi)時儀(yi)器無法正常啟動(dong)，只有提示(shi)(shi)“確認無誤(wu)后長按確認鍵開始測(ce)試”時儀(yi)器方可(ke)啟動(dong)測(ce)試。

3.2.2 試品模型選擇菜(cai)單界面

將光(guang)(guang)標移動(dong)到“試(shi)(shi)品模型(xing)”功能選項，界面如圖(tu)3-3所示，按“確認”按鈕(niu)后移動(dong)光(guang)(guang)標可選擇合適的試(shi)(shi)品模型(xing)（光(guang)(guang)標移動(dong)到相(xiang)應功能后按確認鍵）。實(shi)驗室一般使用串(chuan)聯型(xing)介損因數標準(zhun)器檢定，校驗時應使用RC串(chuan)聯模型(xing)。

RC串聯(lian)(電流比較儀型(xing)電橋)：采用電流比較儀型(xing)電橋（如QS30電橋）校準(zhun)的串聯(lian)型(xing)試品(或介質(zhi)損耗(hao)因數標準(zhun)器)，該項在開始測(ce)試界面顯示"RC串聯(lian)"。

RC串聯(西林型電橋)： 采用西林型電橋（如2801、QS1和QS37等電橋）校準的串聯型試品(或介質損耗因數標準器) ，該項在開始測試界面顯示 "RC串聯"。

RC并(bing)聯(lian)(lian)(現(xian)場使用)：一般實際的電(dian)容試品可等(deng)效為RC并(bing)聯(lian)(lian)模型，建議(yi)現(xian)場試驗時使用。

采用電流比較儀型電橋和西林型電橋校準的串聯型試品(或介質損耗因數標準器)的區別只是電容量不同：為西林型電橋標定值，C為電流比較儀型電橋標定值。

3.2.3 接線(xian)方式選擇菜(cai)單界面(mian)

將(jiang)光標(biao)移動到“接線方(fang)式(shi)”功能選項，界(jie)面如圖3-4所示，按“確認”按鈕后移動光標(biao)可選擇合(he)適的接線方(fang)式(shi)。

接(jie)線(xian)方式：共5種接(jie)線(xian)方式（功能(neng)因(yin)型號有差(cha)別(bie)，具體(ti)詳見型號功能(neng)說明(ming)部分），分別(bie)為：正(zheng)接(jie)線(xian)、反接(jie)線(xian)、反接(jie)線(xian)低壓屏蔽、CVT自激法(fa)和變比。選擇(ze)CVT自激法(fa)測量時(shi)需同時(shi)將相關參數(shu)一并設(she)置(zhi)好。

CVT自激(ji)法(fa)測(ce)量必(bi)須打(da)開(kai)內高壓允許開(kai)關，由(you)機內提供(gong)激(ji)勵電壓，由(you)“低壓輸(shu)出”和“測(ce)量接地(di)”輸(shu)出。為**起見，CVT自激(ji)法(fa)還需要設置以下幾個保護限：

將光標移動(dong)到xxkV / xxmA / xxV / xxA，按↑↓選擇合(he)適值，選擇好后(hou)按確認鍵退(tui)出。

xxkV：可選0.5/0.6/0.8/1/1.5/2/2.5/3/3.5/4kV，為高壓上限，只能使(shi)用4kV以下電壓。

xxmA：可選10/15/20/25/30/35/40/45/50/60/70/80/100/120/140/200mA，表示(shi)待測試(shi)品(pin)的高(gao)壓電流上(shang)限。

xxV：可(ke)選3/4/5/6/7/8/9/10/12/15/20/25/30/35/40/50V，表示低壓(ya)激勵電(dian)壓(ya)上限。

xxA：可選3/4/5/6/7/8/9/10/11/12/13/14/15/16/20/30A，表示低壓激勵電流上(shang)限。

注意(yi)：

（1）測量時4個保(bao)護限同時起作用，因此試驗高壓可能達不到設(she)定值。如果高壓達不到保(bao)護限，可適當調(diao)整(zheng)受到限制(zhi)的保(bao)護限。

