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高精密介質損耗分析儀

如果您對該產(chan)品感興趣的話,可以
產品名稱: 高(gao)精密介質(zhi)損耗分(fen)析儀
產品型號: WBJS6000
產品展商: 其它品牌
產品文檔: 無相關文檔
產品簡介

WBJS6000高精密介質損耗分析儀用于現場介損測量或試驗室精密介損測量。儀器為一體化結構,內置介損電橋、變頻電源、試驗變壓器和標準電容器等。高精密介質損耗分析儀采用變頻抗干擾和傅立葉變換數字濾波技術,全自動智能化測量,強干擾下測量數據非常穩定。測量結果由大屏幕液晶顯示,儀器自帶微型打印機可打印輸出測試結果。

詳細介紹


1、WBJS6000高精密介質損耗分析儀特點及(ji)性能

介損絕(jue)緣試(shi)驗可以有效地發現(xian)電(dian)(dian)器設備絕(jue)緣的(de)整體受潮劣化變質以及局部缺陷(xian)等,在電(dian)(dian)工制造、電(dian)(dian)氣設備安裝、交接和預防性試(shi)驗中(zhong)都廣(guang)泛應用。

介質損耗(hao)測量(liang)儀用于現(xian)場(chang)介損測量(liang)或試(shi)(shi)驗室精密介損測量(liang)。儀器為一體(ti)化結構(gou),內置(zhi)介損電橋(qiao)、變(bian)頻電源(yuan)、試(shi)(shi)驗變(bian)壓器和標(biao)準電容器等。儀器采用變(bian)頻抗干(gan)擾(rao)和傅立(li)葉變(bian)換數(shu)字濾波(bo)技術,全(quan)自動智能化測量(liang),強(qiang)干(gan)擾(rao)下測量(liang)數(shu)據非常穩定。測量(liang)結果由大屏(ping)幕液晶顯示,儀器自帶微型打印機(ji)可打印輸出測試(shi)(shi)結果。

1.1主要技(ji)術指標(biao)

額定工作條件:環境溫度  -10℃~50℃

相對濕度  <85%阿

輸(shu)入電源:    180V~270VAC,50Hz/60Hz±1%,市(shi)電或(huo)發(fa)電機供電

準確度(du):  &nbsp;   Cx: ±(讀(du)數×1%+1pF)

tgδ: ±(讀數×1%+0.00040)

抗干(gan)擾(rao)指標:   變頻抗干(gan)擾(rao),在200%干(gan)擾(rao)下仍能達到上述準(zhun)確度

電容量范圍:  ; 內施高壓(ya):3pF~60000pF/10kV    60pF~1μF/0.5kV

外施高壓:3pF~1.5μF/10kV      60pF~30μF/0.5kV

分辨率:       *高0.001pF,4位有(you)效數字

tgδ范圍:     不限(xian),分(fen)辨率0.001%,電容、電感、電阻三種試(shi)品自動識別(bie)。

試驗電流范圍: 10μA~5A

內施高(gao)壓:    設定電壓范圍:0.5~10kV

*大輸出電流:200mA

升降壓方式(shi):連續平滑調節

電(dian)壓(ya)精度:±(1.0%×讀數(shu)+10V)

電壓分(fen)辨率:0.1V

試驗頻率:45、50、55、60、65Hz 單頻

45/55Hz、55/65Hz、47.5/52.5Hz 自動雙變頻

頻率精度:±0.01Hz

外(wai)施高(gao)壓:  &nbsp; 正、反接(jie)線時*大試驗電(dian)流5A

CVT自(zi)激法低壓(ya)輸(shu)出:輸(shu)出電壓(ya)3~50V,輸(shu)出電流3~30A

高(gao)電(dian)(dian)壓介損(sun)(sun):  支持變頻和諧(xie)振電(dian)(dian)源高(gao)電(dian)(dian)壓介損(sun)(sun)

實(shi)時(shi)(shi)(shi)時(shi)(shi)(shi)鐘:    實(shi)時(shi)(shi)(shi)顯示時(shi)(shi)(shi)間和日期

內部存儲:&nbsp;   儀(yi)器內部可(ke)存儲100組測量(liang)數據

U盤(pan)(pan):  &nbsp;   &nbsp; 支持U盤(pan)(pan)存儲

打印機:      微型熱敏打印機

計算機接口:  標準RS232接口(選配(pei))

尺寸重量:&nbsp;   K型:外形尺寸368mm×288mm×280mm;主機(ji)重量22kg。

其他款(kuan)型:外形尺(chi)寸430mm×314mm×334mm;主機重量30kg。

注:上述(shu)為E型(xing)主要技術(shu)指標,其它型(xing)號技術(shu)指標詳見本章節“1.3.6各型(xing)號測試功能說明”。


1.2 WBJS6000高精密介質損耗分析儀系列型號功能列表

產(chan)品

型號

電容測(ce)量

范(fan)圍(10kV)

*大輸出

電壓/電流

高電(dian)壓(ya)

介損(sun)

正接

反接

反(fan)接線

低壓屏蔽

CVT自激法(fa)

CVT

變比

B型

3pF~40nF

10kV/140mA

支持(chi)

外部自激升壓

無(wu)

D型(xing)

3pF~60nF

10kV/200mA

支持(chi)

C11/C下節

同時測(ce)量

C1/C2同時測量

高(gao)壓(ya)測量線需懸空

E型

3pF~60nF

10kV/200mA

支持

C11/C下節

同時測(ce)量(liang)

C1/C2同時測量

高壓測量線可拖地

有(you)

F型

3pF~60nF

12kV/200mA

支持(chi)

C11/C下(xia)節

同(tong)時測量

C1/C2同時測量

高壓測量線可拖(tuo)地

有(you)

K型

3pF~60nF

10kV/200mA

支持

C11/ C下節同時(shi)測量

C1/C2同時測量

高壓測量線(xian)可拖地(di)

S型

(四通道)

3pF~60nF

10kV/200mA

支持

C11/C下節

同時(shi)測(ce)量

C1/C2同時測量

高壓測量線可拖地

J型

(0.5%)

3pF~60nF

10kV/200mA

支持

有(you)

C11/C下節

同時測量

C1/C2 同(tong)時測量

高壓測量線可拖地

1.3 WBJS6000高精密介質損耗分析儀主要功能特點

1.3.1 變(bian)頻(pin)抗(kang)干擾

采用變頻抗(kang)(kang)干(gan)擾(rao)(rao)技術(shu),在200%干(gan)擾(rao)(rao)下(xia)仍(reng)能準(zhun)確測量,測試數據穩定,適合(he)在現場做抗(kang)(kang)干(gan)擾(rao)(rao)介(jie)損(sun)試驗。

1.3.2高精度(du)測量

采用數(shu)字波形(xing)分(fen)析(xi)和電橋(qiao)自校準等技術,配合高精度三端(duan)標準電容器,實現(xian)高精度介損測(ce)量(liang)(liang)。儀(yi)器所有量(liang)(liang)程(cheng)輸入電阻(zu)低于2Ω,消除(chu)了測(ce)量(liang)(liang)電纜附加電容的影(ying)響。

1.3.3**措施(shi)

高(gao)壓保護:試品短路、擊穿(chuan)或高(gao)壓電流波動,能以短路方式高(gao)速切斷輸出。

供電(dian)保(bao)護(hu):誤接380V、電(dian)源波動(dong)或突(tu)然(ran)斷電(dian),啟動(dong)保(bao)護(hu),不會引起過(guo)電(dian)壓。

接(jie)地保護(hu):具有(you)接(jie)地檢測功能,未接(jie)地時不能升壓(ya),若測量(liang)過程(cheng)中儀器接(jie)地**則啟動(dong)接(jie)地保護(hu)。