（2）通常測(ce)量(liang)C1時低壓(ya)激勵電(dian)壓(ya)可(ke)達(da)20V，測(ce)量(liang)C2時低壓(ya)激勵電(dian)流可(ke)達(da)15A。一般可(ke)設高(gao)(gao)壓(ya)電(dian)壓(ya)2～3kV，較少采用高(gao)(gao)壓(ya)電(dian)流限制，可(ke)設為*大200mA。

變(bian)比測量時應選(xuan)擇(ze)合(he)適的高壓輸出(chu)使二次(ci)側電壓小于(yu)120V，當二次(ci)側電壓≥120V時儀器會發出(chu)聲光報警并提示(shi)“接(jie)線錯(cuo)誤(wu)”。

3.2.4 標(biao)準電容(rong)選擇(ze)菜單界面(mian)

將(jiang)光(guang)(guang)標移(yi)動到“標準電(dian)容(rong)”功能選(xuan)項，界面如圖3-5所示，按“確(que)認”按鈕后移(yi)動光(guang)(guang)標可(ke)選(xuan)擇(ze)合適的(de)標準電(dian)容(rong)。選(xuan)擇(ze)外(wai)標準電(dian)容(rong)時(shi)(shi)需同時(shi)(shi)將(jiang)外(wai)標準的(de)電(dian)容(rong)量和介損(sun)一并(bing)設置好。

選(xuan)擇(ze)外標準電容時將光(guang)標移(yi)動到Cn=xxxxx e x pF ;和tgδ=xx.xxx%按↑↓選(xuan)擇(ze)合適值，選(xuan)擇(ze)好后按確認鍵退(tui)出。

Cn采(cai)用科學計數法(fa)，如5.000e1=5.000×101=50.00，1.000e2=1.000×102=100.0等，范圍0.000e0～9.999e5 (即0～999900pF)。tgδ設(she)置范圍0～±9.999%。

內標準(zhun)電(dian)容(rong)通常可用于正、反接線測量(liang)和(he)CVT自激(ji)法測量(liang)，高(gao)電(dian)壓介損(sun)選(xuan)用外標準(zhun)方式，需要將外接電(dian)容(rong)參數置(zhi)入儀器。

3.2.5 測試頻率選擇菜單界面

測試(shi)頻(pin)率(lv)可選擇定頻(pin)或異(yi)頻(pin)，頻(pin)率(lv)選擇菜單界面如圖3-6所(suo)示(shi)，頻(pin)率(lv)選擇范圍(wei)如下：

定頻：

“50Hz”：為(wei)工(gong)頻測量，此(ci)設置不(bu)能抗干擾(rao)，在試(shi)驗(yan)(yan)室內測量或校驗(yan)(yan)時選用。

“45/55/60/65Hz”：為(wei)單頻(pin)率(lv)測量，研究(jiu)不同(tong)頻(pin)率(lv)下介損的變化時選用。

頻(pin)率自適應：外高(gao)壓(ya)測(ce)量模(mo)式下(xia)有效（不能更改(gai)），系(xi)統自動識別外施(shi)高(gao)壓(ya)頻(pin)率，測(ce)試(shi)頻(pin)率無需(xu)在(zai)測(ce)試(shi)前設(she)置。

異頻：

“45/55Hz”：為(wei)自動變頻，適合50Hz電網(wang)工頻干擾下測量。

“55/65Hz”：為自(zi)動變頻(pin)(pin)，適合(he)60Hz電網工(gong)頻(pin)(pin)干擾下測量(liang)。

“47.5/52.5Hz”：為自動變頻，適合50Hz電網工(gong)頻干(gan)擾下測量(liang)。

3.2.6 測試電壓選擇菜單界(jie)面

內(nei)高(gao)壓(ya)(ya)可選擇“0.5 /0.6 /0.8 /1 /1.5 /2 /2.5 /3 /3.5 /4 /4.5 /5 /5.5 /6 /6.5 /7 /7.5 /8 /8.5 /9 /9.5 /10.0kV”（F型*高(gao)輸(shu)出電壓(ya)(ya)為12kV），應根據高(gao)壓(ya)(ya)試(shi)驗規程選擇合(he)適的(de)試(shi)驗電壓(ya)(ya)。

注：若選(xuan)擇“CVT自激法(fa)”測試功(gong)能，則(ze)該選(xuan)項(xiang)無效。CVT自激法(fa)的相關電(dian)壓參數需(xu)在該功(gong)能選(xuan)項(xiang)下進行(xing)設(she)置。

3.2.7 測試備(bei)忘設(she)置菜(cai)單(dan)界(jie)面

設備(bei)編(bian)號：可設置(zhi)8位字(zi)母或數(shu)字(zi)編(bian)號，將光(guang)標移(yi)動(dong)到”設備(bei)編(bian)號”處，按確(que)認(ren)健(jian)(jian)進入設備(bei)編(bian)號設置(zhi)，通(tong)(tong)過“←”、“→”健(jian)(jian)移(yi)動(dong)光(guang)標，通(tong)(tong)過↑↓選擇合適(shi)值，設置(zhi)好后按確(que)認(ren)鍵退出。

測(ce)試(shi)人員(yuan)：可設置8位字母或數字編號，將光(guang)標移動到” 測(ce)試(shi)人員(yuan)”處，按(an)確(que)認(ren)(ren)健進入測(ce)試(shi)人員(yuan)設置，通(tong)過“←”、“→”健移動光(guang)標，通(tong)過↑↓選擇合適值，設置好后按(an)確(que)認(ren)(ren)鍵退(tui)出(chu)。

測(ce)試地點：可設置8位字(zi)母或數字(zi)編號，將光(guang)標(biao)移(yi)動到” 測(ce)試地點”處，按(an)(an)確認健(jian)(jian)進入測(ce)試地點設置，通過“←”、“→”健(jian)(jian)移(yi)動光(guang)標(biao)，通過↑↓選擇合適值，設置好(hao)后按(an)(an)確認鍵(jian)退出。

3.2.8 測試結果界面

3.2.8.1反接法測試結果(guo)界面

測試完成顯示結果后，可(ke)移動光標(biao)選擇保存(cun)或打(da)印數據。

儀器自(zi)動分辨電(dian)容、電(dian)感、電(dian)阻(zu)型(xing)(xing)試(shi)品(pin)：電(dian)容型(xing)(xing)試(shi)品(pin)顯(xian)示Cx和(he)tgδ；電(dian)感型(xing)(xing)試(shi)品(pin)顯(xian)示Lx和(he)Q；電(dian)阻(zu)型(xing)(xing)試(shi)品(pin)顯(xian)示Rx和(he)附加Cx或Lx。自(zi)動選(xuan)取顯(xian)示單位。

試(shi)品為電容時：顯示(shi)(shi)數據為Cx、tgδ、Ux、Ix、Φ、f1、f2, |δ|>1則顯示(shi)(shi)電容和(he)串/并(bing)聯電阻

試(shi)品(pin)為電感(gan)(gan)時：顯(xian)示(shi)數據為Lx、Q、Ux、Ix、Φ、f1、f2, |Q|<1則(ze)顯(xian)示(shi)電感(gan)(gan)和串聯電阻

試(shi)品為電阻時：顯(xian)示數據為Cx(Lx)、Rx、Ux、Ix、Φ、f1、f2

Cx &nbsp; 試品電容(rong)量[1μF=1000nF納法(fa) / 1nF=1000pF]，如顯示10.00nF即10000pF

tgδ 介損因數(shu)[1%=0.01]

Lx &nbsp; 試(shi)品電(dian)感(gan)量[1MH兆亨=1000kH / 1kH=1000H]

Q    品(pin)質因數[無單位]

Rx   試(shi)品電(dian)阻值[1MΩ=1000kΩ / 1kΩ=1000Ω]

Ux&nbsp;  試驗電壓(ya)[1kV=1000V / 1V=1000mV]

Ix   試(shi)品電流[1A=1000mA / 1mA=1000μA]

Φ   試品電(dian)流超前試驗電(dian)壓的角度(du)(du)[°度(du)(du)]或測變比(bi)時一(yi)次(ci)電(dian)壓超前二次(ci)電(dian)壓的角度(du)(du)

K    測CVT變比時(shi)，一次(ci)電壓(ya)比二次(ci)電壓(ya)

f1   頻(pin)(pin)率[Hz]，顯示**次測(ce)試頻(pin)(pin)率

f2   頻(pin)率[Hz]，顯(xian)示(shi)**次測試頻(pin)率

顯(xian)示(shi)over表示(shi)測(ce)量數據超(chao)量程。

3.2.8.2反接線(xian)低壓屏(ping)蔽測試結果界面(mian)