CVT 保護:高壓(ya)側(ce)電(dian)(dian)(dian)壓(ya)和(he)(he)電(dian)(dian)(dian)流、低壓(ya)側(ce)電(dian)(dian)(dian)壓(ya)和(he)(he)電(dian)(dian)(dian)流四個保護限制,不會(hui)損壞設備;誤選(xuan)菜單不會(hui)輸出激磁(ci)電(dian)(dian)(dian)壓(ya)。CVT測量(liang)時(shi)無10kV高壓(ya)輸出。

防(fang)誤(wu)操(cao)作:兩級電源(yuan)開關;電壓、電流實時監(jian)視;多次(ci)按鍵確認;接線端子高/低壓分明;慢(man)速升(sheng)壓,可迅速降壓,聲光報(bao)警。

防“容(rong)升”:測量大容(rong)量試(shi)品時(shi)會出(chu)現電(dian)壓(ya)抬高的(de)“容(rong)升”效應,儀器能自動跟蹤輸出(chu)電(dian)壓(ya),保(bao)持試(shi)驗電(dian)壓(ya)恒定(ding)。

高(gao)(gao)壓(ya)電(dian)纜:為耐高(gao)(gao)壓(ya)絕緣導線(xian),可拖地使用。

抗震(zhen)性能:儀器采用獨特(te)抗震(zhen)設計,可耐(nai)受強烈長途運輸震(zhen)動、顛簸而不會損(sun)壞。

1.3.4打印(yin)存(cun)儲(chu)

儀器自帶微型打印機,可以(yi)將測(ce)量結(jie)果(guo)打印輸出,并將測(ce)量結(jie)果(guo)存(cun)(cun)貯到儀器內(nei)(可存(cun)(cun)儲100組測(ce)量數據)或U盤,以(yi)便日后(hou)查(cha)閱(yue)。

1.3.5實時(shi)時(shi)鐘

儀器內帶實(shi)時(shi)時(shi)鐘,實(shi)時(shi)顯示,并能記錄測量的日期和(he)時(shi)間。

1.3.6各型(xing)號測試功能說明

B型(xing)(xing):輕(qing)便型(xing)(xing),高(gao)(gao)壓*大輸出電流為140mA,具有正接線、反接線功能,可(ke)選擇內/外標準(zhun)電容、內/外高(gao)(gao)壓多(duo)種(zhong)工作(zuo)模式(shi),一體(ti)化結構,可(ke)做各種(zhong)常規介(jie)損(sun)試驗。

D型:實用型,高(gao)壓(ya)*大輸出(chu)電(dian)流(liu)為200mA,具有正(zheng)接(jie)線(xian)、反接(jie)線(xian)、反接(jie)線(xian)低壓(ya)屏蔽(bi)、CVT自(zi)激法(fa)(fa),反接(jie)線(xian)低壓(ya)屏蔽(bi)功能能在(zai)220kV CVT母線(xian)接(jie)地情況(kuang)下,對C11進行不拆(chai)線(xian)10kV反接(jie)線(xian)介損(sun)測量,并(bing)可(ke)一次(ci)接(jie)線(xian)同(tong)(tong)時(shi)測出(chu)兩個(ge)電(dian)容的(de)電(dian)容量和介損(sun)值。CVT自(zi)激法(fa)(fa)測量時(shi),C1/C2可(ke)一次(ci)接(jie)線(xian)同(tong)(tong)時(shi)測出(chu),無須換線(xian)和外接(jie)任何配(pei)件,但高(gao)壓(ya)測量線(xian)需懸(xuan)空吊起。

E型:標準型,在D型基礎上增(zeng)加了(le)(le)CVT變比測(ce)(ce)試(shi)功(gong)能,同時(shi)升級了(le)(le)CVT自激(ji)法測(ce)(ce)試(shi),現(xian)場CVT自激(ji)法測(ce)(ce)試(shi)時(shi)高(gao)壓(ya)測(ce)(ce)量線(xian)可拖地使用(yong),無需吊起。

F型(xing)(xing):增強型(xing)(xing),功能(neng)同E型(xing)(xing),輸出*高電(dian)壓從10kV增加至12kV。

K型:標準型,在E型基礎上減(jian)小體(ti)積(ji)重(zhong)量(liang),設備更精(jing)巧。

S型(xing):四通道型(xing),功能同E型(xing),增(zeng)加了3個正接通道。

J型:高精(jing)度(du)型,功(gong)能同E型,測量準確度(du)為0.5%。

所有型號(hao)儀(yi)器均(jun)具備(bei)下述特點(dian):

(1)支(zhi)持變(bian)頻和(he)諧(xie)振電源高(gao)電壓(ya)介損。

(2)內置串聯(lian)和并聯(lian)兩種(zhong)介損(sun)測(ce)量模型,方便儀器檢定(ding)。

(3)配置(zhi)熱(re)敏(min)打印(yin)機,使打印(yin)更加(jia)快(kuai)捷、無噪音和清晰。

(4)320×240點陣大(da)屏(ping)液(ye)晶顯(xian)示,菜單(dan)操作,測(ce)試數據豐富(fu),自(zi)動(dong)分辨電(dian)容、電(dian)感、電(dian)阻(zu)型試品。

(5)具有(you)外(wai)接(jie)標準電(dian)容(rong)器接(jie)口(kou),可(ke)外(wai)接(jie)油杯做(zuo)精密絕(jue)(jue)緣油介(jie)損試驗(yan),可(ke)外(wai)接(jie)固(gu)體(ti)材(cai)料測量電(dian)極做(zuo)精密絕(jue)(jue)緣材(cai)料介(jie)損試驗(yan),也(ye)可(ke)外(wai)接(jie)高壓標準電(dian)容(rong)器做(zuo)高電(dian)壓介(jie)損試驗(yan)。

(6)帶日歷時鐘,可存(cun)儲100組測量數據。

(7)計(ji)算機接口(選配)。


2、WBJS6000高精密介質損耗分析儀面板說明(ming)

高(gao)壓(ya)輸出測(ce)量(liang)接(jie)地(di)(di):若(ruo)出廠配置的(de)(de)高(gao)壓(ya)測(ce)試線(xian)(xian)有(you)接(jie)地(di)(di)屏蔽層(ceng)(ceng),則(ze)需將高(gao)壓(ya)測(ce)量(liang)線(xian)(xian)的(de)(de)接(jie)地(di)(di)屏蔽層(ceng)(ceng)連接(jie)至此處,沒有(you)則(ze)留空。CVT自激法(fa)測(ce)量(liang)的(de)(de)高(gao)壓(ya)連線(xian)(xian)接(jie)地(di)(di)屏蔽層(ceng)(ceng)在拖(tuo)地(di)(di)模式(shi)下(xia)必須接(jie)地(di)(di),非拖(tuo)地(di)(di)模式(shi)下(xia)接(jie)地(di)(di)屏蔽層(ceng)(ceng)應懸空不能接(jie)地(di)(di)且高(gao)壓(ya)測(ce)量(liang)線(xian)(xian)也應懸空吊起(qi)不能拖(tuo)地(di)(di)。

高壓輸(shu)出插座(0.5~10kV,*大(da)200mA)

安(an)裝位(wei)置(zhi):如(ru)圖(tu)2-1所示(shi),安(an)裝在箱體(ti)(ti)前側(ce)面。

功    能:內高(gao)壓輸出;檢測反接線試品電(dian)流;內部標準電(dian)容器(qi)的(de)高(gao)壓端。

接(jie)(jie)線(xian)(xian)(xian)方(fang)法(fa):插座(zuo)1腳接(jie)(jie)高(gao)(gao)(gao)(gao)壓(ya)(ya)(ya)(ya)線(xian)(xian)(xian)芯線(xian)(xian)(xian)(紅夾(jia)子(zi)),2、3腳接(jie)(jie)高(gao)(gao)(gao)(gao)壓(ya)(ya)(ya)(ya)線(xian)(xian)(xian)屏蔽(bi)(bi)(bi)(bi)(黑夾(jia)子(zi))。正(zheng)接(jie)(jie)線(xian)(xian)(xian)時(shi),高(gao)(gao)(gao)(gao)壓(ya)(ya)(ya)(ya)線(xian)(xian)(xian)芯線(xian)(xian)(xian)(紅夾(jia)子(zi))和屏蔽(bi)(bi)(bi)(bi)(黑夾(jia)子(zi))都可以(yi)用(yong)作加(jia)(jia)壓(ya)(ya)(ya)(ya)線(xian)(xian)(xian);反接(jie)(jie)線(xian)(xian)(xian)時(shi)只(zhi)能用(yong)芯線(xian)(xian)(xian)對試(shi)(shi)品高(gao)(gao)(gao)(gao)壓(ya)(ya)(ya)(ya)端加(jia)(jia)壓(ya)(ya)(ya)(ya)。如果試(shi)(shi)品高(gao)(gao)(gao)(gao)壓(ya)(ya)(ya)(ya)端有(you)屏蔽(bi)(bi)(bi)(bi)極(ji)(如高(gao)(gao)(gao)(gao)壓(ya)(ya)(ya)(ya)端的屏蔽(bi)(bi)(bi)(bi)環)可接(jie)(jie)高(gao)(gao)(gao)(gao)壓(ya)(ya)(ya)(ya)屏蔽(bi)(bi)(bi)(bi),無屏蔽(bi)(bi)(bi)(bi)時(shi)高(gao)(gao)(gao)(gao)壓(ya)(ya)(ya)(ya)屏蔽(bi)(bi)(bi)(bi)懸空。若配置的高(gao)(gao)(gao)(gao)壓(ya)(ya)(ya)(ya)測(ce)(ce)試(shi)(shi)線(xian)(xian)(xian)有(you)接(jie)(jie)地屏蔽(bi)(bi)(bi)(bi)層(ceng)(ceng),則(ze)需(xu)將(jiang)高(gao)(gao)(gao)(gao)壓(ya)(ya)(ya)(ya)測(ce)(ce)量線(xian)(xian)(xian)的接(jie)(jie)地屏蔽(bi)(bi)(bi)(bi)層(ceng)(ceng)連接(jie)(jie)至圖2-1中的“1”處。

注意事(shi)項:

(1)若儀(yi)器CVT自激法(fa)高壓連線具備“高壓拖(tuo)地(di)(di)”功(gong)能,使(shi)用拖(tuo)地(di)(di)模式測量(liang)時(shi)務必(bi)使(shi)用原廠配(pei)置的專用高壓電(dian)纜(原廠電(dian)纜在出廠時(shi)已進行校準(zhun)),不可(ke)使(shi)用其它高壓電(dian)纜代替,否則會引起較(jiao)大的測量(liang)誤差。CVT自激法(fa)不使(shi)用拖(tuo)地(di)(di)模式時(shi),高壓電(dian)纜必(bi)須懸空,接地(di)(di)屏蔽(bi)層(ceng)也不能接地(di)(di)!

(2)高(gao)(gao)壓(ya)(ya)插座(zuo)和高(gao)(gao)壓(ya)(ya)線有危險電壓(ya)(ya),**禁止(zhi)碰觸高(gao)(gao)壓(ya)(ya)插座(zuo)、電纜、夾子和試(shi)品帶電部位!確認斷電后(hou)接線,測量時(shi)務(wu)必遠離(li)!

(3)用(yong)標準介損器(qi)(或標準電容器(qi))檢定(ding)反接線精度時,應使用(yong)全屏蔽插頭連接試品,否則暴(bao)露的芯線會引起測量誤差。

(4)應(ying)保(bao)證高壓線與試品高壓端零電阻連(lian)接(jie),否則可(ke)能引起(qi)誤差或(huo)數據波動(dong),也可(ke)能引起(qi)儀器保(bao)護。

(5)強(qiang)干(gan)擾下拆除(chu)接線時,應(ying)在保持電(dian)(dian)纜接地狀態下斷開連(lian)接,以(yi)防感應(ying)電(dian)(dian)擊。

CVT自激法低壓輸出插(cha)座(3~50V,3~30A)

功(gong)    能:由該(gai)插座和圖2-1中(zhong)的接(jie)地接(jie)線柱“4”輸出(chu)CVT測量的低(di)壓(ya)變(bian)頻激勵電源(yuan)。

注意事項:

(1)因低(di)(di)壓輸出電流(liu)大,應(ying)采用儀器專用低(di)(di)阻線(xian)連(lian)接CVT二次(ci)繞組,接觸**會影響測(ce)量。

(2)視CVT容量從菜單選(xuan)擇合(he)適(shi)的電壓(ya)電流(liu)保護限。

(3)選擇正/反接線時(shi),此輸(shu)出封閉。

測(ce)量接地:它同外殼和電源插座地線連到一起(qi),與圖2-1的(de)“3”一起(qi)輸出CVT測(ce)量的(de)低壓變頻激勵電源。盡管儀器(qi)有接地保(bao)護,但(dan)無論何種(zhong)測(ce)量,儀器(qi)都應可靠獨立接地以保(bao)障使用(yong)者的(de)**及測(ce)量結(jie)果的(de)準確。

打印機:微型熱敏(min)打印機,用于打印測試數據。

USB:USB通信用。

RS232:與計(ji)算機(ji)聯機(ji)使(shi)用。

U盤:用于外接U盤保存數據。

試品輸入Cx插(cha)座(10μA~5A)

功    能:正接(jie)線時輸入試(shi)品電流(liu)。

接(jie)線(xian)(xian)方法:插座1腳接(jie)測(ce)量線(xian)(xian)芯(xin)線(xian)(xian)(紅(hong)夾子),2、3腳接(jie)測(ce)量線(xian)(xian)屏蔽(bi)(bi)(bi)(黑夾子)。正接(jie)線(xian)(xian)時芯(xin)線(xian)(xian)(紅(hong)夾子)接(jie)試(shi)(shi)品低壓信號(hao)端,如果試(shi)(shi)品低壓端有屏蔽(bi)(bi)(bi)極(如低壓端的屏蔽(bi)(bi)(bi)環(huan))可接(jie)屏蔽(bi)(bi)(bi),試(shi)(shi)品無屏蔽(bi)(bi)(bi)時屏蔽(bi)(bi)(bi)懸空。

注意(yi)事(shi)項:

(1)測量中嚴禁拔下插(cha)頭,防止試品電流(liu)經人體(ti)入地!

(2)用標(biao)(biao)準介損器(qi)(qi)(或標(biao)(biao)準電容器(qi)(qi))檢測(ce)儀器(qi)(qi)正接(jie)線(xian)精度時,應使用全屏蔽插頭連接(jie)試(shi)品,否(fou)則暴(bao)露(lu)的芯線(xian)會引起測(ce)量誤(wu)差。

(3)應保(bao)證引(yin)線與試品低壓(ya)端0電(dian)阻連接,否(fou)則可(ke)能(neng)引(yin)起(qi)誤差或(huo)數據波動,也可(ke)能(neng)引(yin)起(qi)儀器保(bao)護。

(4)強干擾下(xia)(xia)拆(chai)除接線時,應(ying)在(zai)保(bao)持(chi)電(dian)纜(lan)接地狀態(tai)下(xia)(xia)斷開連接,以(yi)防(fang)感應(ying)電(dian)擊。

標準電容輸入Cn插(cha)座(10μA~5A)

功    能:輸入(ru)外接標準電(dian)容(rong)器電(dian)流。

接線方法:與Cx插(cha)座類似,其(qi)區別(bie)在于(yu):

(1)使用(yong)外部標準(zhun)電容(rong)器時,應使用(yong)全(quan)屏蔽插頭連接。此方式常用(yong)于(yu)外接高電壓等級標準(zhun)電容(rong)器,實現高電壓介損測(ce)量。