反接線低壓(ya)屏蔽測(ce)試一次接線可(ke)同時(shi)測(ce)出C11和C下節(下端屏蔽部分)的電容量和介(jie)損值。

3.2.8.3 CVT自激法測試結果界面

CVT自(zi)激法按測(ce)量接(jie)(jie)線，與試(shi)品(pin)輸入Cx插座連接(jie)(jie)的(de)定(ding)義為C1，與高(gao)壓線連接(jie)(jie)的(de)為C2。U1為測(ce)量C1時(shi)的(de)高(gao)壓，U2為測(ce)量C2時(shi)的(de)高(gao)壓。

3.3歷史數(shu)據

進入歷史數據菜單界面如(ru)圖(tu)3-12所示。

移(yi)動光(guang)(guang)標(biao)(biao)到(dao)“U盤(pan)”選(xuan)(xuan)項按(an)(an)“確定”鍵可將(jiang)(jiang)數(shu)(shu)據(ju)(ju)導出到(dao)U盤(pan)，上(shang)移(yi)到(dao)“清(qing)空(kong)”選(xuan)(xuan)項按(an)(an)“確定”鍵可清(qing)空(kong)保存的全部數(shu)(shu)據(ju)(ju)。將(jiang)(jiang)光(guang)(guang)標(biao)(biao)移(yi)動到(dao)“>>>>”選(xuan)(xuan)項按(an)(an)下(xia)“確定”鍵進(jin)入(ru)數(shu)(shu)據(ju)(ju)選(xuan)(xuan)擇(ze)界面，光(guang)(guang)標(biao)(biao)位置默認停(ting)留在*近(jin)保存的單(dan)條(tiao)(tiao)數(shu)(shu)據(ju)(ju)上(shang)，若要(yao)查看其他(ta)數(shu)(shu)據(ju)(ju)可上(shang)下(xia)移(yi)動光(guang)(guang)標(biao)(biao)進(jin)行選(xuan)(xuan)擇(ze)，選(xuan)(xuan)擇(ze)好要(yao)查看的數(shu)(shu)據(ju)(ju)后按(an)(an)“確定”按(an)(an)鈕進(jin)入(ru)單(dan)條(tiao)(tiao)歷史(shi)數(shu)(shu)據(ju)(ju)顯示界面。歷史(shi)數(shu)(shu)據(ju)(ju)選(xuan)(xuan)擇(ze)界面和單(dan)條(tiao)(tiao)歷史(shi)數(shu)(shu)據(ju)(ju)顯示界面如圖3-13和圖3-14所(suo)示。

進(jin)入單條(tiao)歷史(shi)數(shu)據(ju)顯示(shi)界面后，在左側功能選項區上下移(yi)動光(guang)標可選擇打(da)印(yin)、刪除本(ben)條(tiao)數(shu)據(ju)和退出單條(tiao)歷史(shi)數(shu)據(ju)顯示(shi)界面。

3.4系統設置

進(jin)入系(xi)(xi)統設(she)置菜單(dan)可進(jin)行系(xi)(xi)統時間校準，“出廠(chang)(chang)設(she)置”參數(shu)禁止用戶修改，只允許(xu)生產廠(chang)(chang)家進(jin)行出廠(chang)(chang)參數(shu)設(she)置。

3.5幫助

可查看儀(yi)器的相關(guan)操作指導。

3.6啟動測量(liang)

進入測(ce)試(shi)界面(mian)設置好(hao)各項試(shi)驗(yan)參數后，將光標移動到“開始測(ce)試(shi)”功能選(xuan)項上，按住“確認”鍵3s以上啟動測(ce)量。

啟動(dong)測(ce)(ce)量后(hou)發(fa)出(chu)聲光報警；在(zai)測(ce)(ce)試(shi)過程(cheng)中會(hui)實時顯示測(ce)(ce)試(shi)相關(guan)參(can)數（電壓、電流、頻(pin)率、電容量等參(can)數）和(he)測(ce)(ce)量進程(cheng)(0%～99%)。

測量中按“確(que)認”鍵可取消測量，遇緊急情(qing)況立(li)即關閉總電源。

測量過程結束，儀(yi)器(qi)自動(dong)降壓后再(zai)顯示結果。

3.7對比度(du)調節(jie)