(2)菜單選擇“外標準電容(rong)”方式。

(3)將外(wai)接標準(zhun)電容(rong)器的(de)C和tgδ置入儀器,實現Cx電容(rong)介損的(de)**值測量。

從理論上講,任何(he)容(rong)量和(he)(he)介損的電(dian)(dian)容(rong)器(qi)(qi),將參數(shu)置入儀器(qi)(qi)都可做標準(zhun)電(dian)(dian)容(rong)器(qi)(qi)。不同的是標準(zhun)電(dian)(dian)容(rong)器(qi)(qi)能提(ti)供更好的長期穩定性和(he)(he)精度。

(4)不管正接線還是(shi)反接線測量,標準電容器(qi)接線方式始終為正接線。

總電(dian)源開關(guan):開關(guan)機用,可在(zai)發現(xian)異常時(shi)隨(sui)時(shi)關(guan)閉。

供電(dian)電(dian)源(yuan)插(cha)座:接220V市電(dian),插(cha)座內置(zhi)保(bao)險(xian)(xian)絲(si)座,保(bao)險(xian)(xian)絲(si)規格為(wei)10A / 250V,若損壞(huai)應使用相同規格的(de)保(bao)險(xian)(xian)絲(si)替換(huan)。若換(huan)用備用保(bao)險(xian)(xian)絲(si)后仍燒斷,可(ke)能儀(yi)器有故(gu)障,可(ke)通知廠家處理。

高壓(ya)允許開(kai)關(guan):內置高壓(ya)系統(tong)或CVT自激(ji)法低壓(ya)輸(shu)出系統(tong)的(de)總(zong)電源(yuan)開(kai)關(guan)。此開(kai)關(guan)受(shou)總(zong)電源(yuan)開(kai)關(guan)控制。

按(an)鍵:按(an)下“↑”、“↓”、“←”、“→”鍵可移(yi)動光標和修改光標處(chu)內容,“確認(ren)”鍵用(yong)于確認(ren)或結束參(can)數(shu)修改,在(zai)測試界面長按(an)該鍵可開始(shi)測量(liang),測量(liang)過程(cheng)中(zhong),按(an)“確認(ren)”鍵可終止(zhi)測量(liang)。

液晶(jing)顯示屏(ping):320×240點陣(zhen)灰白背光液晶(jing)顯示屏(ping),顯示菜單、測(ce)量結果或出錯信息。應(ying)避免長時間(jian)陽(yang)光爆曬,避免重壓。

背(bei)光(guang)調節(jie)(jie):液(ye)晶顯(xian)示(shi)屏顯(xian)示(shi)較(jiao)暗(an)或不清(qing)晰(xi)時可調節(jie)(jie)該電(dian)位器至合適位置使顯(xian)示(shi)明(ming)亮清(qing)晰(xi)。

指示(shi)燈:配合儀(yi)器內部蜂鳴器進(jin)行測(ce)試(shi)、報警等聲光警示(shi)。

3、WBJS6000高精密介質損耗分析儀使用說明

3.1初始(shi)菜單界(jie)面

打(da)開總(zong)電源開關后,系(xi)統進入初始菜(cai)單(dan)界面。

測試模式:選擇測試模式和設置各(ge)項測試參數,

歷史(shi)記錄(lu):查看保(bao)存(cun)的歷史(shi)數據

系統(tong)設置:出廠參數設置及系統(tong)時間校(xiao)準

幫    助:可查(cha)閱軟件版本等(deng)信息

取消或(huo)使用(yong)CVT自激法“高壓連(lian)線拖地”功(gong)能(neng):

開機右下角顯示“”表示該儀器在CVT自激法測試時高壓連線具備拖地功能。

光標停留在“測試模式”處長按“→”鍵(聽到蜂鳴器聲音松手)可取消或使用拖地模式(右下角顯示“”表示當前為拖地模式),在拖地模式下必須將高壓連線的接地屏蔽層插頭接至圖2-1中的“1”(高壓測量接地)處,否則會引起測量誤差;取消拖地模式后高壓連線必須懸空吊起,同時高壓連線的接地屏蔽層插頭也應懸空,否則會引起測量誤差。

使用(yong)或(huo)取消發“發電機供電”模式:

光標停留在“測試模式”處長按“←”鍵(聽到蜂鳴器聲音松手)可使用或取消發電機供電模式(左下角顯示“”表示當前為發電機供電模式),儀器開機默認為市電供電模式,發電機模式適合使用發電機或移動電源供電環境,發電機模式下儀器將不進行接地檢測。

3.2測試模式

3.2.1 開(kai)始測(ce)試菜單界(jie)面

在初始菜單界(jie)面將光(guang)標移動到“測試模(mo)式”按確定按鈕(niu)進入開始測試菜單界(jie)面,如圖3-2所示。

界面左側為(wei)參數(shu)設(she)置(zhi)選項(xiang),移動光標到相關參數(shu)選項(xiang)按(an)確(que)定鍵(jian)可設(she)置(zhi)相關試(shi)驗參數(shu),右側顯示內容(rong)為(wei)已設(she)置(zhi)好(hao)試(shi)驗參數(shu),光標停留(liu)在“開始測試(shi)”欄長按(an)“確(que)認” 鍵(jian)可開始測試(shi)。

界面右(you)側(ce)“測(ce)(ce)試地(di)點”下一行為(wei)(wei)信息提(ti)(ti)示(shi)行,若(ruo)內(nei)外(wai)高(gao)(gao)壓選(xuan)擇有(you)誤則提(ti)(ti)示(shi)“當前為(wei)(wei)內(nei)高(gao)(gao)壓模(mo)(mo)式(shi)(shi),請(qing)開啟(qi)內(nei)高(gao)(gao)壓”或(huo)“當前為(wei)(wei)外(wai)高(gao)(gao)壓模(mo)(mo)式(shi)(shi),請(qing)關閉內(nei)高(gao)(gao)壓”;若(ruo)儀器沒有(you)接地(di)則會提(ti)(ti)示(shi)“請(qing)檢查接地(di)”,當有(you)錯(cuo)誤提(ti)(ti)示(shi)時儀器無法正常啟(qi)動(dong),只有(you)提(ti)(ti)示(shi)“確認(ren)無誤后長按確認(ren)鍵開始(shi)測(ce)(ce)試”時儀器方可啟(qi)動(dong)測(ce)(ce)試。

3.2.2 試品模型選擇菜單界面

將(jiang)光標(biao)移動到“試(shi)品模(mo)型(xing)(xing)(xing)”功(gong)能(neng)選(xuan)項,界面如圖3-3所示,按(an)“確認”按(an)鈕后(hou)移動光標(biao)可(ke)選(xuan)擇合適(shi)的試(shi)品模(mo)型(xing)(xing)(xing)(光標(biao)移動到相應功(gong)能(neng)后(hou)按(an)確認鍵)。實驗室一般使用(yong)串(chuan)聯型(xing)(xing)(xing)介(jie)損因數標(biao)準器檢(jian)定,校驗時應使用(yong)RC串(chuan)聯模(mo)型(xing)(xing)(xing)。

RC串聯(電(dian)流比較儀(yi)型電(dian)橋(qiao)):采(cai)用電(dian)流比較儀(yi)型電(dian)橋(qiao)(如QS30電(dian)橋(qiao))校準(zhun)的串聯型試(shi)品(pin)(或介質損耗(hao)因數標準(zhun)器),該項在(zai)開始測試(shi)界面顯示"RC串聯"。

RC串聯(西林型電橋): 采用西林型電橋(如2801、QS1和QS37等電橋)校準的串聯型試品(或介質損耗因數標準器) ,該項在開始測試界面顯示 "RC串聯"。

RC并聯(lian)(現場使用):一般實際的電(dian)容試品(pin)可(ke)等效為RC并聯(lian)模(mo)型,建議現場試驗時使用。

采用電流比較儀型電橋和西林型電橋校準的串聯型試品(或介質損耗因數標準器)的區別只是電容量不同:為西林型電橋標定值,C為電流比較儀型電橋標定值。

3.2.3 接線方式選(xuan)擇菜(cai)單界(jie)面

將光標移(yi)動到(dao)“接(jie)線方(fang)式”功(gong)能選(xuan)項,界面如圖(tu)3-4所(suo)示,按(an)“確認”按(an)鈕后移(yi)動光標可(ke)選(xuan)擇合適的接(jie)線方(fang)式。