液(ye)晶(jing)顯示(shi)屏(ping)的對比度已在出(chu)廠時校好，如果(guo)您感覺不夠(gou)清晰(xi)，調整(zheng)面板上的電位器(qi)使液(ye)晶(jing)顯示(shi)屏(ping)顯示(shi)內容清晰(xi)為止(zhi)。

4、參考(kao)接(jie)線(xian)

4.1常規正接線（正接線、內標準電容、內高壓(ya)）

4.2常規反接線（反接線、內(nei)標準電容、內(nei)高壓）

4.3正接線(xian)、外標(biao)準電容、內高壓

4.4反接線(xian)、外標準電(dian)容(rong)、內高(gao)壓

4.5正接線、內標準電容(rong)、外(wai)高壓

4.6反(fan)接線、內標(biao)準(zhun)電容、外高壓

4.7正接線、外標準電(dian)容、外高壓（高電(dian)壓介損(sun)）

4.8反接(jie)線、外標(biao)準電容、外高壓

4.9反接線低壓屏蔽

可(ke)在220kV CVT母(mu)線(xian)(xian)接地情況下(xia)(xia)，對C11進行不拆(chai)線(xian)(xian)10kV反(fan)接線(xian)(xian)介損測量。如下(xia)(xia)圖所示：母(mu)線(xian)(xian)掛地線(xian)(xian)，C11上端(duan)不拆(chai)線(xian)(xian)，C11下(xia)(xia)端(duan)接高壓線(xian)(xian)芯(xin)線(xian)(xian)，C2末(mo)端(duan)δ和X接Cx芯(xin)線(xian)(xian)。這(zhe)樣(yang)C12和C2被低壓屏蔽(bi)(bi)，儀(yi)器(qi)采用反(fan)接線(xian)(xian)低壓屏蔽(bi)(bi)測量方式，可(ke)同時測出C11和下(xia)(xia)端(duan)被屏蔽(bi)(bi)部分的電容量和介損值。

4.10 CVT自激法

高壓線(xian)芯線(xian)接C2下(xia)端，Cx芯線(xian)接C12上端。在(zai)CVT 自(zi)激法測量(liang)中，儀(yi)器先測量(liang)C12，然后自(zi)動(dong)倒線(xian)測量(liang)C2，并自(zi)動(dong)校準分(fen)壓影響。

1）D型(xing)高壓連線不可(ke)拖地(di)(di)，高壓線應懸(xuan)空不能接觸地(di)(di)面（高壓線的接地(di)(di)屏(ping)蔽層(ceng)插頭(tou)必(bi)須(xu)懸(xuan)空），否則(ze)其(qi)對地(di)(di)附(fu)加介損(sun)會(hui)引(yin)起誤差(cha)，可(ke)用細電纜連接高壓插座與(yu)CVT試品并(bing)吊起。

2）E、F、S、J型高壓連線可拖地使用，在開機初始界面（圖3-1界面），光標停留在“測試模式”處長按“→”鍵（聽到蜂鳴器聲音松手）可取消或使用拖地模式（右下角顯示“”表示當前為拖地模式），在拖地模式下必須將高壓連線的接地屏蔽層插頭接至圖2-1中的“1”（高壓測量接地）處，否則會引起測量誤差；取消拖地模式后高壓連線必須懸空吊起，高壓連線的接地屏蔽層插頭也應懸空，否則會引起測量誤差。拖地模式下的高壓連線必須使用原廠配置的電纜（已校準），否則會引起測量誤差！

4.11 CVT變比(bi)測(ce)試

儀器高壓線(xian)的芯線(xian)紅夾(jia)子接CVT的上端(duan)(duan)，母(mu)線(xian)拆地，CVT下端(duan)(duan)接地，低壓線(xian)紅黑夾(jia)子接二(er)次繞組(zu)。

5、常見CVT的參考測量方法

目前常見的(de)電(dian)容式電(dian)壓互感(gan)器可分為110kV、220kV、500kV等(deng)(deng)不同電(dian)壓等(deng)(deng)級，一般110kV的(de)CVT其(qi)(qi)C1就一節(jie)(jie)，220kV的(de)CVT其(qi)(qi)C1有兩節(jie)(jie)，而500kV的(de)CVT其(qi)(qi)C1有三節(jie)(jie)。

5.1  500kV CVT的測量方法

1）C11的測量方法

按圖5-1標明的方式接(jie)線，測量C11時應注(zhu)意(yi)：

◇ 拆(chai)開(kai)δ端(duan)，X端(duan)一(yi)定(ding)要接地

◇ a點接(jie)紅(hong)色高(gao)壓測試線的芯(xin)線（紅(hong)夾子(zi)），b點接(jie)紅(hong)色高(gao)壓測試線的高(gao)壓屏蔽層（黑夾子(zi)）

2）C12的測量方(fang)法

按圖5-2標明的方式接線(xian)，測量C12時注意：

◇ 拆開δ端，X端一定(ding)要接地

◇ a點接紅(hong)(hong)色(se)高(gao)壓測試線(xian)芯線(xian)（紅(hong)(hong)夾子），b點接黑色(se)低(di)壓測試線(xian)芯線(xian)（紅(hong)(hong)夾子）

3）C13和C2的測量方法(fa)

儀器設(she)有專門的CVT自激法，不需外加(jia)任何其(qi)它設(she)備，就(jiu)可以完成測(ce)(ce)試。按圖5-3標明的方式接線，儀器選用CVT自激法測(ce)(ce)量方式，試驗電壓可設(she)置為2kV，CVT自激法能一次(ci)測(ce)(ce)量C13和(he)(he)C2兩個(ge)電容的介損和(he)(he)電容量。

5.2  220kV CVT的測(ce)量(liang)方法

1）C11的(de)測量方法

按圖5-4標明的方式(shi)接線，測量C11時注意：

◇ δ和X相連，與接(jie)地分開。

◇ a點接紅(hong)色(se)高(gao)壓(ya)測試線(xian)的芯線(xian)（紅(hong)夾子），C2末端(duan)δ和X 接Cx端(duan)芯線(xian)，這(zhe)樣C12與C2就被低壓(ya)屏蔽(bi)了。

2）C12和C2的測(ce)量方法(fa)

儀器設(she)(she)有專門的(de)CVT自(zi)(zi)激法，不需外加任何(he)其它(ta)設(she)(she)備(bei)，就可以完成測試。按圖5-5標明的(de)方(fang)(fang)式接線，儀器選用CVT自(zi)(zi)激法測量方(fang)(fang)式，試驗(yan)電壓可設(she)(she)置為2kV，CVT自(zi)(zi)激法能一次測量C12和(he)C2兩個電容的(de)介損(sun)和(he)電容量。

5.3  110kV CVT的測量方法(fa)

儀器設有專門的CVT自(zi)激(ji)法，不需外加任何其它設備，就可以(yi)完成測試。按圖5-6標(biao)明(ming)的方(fang)式(shi)接線，儀器選用CVT自(zi)激(ji)法測量(liang)方(fang)式(shi)，試驗電壓可設置為2kV，CVT自(zi)激(ji)法能一次測量(liang)C13和C2兩(liang)個(ge)電容的介損(sun)和電容量(liang)。

6、現場試驗注(zhu)意事項

如果使用中出(chu)現測(ce)試(shi)數(shu)據明(ming)顯不合(he)理(li)，請從以下方面查(cha)找原因：

6.1搭(da)鉤接觸**

現場(chang)測量使用搭鉤連(lian)接(jie)(jie)試品(pin)時，搭鉤務必與試品(pin)接(jie)(jie)觸良好，否(fou)則接(jie)(jie)觸點放電會引(yin)起數據嚴重波動！尤其是引(yin)流(liu)線(xian)(xian)氧化層太厚，或風吹線(xian)(xian)擺動，易造(zao)成接(jie)(jie)觸**。

6.2接地(di)接觸**

接地(di)**會引起儀(yi)器保護或數(shu)據嚴重波(bo)動。應(ying)刮(gua)凈接地(di)點(dian)上的油漆和銹(xiu)蝕，務(wu)必保證0電阻(zu)接地(di)！