接(jie)(jie)線方(fang)式:共5種接(jie)(jie)線方(fang)式(功能因型(xing)號有(you)差別,具體詳見型(xing)號功能說明部(bu)分(fen)),分(fen)別為(wei):正接(jie)(jie)線、反(fan)接(jie)(jie)線、反(fan)接(jie)(jie)線低壓屏蔽(bi)、CVT自(zi)激法和變比(bi)。選擇(ze)CVT自(zi)激法測(ce)量時需(xu)同時將相關參數(shu)一并設置好。

CVT自激(ji)法測(ce)(ce)量必須打開(kai)內高(gao)壓允許開(kai)關(guan),由機內提(ti)供激(ji)勵電壓,由“低(di)壓輸(shu)出”和“測(ce)(ce)量接(jie)地(di)”輸(shu)出。為**起(qi)見,CVT自激(ji)法還需要設置以下(xia)幾個保(bao)護限:

將光標移動到xxkV / xxmA / xxV / xxA,按(an)↑↓選擇(ze)合(he)適值(zhi),選擇(ze)好后(hou)按(an)確認鍵退(tui)出。

xxkV:可選(xuan)0.5/0.6/0.8/1/1.5/2/2.5/3/3.5/4kV,為高壓上限,只能使用4kV以下電壓。

xxmA:可選10/15/20/25/30/35/40/45/50/60/70/80/100/120/140/200mA,表示待(dai)測(ce)試品(pin)的(de)高(gao)壓(ya)電流(liu)上限。

xxV:可選3/4/5/6/7/8/9/10/12/15/20/25/30/35/40/50V,表示低壓(ya)(ya)激勵電壓(ya)(ya)上限。

xxA:可選3/4/5/6/7/8/9/10/11/12/13/14/15/16/20/30A,表示(shi)低壓激勵電流上(shang)限。

注意:

(1)測量時(shi)4個保(bao)護(hu)限(xian)同時(shi)起作用,因此(ci)試驗(yan)高壓可能達(da)不到設定值。如果高壓達(da)不到保(bao)護(hu)限(xian),可適當調(diao)整受(shou)到限(xian)制的保(bao)護(hu)限(xian)。

(2)通常測量C1時低(di)壓激勵電(dian)壓可(ke)達20V,測量C2時低(di)壓激勵電(dian)流可(ke)達15A。一般可(ke)設(she)高(gao)壓電(dian)壓2~3kV,較(jiao)少采用(yong)高(gao)壓電(dian)流限(xian)制,可(ke)設(she)為(wei)*大200mA。

變比(bi)測量時應(ying)選擇合適的高壓輸出使二(er)次側電(dian)壓小(xiao)于120V,當(dang)二(er)次側電(dian)壓≥120V時儀(yi)器(qi)會發出聲光報警并(bing)提示“接線錯誤”。

3.2.4 標準電容選擇菜單界(jie)面

將光(guang)標(biao)(biao)移(yi)動到(dao)“標(biao)(biao)準電(dian)(dian)容(rong)”功能選項,界(jie)面如圖3-5所(suo)示(shi),按“確認”按鈕后(hou)移(yi)動光(guang)標(biao)(biao)可選擇合適的標(biao)(biao)準電(dian)(dian)容(rong)。選擇外(wai)標(biao)(biao)準電(dian)(dian)容(rong)時需同時將外(wai)標(biao)(biao)準的電(dian)(dian)容(rong)量(liang)和介(jie)損(sun)一并設置好(hao)。

選(xuan)(xuan)擇外標準(zhun)電容(rong)時將光標移(yi)動到Cn=xxxxx e x pF 和tgδ=xx.xxx%按↑↓選(xuan)(xuan)擇合適值,選(xuan)(xuan)擇好后按確認鍵退出。

Cn采用科學(xue)計數(shu)法,如5.000e1=5.000×101=50.00,1.000e2=1.000×102=100.0等,范(fan)圍0.000e0~9.999e5 (即(ji)0~999900pF)。tgδ設置范(fan)圍0~±9.999%。

內標準(zhun)電容通常(chang)可用于(yu)正、反接線測(ce)量(liang)和CVT自激法(fa)測(ce)量(liang),高電壓介損選用外(wai)標準(zhun)方式(shi),需要(yao)將(jiang)外(wai)接電容參數置入儀器。

3.2.5 測試頻(pin)率選擇菜單(dan)界面

測試頻(pin)率(lv)可選擇(ze)定頻(pin)或異頻(pin),頻(pin)率(lv)選擇(ze)菜單界面如(ru)圖3-6所示,頻(pin)率(lv)選擇(ze)范圍如(ru)下:

定(ding)頻:

“50Hz”:為工頻(pin)測(ce)量(liang),此設置(zhi)不能抗干擾,在試(shi)驗室內測(ce)量(liang)或校驗時選用。

“45/55/60/65Hz”:為(wei)單(dan)頻(pin)(pin)率測量,研究(jiu)不同頻(pin)(pin)率下(xia)介損的(de)變(bian)化時(shi)選(xuan)用(yong)。

頻(pin)率(lv)自(zi)適應:外高壓(ya)(ya)測量模(mo)式(shi)下有(you)效(不能更改),系統(tong)自(zi)動(dong)識別(bie)外施高壓(ya)(ya)頻(pin)率(lv),測試頻(pin)率(lv)無需在測試前設(she)置。

異頻:

“45/55Hz”:為自動變頻,適合50Hz電網工(gong)頻干擾下測量。

“55/65Hz”:為自動變頻,適合60Hz電網工(gong)頻干擾下測量。

“47.5/52.5Hz”:為自動(dong)變(bian)頻(pin),適合50Hz電網工頻(pin)干擾(rao)下測量。

3.2.6 測(ce)試電壓選擇菜(cai)單(dan)界面

內(nei)高(gao)壓(ya)可選擇“0.5 /0.6 /0.8 /1 /1.5 /2 /2.5 /3 /3.5 /4 /4.5 /5 /5.5 /6 /6.5 /7 /7.5 /8 /8.5 /9 /9.5 /10.0kV”(F型*高(gao)輸出電壓(ya)為12kV),應根據高(gao)壓(ya)試驗規程選擇合適的試驗電壓(ya)。

注:若(ruo)選(xuan)擇(ze)“CVT自(zi)激法(fa)”測(ce)試(shi)功能,則該選(xuan)項無效。CVT自(zi)激法(fa)的(de)相關電壓參數需(xu)在該功能選(xuan)項下(xia)進行設置。

3.2.7 測試備(bei)忘設置菜單界(jie)面

設(she)(she)備編(bian)號(hao):可設(she)(she)置(zhi)(zhi)8位字母(mu)或數字編(bian)號(hao),將光標(biao)移動到”設(she)(she)備編(bian)號(hao)”處(chu),按(an)確認(ren)健進入設(she)(she)備編(bian)號(hao)設(she)(she)置(zhi)(zhi),通過(guo)(guo)“←”、“→”健移動光標(biao),通過(guo)(guo)↑↓選(xuan)擇合適值(zhi),設(she)(she)置(zhi)(zhi)好后按(an)確認(ren)鍵退(tui)出。

測試人(ren)員(yuan):可設置(zhi)8位字(zi)母(mu)或數字(zi)編號,將光標(biao)移(yi)動到” 測試人(ren)員(yuan)”處,按(an)確認健(jian)進入測試人(ren)員(yuan)設置(zhi),通(tong)過(guo)“←”、“→”健(jian)移(yi)動光標(biao),通(tong)過(guo)↑↓選擇(ze)合(he)適值,設置(zhi)好后(hou)按(an)確認鍵(jian)退出。