6.3直(zhi)接(jie)測量CVT或末端(duan)屏蔽(bi)法測量電磁(ci)式PT

直接測量(liang)CVT的下節耦合電容(rong)會出現負介損，消除負介損可(ke)采取下述措施或改(gai)用CVT自激法測量(liang)：

1）測試時測量儀器的接(jie)地端直接(jie)接(jie)在被試品的金屬底座上，并保(bao)證接(jie)觸(chu)良好。

2）條件允許(xu)時(shi)盡可能將非被試繞組(zu)短接，以減(jian)小電感和鐵心損耗的影響(xiang)。

3）被(bei)試品周圍不應有鐵架(jia)、腳手架(jia)、木(mu)梯等物體(ti)，盡可(ke)能減小分布阻抗的影響。

4）試驗(yan)引(yin)線與(yu)被試品的(de)夾角應盡可能接近90°，以(yi)減(jian)小線與(yu)試品間的(de)分布電容。

用末(mo)端屏蔽(bi)法(fa)(fa)測(ce)量電磁式(shi)PT時，由于(yu)受(shou)潮引起“T形網絡(luo)干(gan)擾”出現負介損，吹干(gan)下面三裙瓷(ci)套和(he)接線端子盤即可(ke)。也可(ke)改用常(chang)規(gui)法(fa)(fa)或末(mo)端加壓法(fa)(fa)測(ce)量。

6.4空氣濕度過大

空(kong)氣濕度大使介(jie)損測(ce)量值(zhi)異常(chang)增大（或減小(xiao)甚至(zhi)為(wei)負）且不穩定，必(bi)要時可加(jia)屏蔽環。因(yin)人(ren)為(wei)加(jia)屏蔽環改變了試(shi)品電場分布，此法有(you)爭議，可參照(zhao)有(you)關規程。

6.5發電機(ji)供電

發電機供(gong)電時(shi)可采用(yong)定頻50Hz模式工作。

6.6測試線(xian)

1）由(you)于(yu)長(chang)期使用，易(yi)造(zao)成測試線隱性斷路，或(huo)芯線和屏蔽短路，或(huo)插頭接觸(chu)**，用戶應經常(chang)維護測試線。

2）測試(shi)標準(zhun)電(dian)容試(shi)品時(shi)，應使用全屏蔽插(cha)頭(tou)連接，以消(xiao)除附加雜散(san)電(dian)容影響，否則(ze)不能反(fan)映儀(yi)器精度。

3）自激法測(ce)(ce)量(liang)CVT時，若(ruo)使用“高壓(ya)連線拖地”功能，請務必(bi)使用原廠配(pei)置的(de)(de)專用高壓(ya)電纜（原廠電纜在出廠時已(yi)進行(xing)(xing)校(xiao)準），高壓(ya)連線的(de)(de)接(jie)地屏蔽(bi)層必(bi)須接(jie)地，不可(ke)使用其它(ta)高壓(ya)電纜代替(ti)，否則(ze)會引起較大的(de)(de)測(ce)(ce)量(liang)誤差(cha)。若(ruo)拖地模式下測(ce)(ce)量(liang)誤差(cha)較大，則(ze)需將專用高壓(ya)電纜返(fan)廠重新進行(xing)(xing)校(xiao)準。

4）自激法測量(liang)(liang)CVT時，非專用(yong)的高(gao)(gao)壓線應吊起(qi)(qi)懸空，否(fou)則對地(di)(di)附加(jia)雜散電容和介損會引起(qi)(qi)測量(liang)(liang)誤差。使用(yong)專用(yong)電纜在非拖地(di)(di)模(mo)式下(xia)測量(liang)(liang)CVT，高(gao)(gao)壓電纜也應懸空且(qie)電纜的接(jie)地(di)(di)屏蔽層不能(neng)接(jie)地(di)(di)，否(fou)則會引起(qi)(qi)較大的測量(liang)(liang)誤差。

6.7工作模(mo)式(shi)選擇

接好線(xian)后請(qing)選擇正(zheng)確的測(ce)量工作模式，不可選錯。特別是干(gan)擾環境下應選用(yong)變(bian)頻抗干(gan)擾模式。

6.8試(shi)驗方法影響(xiang)

由于介損測量受試驗方法(fa)(fa)影響較大，應區分是(shi)試驗方法(fa)(fa)誤(wu)(wu)差還是(shi)儀器(qi)誤(wu)(wu)差。出現(xian)問題時可首(shou)先(xian)檢查接線(xian)，然后檢查是(shi)否為儀器(qi)故障。