測試地(di)點:可設置(zhi)8位字母或數字編號(hao),將光(guang)標(biao)移動(dong)到” 測試地(di)點”處,按確認(ren)健(jian)進入測試地(di)點設置(zhi),通過(guo)“←”、“→”健(jian)移動(dong)光(guang)標(biao),通過(guo)↑↓選擇合適值,設置(zhi)好后按確認(ren)鍵退出(chu)。

3.2.8 測試結(jie)果界面

3.2.8.1反(fan)接(jie)法(fa)測試結果界面

測試完成顯示結果后,可移動光標選擇(ze)保存或打印數據。

儀器自(zi)動(dong)分辨電(dian)(dian)(dian)容、電(dian)(dian)(dian)感、電(dian)(dian)(dian)阻型試(shi)品(pin):電(dian)(dian)(dian)容型試(shi)品(pin)顯(xian)示Cx和(he)tgδ;電(dian)(dian)(dian)感型試(shi)品(pin)顯(xian)示Lx和(he)Q;電(dian)(dian)(dian)阻型試(shi)品(pin)顯(xian)示Rx和(he)附加(jia)Cx或Lx。自(zi)動(dong)選取(qu)顯(xian)示單位。

試品為電(dian)容時:顯示(shi)數據為Cx、tgδ、Ux、Ix、Φ、f1、f2, |δ|&gt;1則顯示(shi)電(dian)容和串/并聯(lian)電(dian)阻

試(shi)品為(wei)電感時:顯示數據為(wei)Lx、Q、Ux、Ix、Φ、f1、f2, |Q|<1則顯示電感和串(chuan)聯電阻

試品(pin)為(wei)電阻時(shi):顯(xian)示(shi)數(shu)據為(wei)Cx(Lx)、Rx、Ux、Ix、Φ、f1、f2

Cx   試品(pin)電容量(liang)[1μF=1000nF納法&nbsp;/ 1nF=1000pF],如顯示(shi)10.00nF即10000pF

tgδ 介損因數(shu)[1%=0.01]

Lx   試品電感(gan)量[1MH兆亨=1000kH / 1kH=1000H]

Q    品質因數[無單(dan)位(wei)]

Rx&nbsp;  試品(pin)電阻值[1MΩ=1000kΩ / 1kΩ=1000Ω]

Ux &nbsp;&nbsp;試(shi)驗電壓[1kV=1000V / 1V=1000mV]

Ix   試(shi)品(pin)電流[1A=1000mA / 1mA=1000μA]

Φ   試品電(dian)流超前(qian)試驗電(dian)壓(ya)的角度[°度]或測變比時(shi)一次電(dian)壓(ya)超前(qian)二次電(dian)壓(ya)的角度

K    測CVT變比時,一次(ci)(ci)電(dian)壓比二次(ci)(ci)電(dian)壓

f1   頻率(lv)[Hz],顯示**次測試頻率(lv)

f2   頻(pin)率(lv)[Hz],顯示**次測試頻(pin)率(lv)

顯示over表示測量數據(ju)超量程。

3.2.8.2反接線低(di)壓屏蔽測試(shi)結果(guo)界面

反(fan)接(jie)線低(di)壓(ya)屏(ping)蔽測試一次(ci)接(jie)線可同時測出(chu)C11和(he)C下節(下端屏(ping)蔽部分)的電容量和(he)介損值。

3.2.8.3 CVT自激法測試結果(guo)界面

CVT自激法按測(ce)量接線(xian),與試品輸入Cx插座連接的定義為(wei)C1,與高(gao)壓線(xian)連接的為(wei)C2。U1為(wei)測(ce)量C1時(shi)的高(gao)壓,U2為(wei)測(ce)量C2時(shi)的高(gao)壓。

3.3歷史數據

進(jin)入(ru)歷史數(shu)據菜單界面(mian)如圖3-12所示。

移(yi)(yi)動(dong)(dong)光標到(dao)(dao)“U盤”選項按“確定(ding)”鍵(jian)(jian)可將數(shu)(shu)據導(dao)出到(dao)(dao)U盤,上(shang)移(yi)(yi)到(dao)(dao)“清(qing)(qing)空”選項按“確定(ding)”鍵(jian)(jian)可清(qing)(qing)空保存的全部數(shu)(shu)據。將光標移(yi)(yi)動(dong)(dong)到(dao)(dao)“>>>>”選項按下(xia)“確定(ding)”鍵(jian)(jian)進(jin)入數(shu)(shu)據選擇(ze)界(jie)面(mian),光標位置(zhi)默認停留在*近保存的單條(tiao)數(shu)(shu)據上(shang),若要查看其(qi)他數(shu)(shu)據可上(shang)下(xia)移(yi)(yi)動(dong)(dong)光標進(jin)行選擇(ze),選擇(ze)好要查看的數(shu)(shu)據后(hou)按“確定(ding)”按鈕(niu)進(jin)入單條(tiao)歷(li)(li)史數(shu)(shu)據顯(xian)示(shi)界(jie)面(mian)。歷(li)(li)史數(shu)(shu)據選擇(ze)界(jie)面(mian)和(he)單條(tiao)歷(li)(li)史數(shu)(shu)據顯(xian)示(shi)界(jie)面(mian)如圖3-13和(he)圖3-14所示(shi)。

進入單(dan)條歷史(shi)數據顯(xian)示界面后,在左側功能選項區(qu)上下(xia)移動光標可選擇打印、刪除本條數據和退出單(dan)條歷史(shi)數據顯(xian)示界面。

3.4系統設(she)置

進入系統設置(zhi)菜單可進行系統時間校(xiao)準,“出廠設置(zhi)”參(can)數(shu)禁止用戶修改,只允許(xu)生產廠家(jia)進行出廠參(can)數(shu)設置(zhi)。

3.5幫(bang)助

可查看儀器的相關操作指(zhi)導(dao)。

3.6啟動(dong)測量

進入(ru)測(ce)試界面設(she)置好(hao)各項(xiang)(xiang)試驗參數后,將光標移(yi)動到“開始測(ce)試”功能(neng)選項(xiang)(xiang)上,按(an)住“確認”鍵3s以上啟動測(ce)量。

啟動(dong)測(ce)量后(hou)發(fa)出聲光報警;在測(ce)試過程中會實時顯示(shi)測(ce)試相關參數(shu)(電壓、電流、頻率、電容量等參數(shu))和測(ce)量進程(0%~99%)。

測(ce)(ce)量中按“確認”鍵可(ke)取(qu)消測(ce)(ce)量,遇(yu)緊(jin)急(ji)情況立即關閉(bi)總電源。

測量過程結(jie)(jie)束,儀器(qi)自動(dong)降壓后(hou)再顯(xian)示結(jie)(jie)果。

3.7對比度(du)調節

液晶(jing)顯(xian)示(shi)屏的(de)對比度已在出廠時校(xiao)好(hao),如果您感(gan)覺不夠清晰,調整面板上的(de)電(dian)位器使液晶(jing)顯(xian)示(shi)屏顯(xian)示(shi)內(nei)容(rong)清晰為止。


4、參(can)考接(jie)線

4.1常規正接線(正接線、內標準電容、內高(gao)壓)

4.2常(chang)規反(fan)接(jie)線(xian)(反(fan)接(jie)線(xian)、內標準電容、內高壓)

4.3正接線、外標準電容、內高壓(ya)

4.4反接線、外標準電容(rong)、內高壓

4.5正接線、內標準電容、外高壓

4.6反(fan)接線、內標(biao)準電(dian)容、外高(gao)壓

4.7正接線、外標準電容、外高(gao)壓(高(gao)電壓介損)