6.9儀器故(gu)障

1）用(yong)萬用(yong)表測量一下測試線是否斷路，或芯線和屏蔽(bi)是否短路；

2）輸入電源220V過高或(huo)過低；接地是(shi)否(fou)良好；

3）用正(zheng)(zheng)、反接線測(ce)一下標準電容器或已(yi)知容量和介損的(de)電容試品，如果結果正(zheng)(zheng)確，即可判斷儀器沒有(you)問題(ti)；

4）拔下所有測試導線，進(jin)行空試升壓，若不能(neng)正常工作(zuo)，儀器可能(neng)有故(gu)障。

7、儀器檢定

7.1檢定

用帶(dai)插頭的(de)屏蔽電纜連接標準損耗器(qi)。如(ru)果不(bu)能保證(zheng)標準損耗器(qi)的(de)精(jing)度(du)，應(ying)使用比(bi)對法檢(jian)定，建議用2801電橋(qiao)(qiao)或(huo)其(qi)它精(jing)密電橋(qiao)(qiao)作(zuo)比(bi)對標準。

1）介(jie)質損耗因數標準器一般為串聯(lian)模型(xing)(xing)，因此儀器的試品模型(xing)(xing)應選擇“RC串聯(lian)(電(dian)(dian)流比(bi)較儀型(xing)(xing)電(dian)(dian)橋)”或“RC串聯(lian)(西林型(xing)(xing)電(dian)(dian)橋)”。

RC串聯(lian)(電流比(bi)較儀(yi)型(xing)電橋)：采用電流比(bi)較儀(yi)型(xing)電橋（如QS30電橋）校(xiao)準的串聯(lian)型(xing)試品(或介質損(sun)耗因數標準器(qi))，該項(xiang)在開始(shi)測試界(jie)面顯示(shi)"RC串聯(lian)"。

RC串聯(西林型電橋)： 采用西林型電橋（如2801、QS1和QS37等電橋）校準的串聯型試品(或介質損耗因數標準器) ，該項在開始測試界面顯示 "RC串聯"。

采用(yong)電流比較儀型(xing)電橋(qiao)(qiao)和(he)西林型(xing)電橋(qiao)(qiao)校準的串(chuan)聯型(xing)試(shi)品(或介質損耗(hao)因數標準器)的區別只是(shi)電容量不同：

為西林型電橋標定值，C為電流比較儀型電橋標定值。

2）用(yong)介(jie)質損(sun)耗因數標準器(qi)（或(huo)標準電容器(qi)）檢定儀器(qi)反接線精(jing)度時，高(gao)壓(ya)電纜與試品連接必須(xu)使(shi)用(yong)全(quan)屏蔽插(cha)頭(tou)，否則暴露的(de)芯線會引起測量誤差(cha)。

3）用(yong)介質損(sun)耗因數標準器（或標準電容器）檢定儀(yi)器正接線精(jing)度時，低(di)壓電纜與試品連(lian)接必(bi)須使用(yong)全屏蔽插頭，否(fou)則暴露的芯(xin)線會引起測量誤差。

嚴格按照上(shang)述要求檢定方能(neng)真實反(fan)映(ying)本儀(yi)器的測量精(jing)度(du)！

7.2抗干擾能力

設置一個回路向儀(yi)器注入(ru)定量的干擾電流。

注意：

1）應考慮到該(gai)回路(lu)可能(neng)成為試品(pin)的一部分。

2）儀(yi)器(qi)啟動后會使(shi)220V供電(dian)電(dian)路帶有(you)測量(liang)頻率(lv)分(fen)量(liang)，如果該頻率(lv)分(fen)量(liang)又通過干擾(rao)(rao)電(dian)流(liu)進入(ru)儀(yi)器(qi)，則無(wu)法(fa)檢驗儀(yi)器(qi)的抗干擾(rao)(rao)能力。

3）不建議用(yong)臨(lin)近(jin)高壓導體施(shi)加干擾，因為這樣很容易產(chan)生(sheng)(sheng)近(jin)距離(li)**放(fang)電(dian)(dian)，這種放(fang)電(dian)(dian)電(dian)(dian)阻(zu)是非(fei)線性的(de)，容易產(chan)生(sheng)(sheng)同頻干擾。