4.8反接線、外標(biao)準(zhun)電容、外高壓

4.9反接線低壓屏蔽

可在220kV CVT母(mu)線(xian)(xian)接(jie)(jie)地(di)情(qing)況(kuang)下(xia),對C11進行不拆線(xian)(xian)10kV反接(jie)(jie)線(xian)(xian)介損測量(liang)。如下(xia)圖所示:母(mu)線(xian)(xian)掛地(di)線(xian)(xian),C11上端(duan)(duan)不拆線(xian)(xian),C11下(xia)端(duan)(duan)接(jie)(jie)高(gao)壓線(xian)(xian)芯線(xian)(xian),C2末端(duan)(duan)δ和X接(jie)(jie)Cx芯線(xian)(xian)。這樣C12和C2被(bei)低(di)壓屏(ping)蔽(bi),儀器采用(yong)反接(jie)(jie)線(xian)(xian)低(di)壓屏(ping)蔽(bi)測量(liang)方(fang)式,可同時測出C11和下(xia)端(duan)(duan)被(bei)屏(ping)蔽(bi)部分的電容量(liang)和介損值。

4.10 CVT自激(ji)法

高壓(ya)線芯線接C2下(xia)端(duan),Cx芯線接C12上端(duan)。在CVT 自激法(fa)測量(liang)(liang)中,儀(yi)器先(xian)測量(liang)(liang)C12,然后自動(dong)倒線測量(liang)(liang)C2,并自動(dong)校準分(fen)壓(ya)影響。

1)D型高(gao)(gao)壓(ya)連線(xian)(xian)不(bu)可拖地,高(gao)(gao)壓(ya)線(xian)(xian)應懸空(kong)不(bu)能接(jie)觸地面(高(gao)(gao)壓(ya)線(xian)(xian)的接(jie)地屏(ping)蔽層(ceng)插頭必須懸空(kong)),否則其對(dui)地附加介損會引起誤(wu)差,可用細電纜連接(jie)高(gao)(gao)壓(ya)插座(zuo)與CVT試品并吊(diao)起。

2)E、F、S、J型高壓連線可拖地使用,在開機初始界面(圖3-1界面),光標停留在“測試模式”處長按“→”鍵(聽到蜂鳴器聲音松手)可取消或使用拖地模式(右下角顯示“”表示當前為拖地模式),在拖地模式下必須將高壓連線的接地屏蔽層插頭接至圖2-1中的“1”(高壓測量接地)處,否則會引起測量誤差;取消拖地模式后高壓連線必須懸空吊起,高壓連線的接地屏蔽層插頭也應懸空,否則會引起測量誤差。拖地模式下的高壓連線必須使用原廠配置的電纜(已校準),否則會引起測量誤差!

4.11 CVT變比測(ce)試(shi)

儀器高壓線(xian)的芯線(xian)紅夾(jia)子接(jie)CVT的上端,母線(xian)拆地,CVT下端接(jie)地,低壓線(xian)紅黑夾(jia)子接(jie)二次繞組。

5、常見(jian)CVT的參(can)考測量方法

目(mu)前常(chang)見的(de)電(dian)容式電(dian)壓互感(gan)器(qi)可分(fen)為110kV、220kV、500kV等不同電(dian)壓等級(ji),一般110kV的(de)CVT其(qi)C1就(jiu)一節(jie),220kV的(de)CVT其(qi)C1有(you)兩節(jie),而500kV的(de)CVT其(qi)C1有(you)三節(jie)。

5.1  500kV CVT的測量方法

1)C11的(de)測量方法

按圖(tu)5-1標明的(de)方式接線,測量C11時應注意:

◇ 拆開δ端,X端一定要接地(di)

◇ a點接紅(hong)色高(gao)壓測試線的芯線(紅(hong)夾子(zi)),b點接紅(hong)色高(gao)壓測試線的高(gao)壓屏蔽層(黑夾子(zi))

2)C12的測(ce)量(liang)方法

按圖5-2標明的(de)方式接線(xian),測量C12時注意:

◇ 拆開(kai)δ端,X端一定要接(jie)地

◇ a點接紅色高壓(ya)測試線芯(xin)線(紅夾(jia)(jia)子(zi)),b點接黑色低壓(ya)測試線芯(xin)線(紅夾(jia)(jia)子(zi))

3)C13和C2的測量(liang)方(fang)法(fa)

儀器設(she)有專(zhuan)門的CVT自激(ji)(ji)法,不需外加任何其它設(she)備,就可以(yi)完(wan)成測(ce)(ce)試(shi)。按圖5-3標明的方(fang)式接線,儀器選用CVT自激(ji)(ji)法測(ce)(ce)量方(fang)式,試(shi)驗電壓可設(she)置為2kV,CVT自激(ji)(ji)法能一次測(ce)(ce)量C13和C2兩個電容的介損和電容量。

5.2  220kV CVT的測(ce)量方法

1)C11的(de)測量方(fang)法

按(an)圖5-4標明的(de)方式接線,測量C11時注(zhu)意:

◇ δ和(he)X相連,與(yu)接地(di)分(fen)開(kai)。

◇ a點接紅色高壓測試線(xian)的芯線(xian)(紅夾(jia)子(zi)),C2末端δ和X 接Cx端芯線(xian),這樣C12與C2就被(bei)低壓屏蔽了。

2)C12和C2的測(ce)量方法

儀(yi)器設(she)有(you)專門的(de)CVT自激法(fa),不(bu)需外(wai)加任何(he)其它(ta)設(she)備,就可以完成測(ce)試。按(an)圖5-5標(biao)明的(de)方式接線,儀(yi)器選(xuan)用(yong)CVT自激法(fa)測(ce)量方式,試驗電(dian)壓(ya)可設(she)置(zhi)為(wei)2kV,CVT自激法(fa)能一次測(ce)量C12和(he)C2兩(liang)個(ge)電(dian)容(rong)的(de)介損和(he)電(dian)容(rong)量。

5.3  110kV CVT的測量方(fang)法(fa)

儀器設(she)有專(zhuan)門的(de)CVT自(zi)激法(fa),不需外加任何其它(ta)設(she)備,就可(ke)以完成(cheng)測試(shi)。按圖5-6標明的(de)方式接線,儀器選用(yong)CVT自(zi)激法(fa)測量(liang)(liang)方式,試(shi)驗電(dian)壓可(ke)設(she)置為2kV,CVT自(zi)激法(fa)能(neng)一次測量(liang)(liang)C13和(he)C2兩個電(dian)容的(de)介損和(he)電(dian)容量(liang)(liang)。


6、現場(chang)試驗注意事項

如果使用中出現測試數據(ju)明顯不合理(li),請從以下方面查找原因:

6.1搭鉤接觸**

現場(chang)測量使用搭(da)鉤連接試(shi)品時,搭(da)鉤務必(bi)與(yu)試(shi)品接觸(chu)良好(hao),否(fou)則接觸(chu)點放電會引(yin)起數據嚴重波(bo)動!尤其是引(yin)流線(xian)氧化層太厚,或風(feng)吹線(xian)擺動,易造(zao)成接觸(chu)**。

6.2接(jie)地接(jie)觸**

接地(di)(di)**會引起儀(yi)器保(bao)護或數據嚴重(zhong)波動。應刮凈接地(di)(di)點(dian)上的油(you)漆和(he)銹蝕,務必保(bao)證0電阻接地(di)(di)!

6.3直(zhi)接測量(liang)CVT或末端屏(ping)蔽法測量(liang)電磁(ci)式PT

直(zhi)接測量CVT的下節耦(ou)合電(dian)容會出(chu)現負介損(sun),消除負介損(sun)可采取下述措施或改用CVT自激(ji)法測量:

1)測(ce)試時測(ce)量(liang)儀器的接(jie)地端直接(jie)接(jie)在被(bei)試品的金屬(shu)底(di)座上,并保證接(jie)觸(chu)良好。

2)條件(jian)允(yun)許時盡可能將(jiang)非被試繞組(zu)短(duan)接(jie),以減小(xiao)電感和鐵心損耗的影響。

3)被(bei)試品(pin)周圍不應有鐵架、腳(jiao)手架、木梯等(deng)物(wu)體,盡可(ke)能減(jian)小分布(bu)阻抗的影響。

4)試驗引線與被試品(pin)的(de)(de)夾角應(ying)盡可能接近(jin)90°,以減小線與試品(pin)間的(de)(de)分布電容。

用(yong)末端屏蔽法(fa)測量電磁式PT時(shi),由于受潮引起“T形(xing)網絡干(gan)擾”出現負(fu)介損,吹干(gan)下面三裙瓷(ci)套和(he)接線端子盤即可(ke)。也可(ke)改用(yong)常(chang)規法(fa)或末端加壓(ya)法(fa)測量。

6.4空氣濕(shi)度(du)過(guo)大

空(kong)氣濕(shi)度大(da)使介損測量值(zhi)異常增大(da)(或減小甚至為負)且(qie)不穩(wen)定,必要時可(ke)(ke)加(jia)屏(ping)蔽環。因人(ren)為加(jia)屏(ping)蔽環改(gai)變了試品電場分布(bu),此法有(you)爭議,可(ke)(ke)參照有(you)關(guan)規程。

6.5發電(dian)機供電(dian)

發電機供電時可采(cai)用定頻50Hz模式工作。

6.6測(ce)試線

1)由于長期(qi)使用,易造成(cheng)測(ce)試線隱性(xing)斷路,或芯線和屏蔽短路,或插頭接(jie)觸**,用戶應(ying)經常(chang)維護測(ce)試線。

2)測(ce)試標準電(dian)容(rong)試品時(shi),應(ying)使(shi)用全(quan)屏蔽插頭(tou)連(lian)接(jie),以消除附(fu)加雜散(san)電(dian)容(rong)影響,否則(ze)不能(neng)反映儀(yi)器精度(du)。

3)自激法測(ce)量CVT時,若使(shi)用(yong)“高(gao)(gao)壓(ya)(ya)連線拖(tuo)地”功能,請務必使(shi)用(yong)原(yuan)廠(chang)(chang)(chang)配置的專用(yong)高(gao)(gao)壓(ya)(ya)電(dian)纜(原(yuan)廠(chang)(chang)(chang)電(dian)纜在出廠(chang)(chang)(chang)時已進行校(xiao)準),高(gao)(gao)壓(ya)(ya)連線的接(jie)地屏蔽層必須接(jie)地,不(bu)可使(shi)用(yong)其它(ta)高(gao)(gao)壓(ya)(ya)電(dian)纜代替(ti),否(fou)則會引起較大的測(ce)量誤差(cha)。若拖(tuo)地模式下測(ce)量誤差(cha)較大,則需將(jiang)專用(yong)高(gao)(gao)壓(ya)(ya)電(dian)纜返廠(chang)(chang)(chang)重新進行校(xiao)準。

4)自激法測量CVT時(shi),非(fei)專(zhuan)用(yong)(yong)的高壓(ya)線應吊起(qi)懸空(kong),否(fou)則對(dui)地(di)(di)附加(jia)雜散電容和介損會(hui)引起(qi)測量誤差(cha)。使用(yong)(yong)專(zhuan)用(yong)(yong)電纜在(zai)非(fei)拖地(di)(di)模式下測量CVT,高壓(ya)電纜也(ye)應懸空(kong)且電纜的接(jie)地(di)(di)屏蔽(bi)層不能接(jie)地(di)(di),否(fou)則會(hui)引起(qi)較大(da)的測量誤差(cha)。

6.7工(gong)作模式(shi)選擇(ze)

接好線后請(qing)選擇正確的測量工作(zuo)模式,不(bu)可選錯。特別是干擾環境下應選用變頻抗干擾模式。

6.8試驗方法影(ying)響

由于介損測量受試(shi)驗方法影響(xiang)較大(da),應區分是試(shi)驗方法誤差還是儀(yi)器誤差。出現問題(ti)時(shi)可首先檢查接線,然后檢查是否為(wei)儀(yi)器故(gu)障。

6.9儀器故障

1)用萬用表測(ce)量一下(xia)測(ce)試線是(shi)否斷路,或(huo)芯(xin)線和(he)屏(ping)蔽是(shi)否短路;

2)輸(shu)入電源(yuan)220V過高或過低(di);接地是否良好;

3)用正、反接線測一(yi)下標準電容器或已知容量和介(jie)損的電容試品,如果(guo)結(jie)果(guo)正確(que),即(ji)可(ke)判斷儀器沒有問題;

4)拔下(xia)所有(you)測(ce)試(shi)導(dao)線(xian),進行空試(shi)升(sheng)壓(ya),若(ruo)不能(neng)正(zheng)常工作,儀器可能(neng)有(you)故障。

7、儀器(qi)檢(jian)定(ding)

7.1檢定

用(yong)帶插頭(tou)的屏蔽電(dian)纜連接(jie)標準(zhun)損耗器。如果不能保(bao)證標準(zhun)損耗器的精(jing)度,應使用(yong)比對法檢定(ding),建議用(yong)2801電(dian)橋或其它精(jing)密(mi)電(dian)橋作比對標準(zhun)。

1)介(jie)質損耗(hao)因數(shu)標(biao)準器一(yi)般(ban)為串聯模型,因此儀器的試品(pin)模型應選擇“RC串聯(電(dian)流比較儀型電(dian)橋)”或(huo)“RC串聯(西林型電(dian)橋)”。

RC串(chuan)聯(電(dian)流比較儀(yi)型電(dian)橋(qiao)):采用電(dian)流比較儀(yi)型電(dian)橋(qiao)(如QS30電(dian)橋(qiao))校準的(de)串(chuan)聯型試品(或(huo)介質損耗因(yin)數標準器),該項在開(kai)始測試界面顯示"RC串(chuan)聯"。

RC串聯(西林型電橋): 采用西林型電橋(如2801、QS1和QS37等電橋)校準的串聯型試品(或介質損耗因數標準器) ,該項在開始測試界面顯示 "RC串聯"。

采用電流比較儀型電橋和西(xi)林型電橋校準(zhun)的串(chuan)聯型試品(或介質(zhi)損耗因數標準(zhun)器)的區別只是電容量不同:

為西林型電橋標定值,C為電流比較儀型電橋標定值。

2)用介質損(sun)耗(hao)因數(shu)標(biao)準(zhun)器(或(huo)標(biao)準(zhun)電(dian)容(rong)器)檢定儀器反接線(xian)精度時,高壓(ya)電(dian)纜(lan)與試(shi)品連接必須使(shi)用全(quan)屏蔽(bi)插(cha)頭,否(fou)則暴露(lu)的芯線(xian)會(hui)引起測量(liang)誤差。

3)用介(jie)質損耗因數標準(zhun)器(qi)(qi)(或標準(zhun)電容器(qi)(qi))檢定(ding)儀(yi)器(qi)(qi)正接線精度時,低壓電纜與試品連接必(bi)須(xu)使用全屏蔽插頭,否則暴露的芯(xin)線會(hui)引起測量誤差。

嚴(yan)格按(an)照上述(shu)要求檢定方能(neng)真實反映(ying)本儀器的測量精度!

7.2抗(kang)干(gan)擾能力(li)

設置(zhi)一(yi)個回路向儀(yi)器注入定量的干擾電流。

注意:

1)應考慮到該(gai)回路可能成為試品的一部(bu)分。

2)儀器啟動后會使220V供電(dian)電(dian)路帶有測(ce)量(liang)頻(pin)率(lv)分量(liang),如果該頻(pin)率(lv)分量(liang)又通過干(gan)擾電(dian)流進入儀器,則無法檢驗(yan)儀器的抗(kang)干(gan)擾能力。

3)不建議用臨(lin)近(jin)高壓導體(ti)施加干擾,因為這(zhe)樣很容(rong)(rong)易產生(sheng)近(jin)距離(li)**放電,這(zhe)種(zhong)放電電阻(zu)是非線性的(de),容(rong)(rong)易產生(sheng)同頻(pin)干擾。

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